【技术实现步骤摘要】
一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路
本技术涉及无线电子通信领域，具体是一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路。
技术介绍
随着物联网技术服务千家万户，要求移动无线通信技术中接收机的功耗和成本越来越低。为了迎接挑战，低中频/零中频接收机和直接上变频调制发射机结构成为了主流选择。接收机中频部分增益通常约为70dB，混频器本振信号LO泄漏与LO自混频产生的直流分量会在中频部分产生很大的直流失调，使得中频部分电路饱和，导致接收信号检测没法正常进行。为了抑制直流失调，传统做法是在低通滤波器(LPF)与可变增益放大器(VGA)之间插入一个低转折频率的RC高通滤波器，如图1所示。一般而言，这个转折频率较低，需要的电阻和电容极大，而且电容无法用MOS晶体管实现，大电容的版图极占面积。为了克服传统做法的缺点，人们设计了一种经典的实现方法，如图2所示。这种校准直流失调的方法能够校准中频所有级的直流失调，而且电容可以由MOS晶体管实现，然而，其会提高转折频率，需要更大的电容和电阻，其面积也会较大。
【技术保护点】
1.一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路，其特征在于，包括运算放大器OPA1、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1及电容C2，所述运算放大器OPA1设有两个输入端和两个输出端，运算放大器OPA1的一个输出端连接电阻R2，所述电容C1的两端分别与该输出端和运算放大器OPA1同相输入端连接，所述电阻R2另一端外接可变增益放大器的DCOCP管脚；所述运算放大器OPA1的另一个输出端连接电阻R4，所述电容C2的两端分别与该输出端和运算放大器OPA1反相输入端连接，所述电阻R4另一端外接可变增益放大器的DCOCN管...
【技术特征摘要】
1.一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路，其特征在于，包括运算放大器OPA1、NMOS晶体管M1、NMOS晶体管M2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电容C1及电容C2，所述运算放大器OPA1设有两个输入端和两个输出端，运算放大器OPA1的一个输出端连接电阻R2，所述电容C1的两端分别与该输出端和运算放大器OPA1同相输入端连接，所述电阻R2另一端外接可变增益放大器的DCOCP管脚；所述运算放大器OPA1的另一个输出端连接电阻R4，所述电容C2的两端分别与该输出端和运算放大器OPA1反相输入端连接，所述电阻R4另一端外接可变增益放大器的DCOCN管脚；所述NMOS晶体管M1栅极和NMOS晶体管M2栅极均用于输入基准电压VREF，NMOS晶体管M1源极与运算放大器OPA1同相输入端连接，其漏极与电阻R1一端连接，所述电阻R1相对连接NMOS晶体管M1漏极端的另一端外接低通滤波器输出端；所述NMOS晶体管M2源极与运算放大器OPA1反相输入端连接，其漏极与电阻R3一端连接，所述电阻R3相对连接NMOS晶体管M2漏极端的另一端外接低通滤波器输出端。
2.根据权利要求1所述的一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路，其特征在于，所述NMOS晶体管M1和NMOS晶体管M2两者尺寸相同。
3.根据权利要求1或2或所述的一种应用于射频信号接收机的中频直流失调校准DCOC电路，其特征在于，所述运算放大器OPA1包括PMOS晶体管M3、PMOS晶体管M4、PMOS晶体管M5、PMOS晶体管M8、PMOS晶体管M9、PMOS晶体管M10、PMOS晶体管M11、PMOS晶体管M14、PMOS晶体管M15、电容C3、电容C4、电阻R5、电阻R6及共模电平负反馈控制电路，所述PMOS晶体管M3、PMOS晶体管M4及PMOS晶体管M5三者的源极均接电源，三者的栅极相互连接；所述PMOS晶体管M3漏极与PMOS晶体管M10漏极连接，且PMOS晶体管M3漏极与PMOS晶体管M10漏极之间的线路上设有一个输出端；所述PMOS晶体管M5漏极与PMOS晶体管M11漏极连接，且PMOS晶体管M5漏极与PMOS晶体管M11漏极之间的线路上设有一个输出端；所述PMOS晶体管M8与PMOS晶体管M9两者的源极连接，PMOS晶体管M4连接于PMOS晶体管M8源极与PMOS晶体管M9源...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢李萍，赵新强，杨宗帅，万彬，李巧华，
申请(专利权)人：成都旋极星源信息技术有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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