抗蚀膜形成基板的制造方法及其所涉及的工序管理系统技术方案

使抗蚀膜适当地形成图案。一种抗蚀膜形成基板的制造方法具有：在基板(10MG)上涂布抗蚀膜(18、19)的涂布工序、选择性地曝光在涂布工序中涂布的抗蚀膜(18、19)的曝光工序、显影在曝光工序中选择性地曝光的抗蚀膜(18、19)的显影工序，所述显影工序基于进行涂布工序之后转移到该显影工序的转移时间调整显影所涉及的处理时间。

Manufacturing method of anti-corrosion film forming substrate and related process management system

【技术实现步骤摘要】
抗蚀膜形成基板的制造方法及其所涉及的工序管理系统
本专利技术与抗蚀膜形成基板的制造方法以及抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统相关。
技术介绍
过往，已知有下述专利文献1中记载的、对半导体晶片、LCD基板(液晶显示器用玻璃基板)等的基板进行的抗蚀剂液涂布处理以及曝光后的显影处理的涂布、显影装置的一例。该专利文献1记载的涂布、显影装置，对与成为停留时间的计算对象的基板相比前次的基板群，基于从在曝光装置内搬入搬出的各时间点计算出的曝光装置内的停留时间t3，计算t1和t2，其中，t1：从成为待机时间计算的对象的基板处于可以从待机模块中搬出的状态的时间点，到该基板使用的加热模块为了该基板加热处理准备好的时间点的时间、t2：从成为所述时间点的计算对象的基板从待机模块中搬出的时间点，到到达该基板使用的加热模块的时间点的时间，根据t1-t2进行计算在该待机模块中的待机时间。现有技术文献专利文献专利文献1：特开2009-43927号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题根据上述专利文献1中记载的涂布、显影装置，正好在加热曝光后的基板的加热模块为了加热处理准备好的时间点，从待机模块中高效地搬出曝光前的基板，抑制基板在待机模块中多余地待机。此外，对基板进行涂布抗蚀剂液之后转移到显影的转移时间，存在因制造上的各种原因而导致不一致的情况。在这种情况下，在过往的显影装置中，对基板进行显影的处理时间通常是一定的，因此有因上述转移时间的变化而导致的被显影的抗蚀膜的图案成品上出现不均匀的可能性。本专利技术是基于如上述情况而完成的，并且其目的在于使抗蚀膜适当地形成图案。用于解决技术问题的方案(1)本专利技术的一种实施方式是抗蚀膜形成基板的制造方法，其具有涂布工序，其在基板上涂布抗蚀膜；曝光工序，其选择性地曝光在所述涂布工序中被涂布的所述抗蚀膜；显影工序，其显影在所述曝光工序中选择性地曝光的所述抗蚀膜，所述显影工序基于转移时间调整显影所涉及的处理时间，其中所述转移时间是进行所述涂布工序之后转移到该显影工序的时间。(2)此外，本专利技术的另一种实施方式是，在所述(1)构成的抗蚀膜形成基板的制造方法的基础上，在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑抗蚀膜的材料来调整所述处理时间。(3)此外，本专利技术的另一种实施方式是，在所述(1)或(2)构成的抗蚀膜形成基板的制造方法的基础上，在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑所述抗蚀膜的膜厚来调整处理时间。(4)此外，本专利技术的另一种实施方式是，在所述(1)至(3)的任一项构成的抗蚀膜形成基板的制造方法的基础上，在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑在所述曝光工序中的所述抗蚀膜的曝光范围或者未曝光范围来调整处理时间。(5)此外，本专利技术的另一种实施方式是，在所述(1)至(4)的任一项构成的抗蚀膜形成基板的制造方法的基础上，在所述显影工序中，在输送所述基板的同时在所述基板上供给显影液，并且通过控制所述基板的输送速度来调整所述处理时间。(6)此外，本专利技术的另一种实施方式是，在所述(1)至(5)的任一项构成的抗蚀膜形成基板的制造方法的基础上，在所述涂布工序中，涂布彩色抗蚀膜或者遮光抗蚀膜作为所述抗蚀膜。(7)本专利技术的一种实施方式是抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统，其具有：涂布装置，其在基板上涂布抗蚀膜；曝光装置，选择性地曝光所述抗蚀膜；显影装置，显影所述抗蚀膜；存储装置，至少存储了由所述涂布装置完成了所述抗蚀膜的涂布的涂布完成时间；提取处理装置，其通过读取所述存储装置中存储的所述涂布完成时间提取转移时间，所述转移时间是进行所述涂布装置的所述抗蚀膜的涂布之后转移到所述显影装置中显影的时间，基于提取出的所述转移时间进行提取所述显影装置的显影所涉及的处理时间的处理；显影控制装置，其基于由所述提取处理装置提取出的所述处理时间，控制所述显影装置；信息通信线路，其至少将所述涂布装置、所述提取处理装置以及所述显影控制装置能够进行信息通信的状态地连接到所述存储装置。(8)此外，本专利技术的另一种实施方式是，在所述(7)构成的抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统的基础上，所述提取处理装置具有数据表存储部，其存储至少存储了所述转移时间和所述处理时间之间的关系的数据表，并且基于通过从所述存储装置读取所述涂布完成时间而提取出的所述转移时间，从所述数据表存储部中存储的所述数据表提取所述处理时间。(9)此外，本专利技术的另一种实施方式是，在所述(7)或(8)任一项构成的抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统的基础上，所述信息通信线路将所述显影控制装置能够进行信息通信的状态地连接到所述提取处理装置。(10)此外，本专利技术的另一种实施方式是，在所述(7)至(9)任一项构成的抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统的基础上，所述显影装置至少具有：基板输送部，其输送所述基板；显影液供给部，其向由所述基板输送部输送的所述基板供给显影液，所述显影控制装置通过控制所述基板输送部输送的所述基板的输送速度来调整所述处理时间。有益效果根据本专利技术，可以使抗蚀膜适当地形成图案。附图说明图1是概略地表示本专利技术的一实施方式涉及的液晶面板的剖视图。图2是示出构成液晶面板的CF基板的像素排列的平面图。图3是示出包含在遮光部形成工序中的涂布工序中，在母玻璃基板上涂布了遮光抗蚀膜的状态的剖视图。图4是示出包含在遮光部形成工序中的曝光工序中，通过掩模曝光遮光抗蚀膜后的状态的剖视图。图5是示出包含在遮光部形成工序中的显影工序中，遮光抗蚀膜的显影后的状态的剖面图。图6是示出包含在彩色滤光片形成工序中的涂布工序中，在母玻璃基板上涂布了彩色抗蚀膜的状态的剖视图。图7是示出包含在彩色滤光片形成工序中的曝光工序中，通过掩模曝光彩色抗蚀膜后的状态的剖视图。图8是示出包含在彩色滤光片形成工序中的显影工序中，显影彩色抗蚀膜后的状态的剖面图。图9是表示显影装置的概略的剖视图。图10是CF基板的制造所涉及的工序管理系统的框图。图11是表示进行涂布工序之后转移到显影工序的转移时间，与显影所需要的处理时间之间的关系的图表。图12是表示将显影所涉及的处理时间固定化为某一标准处理时间的情况下的转移时间、与显影工序后得到的抗蚀膜的图案所涉及的线宽之间的关系的图表。图13是表示使显影所涉及的处理时间，根据实际的转移时间而变化的情况下的转移时间、与显影工序后得到的抗蚀膜的图案所涉及的线宽之间的关系的图表。图14是表示进行抗蚀膜的涂布之后转移到显影工序的转移时间与母玻璃基板的输送速度之间的关系的图。具体实施方式＜实施方式＞根据图1至图14说明本专利技术的一实施方式。在本实施方式中，对构成液晶面板10的CF基板(抗蚀膜形成基板)10A的制造方法以及CF基板10A的制造所涉及到的工序管理系统MS示例。此外，在各附图的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于，具有：/n涂布工序，其在基板上涂布抗蚀膜；/n曝光工序，其选择性地曝光在所述涂布工序中被涂布的所述抗蚀膜；显影工序，其显影在所述曝光工序中选择性地曝光的所述抗蚀膜，/n所述显影工序基于转移时间调整显影所涉及的处理时间，其中所述转移时间是进行所述涂布工序之后转移到该显影工序的时间。/n

【技术特征摘要】
20180803 US 62/7145911.一种抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于，具有：
涂布工序，其在基板上涂布抗蚀膜；
曝光工序，其选择性地曝光在所述涂布工序中被涂布的所述抗蚀膜；显影工序，其显影在所述曝光工序中选择性地曝光的所述抗蚀膜，
所述显影工序基于转移时间调整显影所涉及的处理时间，其中所述转移时间是进行所述涂布工序之后转移到该显影工序的时间。


2.根据权利要求1所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑抗蚀膜的材料来调整所述处理时间。


3.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑所述抗蚀膜的膜厚来调整处理时间。


4.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述显影工序中，在所述转移时间基础上，还考虑在所述曝光工序中的所述抗蚀膜的曝光范围或者未曝光范围来调整处理时间。


5.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述显影工序中，在输送所述基板的同时在所述基板上供给显影液，并且通过控制所述基板的输送速度来调整所述处理时间。


6.根据权利要求1或2所述的抗蚀膜形成基板的制造方法，其特征在于：
在所述涂布工序中，涂布彩色抗蚀膜或者遮光抗蚀膜作为所述抗蚀膜。


7.一种抗蚀膜形成基板的制造所涉及的工序管理系统，其特征在于，具有：
涂布装置，其在基板上涂布...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田将弘，喜田哲也，冈岛弘明，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP