【技术实现步骤摘要】
大气中子辐射试验方法、系统和装置
本申请涉及辐射效应
，特别是涉及一种大气中子辐射试验方法、系统和装置。
技术介绍
高能宇宙射线与地球大气中的N(氮)和O(氧)相互作用，产生中子、电子、γ射线、π介子、μ介子等次级辐射，大气中子能量谱eV(电子伏特)到GeV(十亿电子伏特)的范围。根据测算，海平面高度上大于10MeV(百万电子伏特)的中子通量约为4×10-3中子/平方厘米/秒，对应于一个人张开的手掌上每秒一个中子。中子由于不带电而具有极强的穿透性，广泛分布于地面和整个大气空间但其通量和能谱会受到海拔、太阳活动和经纬度等因素的影响。大气中子轰击半导体器件及集成电路引发单粒子效应，是大气中子导致集成电路故障和失效最为常见的原因，故障和失效主要包括存储单元翻转、逻辑功能中断以及闩锁等。虽然地面高能大气中子辐射通量相对较低，但由于地面应用的民用电子系统所采用的是最先进电子芯片，如纳米级集成电路芯片、大容量存储芯片等。高性能电子芯片发展，尤其是纳米级集成电路的出现，使得电子器件的功耗更低，并导致电子器件对大气中子...
【技术保护点】
1.一种大气中子辐射试验方法，其特征在于，包括以下步骤：/n获取待测电子系统中辐射敏感部件的部件单粒子效应数据，以及所述待测电子系统的局部单粒子效应数据；所述部件单粒子效应数据为在中子束流的当前辐照区域为所述辐射敏感部件时、测量所述辐射敏感部件得到；所述局部单粒子效应数据为所述中子束流的当前辐照区域为所述辐射敏感部件时，测量所述待测电子系统得到；/n获取所述待测电子系统的系统单粒子效应数据；所述系统单粒子效应数据为在所述中子束流的当前辐照区域为所述待测电子系统时、测量所述待测电子系统得到；/n根据所述部件单粒子效应数据、所述局部单粒子效应数据和所述系统单粒子效应数据，得到辐射效应试验结果。/n
【技术特征摘要】
1.一种大气中子辐射试验方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取待测电子系统中辐射敏感部件的部件单粒子效应数据，以及所述待测电子系统的局部单粒子效应数据；所述部件单粒子效应数据为在中子束流的当前辐照区域为所述辐射敏感部件时、测量所述辐射敏感部件得到；所述局部单粒子效应数据为所述中子束流的当前辐照区域为所述辐射敏感部件时，测量所述待测电子系统得到；
获取所述待测电子系统的系统单粒子效应数据；所述系统单粒子效应数据为在所述中子束流的当前辐照区域为所述待测电子系统时、测量所述待测电子系统得到；
根据所述部件单粒子效应数据、所述局部单粒子效应数据和所述系统单粒子效应数据，得到辐射效应试验结果。
2.根据权利要求1所述的大气中子辐射试验方法，其特征在于，根据所述部件单粒子效应数据、所述局部单粒子效应数据和所述系统单粒子效应数据，得到辐射效应试验结果的步骤，包括：
处理所述部件单粒子效应数据，得到所述敏感器件对应的部件平均单粒子效应截面和部件失效率，并根据所述系统单粒子效应数据得到所述待测电子系统的系统平均单粒子效应截面和系统失效率；
将所述部件平均单粒子效应截面、所述部件失效率、所述系统平均单粒子效应截面、所述系统失效率和所述局部单粒子效应数据，确认为所述辐射效应试验结果。
3.根据权利要求2所述的大气中子辐射试验方法，其特征在于，所述部件单粒子效应数据包括所述辐射敏感部件诱生的、单粒子效应的部件发生次数；所述系统单粒子效应数据包括所述待测电子系统诱生的、单粒子效应的系统发生次数；
处理所述部件单粒子效应数据，得到所述敏感器件对应的部件平均单粒子效应截面和部件失效率，并根据所述系统单粒子效应数据得到所述待测电子系统的系统平均单粒子效应截面和系统失效率的步骤，包括：
根据所述部件发生次数得到所述辐射敏感部件发生的单粒子个数，并根据所述系统发生次数得到所述待测电子系统发生的单粒子个数；
获取大气中子平均注量，将所述辐射敏感部件发生的单粒子个数和所述大气中子平均注量的商确认为所述部件平均单粒子效应截面，并将所述待测电子系统发生的单粒子个数和所述大气中子平均注量的商确认为所述系统平均单粒子效应截面。
4.根据权利要求1所述的大气中子辐射试验方法，其特征在于，所述局部单粒子效应数据包括所述待测电子系统发生单粒子效应的单粒子效应种类、单粒子效应性质和单粒子效应阈值；
所述辐射敏感部件为所述待测电子系统中的纳米级集成电路。
5.根据权利要求1至4任一项所述的大气中子辐...
【专利技术属性】
技术研发人员：何玉娟，雷志锋，张战刚，彭超，黄云，李键坷，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：广东;44
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