【技术实现步骤摘要】
抗蚀膜形成基板的制造方法及其所涉及的工序管理系统
本专利技术与抗蚀膜形成基板的制造方法以及抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统相关。
技术介绍
过往，已知有下述专利文献1中记载的、对半导体晶片、LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等的基板进行的抗蚀剂液涂布处理以及曝光后的显影处理的涂布、显影装置的一例。该专利文献1记载的涂布、显影装置，对与成为停留时间的计算对象的基板相比前次的基板群，基于从在曝光装置内搬入搬出的各时间点计算出的曝光装置内的停留时间t3，计算t1和t2，其中，t1：从成为待机时间计算的对象的基板处于可以从待机模块中搬出的状态的时间点，到该基板使用的加热模块为了该基板加热处理准备好的时间点的时间、t2：从成为所述时间点的计算对象的基板从待机模块中搬出的时间点，到到达该基板使用的加热模块的时间点的时间，根据t1-t2进行计算在该待机模块中的待机时间。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2009-43927号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题
【技术保护点】
1.一种抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于，具有：/n涂布工序，其在基板上涂布抗蚀膜；/n曝光工序，其选择性地曝光在所述涂布工序中被涂布的所述抗蚀膜；显影工序，其显影在所述曝光工序中选择性地曝光的所述抗蚀膜，/n所述显影工序基于转移时间调整显影所涉及的处理时间，其中所述转移时间是进行所述涂布工序之后转移到该显影工序的时间。/n
【技术特征摘要】
20180803 US 62/7145911.一种抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于，具有：
涂布工序，其在基板上涂布抗蚀膜；
曝光工序，其选择性地曝光在所述涂布工序中被涂布的所述抗蚀膜；显影工序，其显影在所述曝光工序中选择性地曝光的所述抗蚀膜，
所述显影工序基于转移时间调整显影所涉及的处理时间，其中所述转移时间是进行所述涂布工序之后转移到该显影工序的时间。
2.根据权利要求1所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑抗蚀膜的材料来调整所述处理时间。
3.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑所述抗蚀膜的膜厚来调整处理时间。
4.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑在所述曝光工序中的所述抗蚀膜的曝光范围或者未曝光范围来调整处理时间。
5.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述显影工序中，在输送所述基板的同时在所述基板上供给显影液，并且通过控制所述基板的输送速度来调整所述处理时间。
6.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述涂布工序中，涂布彩色抗蚀膜或者遮光抗蚀膜作为所述抗蚀膜。
7.一种抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统，其特征在于，具有：
涂布装置，其在基板上涂布...
【专利技术属性】
技术研发人员：山田将弘，喜田哲也，冈岛弘明，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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