【技术实现步骤摘要】
基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法
本专利技术涉及光刻
，具体涉及一种基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法。
技术介绍
随着信息技术的高速发展，高端芯片的应用领域越来越广泛。而芯片的制造离不开光刻技术，显影是光刻过程中必不可少的一步，光刻胶显影的质量直接影响后续的芯片与器件制备过程。随着光刻技术节点的不断微缩，对显影技术的要求也越来越高。目前，光刻胶的显影主要基于湿式，该方法操作简单，显影剂可重复利用。然而，湿式显影具有各向同性，即在显影过程中光刻胶不仅纵向被腐蚀，横向也会腐蚀，容易导致过显影或显影不彻底；湿式显影也会导致光刻胶的膨胀与收缩降低图形精度、产生缺陷等[《半导体技术》1994年第1期，管会]。因此，研究人员提出采用干法刻蚀技术进行曝光后的显影步骤，但所用光刻胶大多基于有机聚合物材料[J.Electrochem.Soc.1981,128,1065-1071；Polym.Eng.Sci.1983,23,1043-1046；《感光科学与光化学》1986年第2期,页码:1-6,]。有机光刻...
【技术保护点】
1.一种基于干式显影和金属掺杂Sb
【技术特征摘要】
20191202 CN 20191121727301.一种基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)通过薄膜沉积系统在基片上沉积金属掺杂Sb2Te光刻胶薄膜；
(2)利用曝光系统对所述光刻胶薄膜进行曝光，使得曝光区域发生晶化；
(3)通过反应离子刻蚀系统进行干法显影，得到最终的微纳结构。
2.如权利要求1所述的基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述薄膜沉积系统为磁控溅射镀膜机。
3.如权利要求1所述的基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述金属掺杂Sb2Te光刻胶薄膜的厚度为20nm～500nm。
4.如权利要求1所述的基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法，其特征在于，所述金属掺杂Sb2Te光刻胶中，掺杂金属元素选自Cr、Ag、Ti、Al、Fe中的一种。
5.如权利要求4所述的基于干式显影和金属掺杂Sb2Te光刻胶的光刻方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：魏涛，魏劲松，刘波，
申请(专利权)人：苏州科技大学，中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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