一种提高单晶硅棒利用率的切割方法技术

本发明专利技术公开了一种提高单晶硅棒利用率的切割方法，在原有切割210mm的开方线网之外，再添加一套向外扩展20mm的切割线网；切割后，将产生210mm边长的方棒和4块厚度为20mm带有圆弧边的单晶板坯，以及4块厚度约25mm的圆拱形单晶边皮；将多个单晶板坯使用水溶胶粘合后，使用金刚线截断机进行裁边，修正为厚度20mm、边长158mm、长度等于圆棒的长方形单晶板坯。本发明专利技术切割方法，可以提高单晶圆棒切割后可利用部分晶体的体积占比，提高单晶硅棒有效利用率，大大节约了生产成本。

A cutting method to improve the utilization of single crystal silicon rod

【技术实现步骤摘要】
一种提高单晶硅棒利用率的切割方法
本专利技术涉及一种提高单晶硅棒利用率的方法，属于光伏级单晶硅生产

技术介绍
随着金刚线切片大规模应用，以及PERC、HIT等高效电池技术的应用，单晶硅片由于其缺陷少、体少子寿命高、品质稳定等优势，逐渐成为光伏电池的主要基体材料。目前应用于光伏电池的单晶硅片由提拉法单晶圆棒经过切方后使用金刚线切割而来。圆棒经过切方产生的边皮料，经过清洗后作为循环料回用，使用于切割硅片的晶体(方棒或准方棒)占比仅有60％-70％，30～40％的单晶材料成为边皮废料。单晶圆棒的拉制需要消耗大量的电能、惰性气体、高纯石墨材料构成的热场、炉台设备等，造成圆棒(或单晶硅片)非硅成本高，占目前单晶硅片成本的25％左右。占比30～40％边皮料不用用于生产硅片，不仅造成生产成本的提升，也提高了单晶硅片的碳足迹消耗，不利于环保。前单晶硅片的主流规格，边长157～166mm，需要单晶圆棒直径200～230mm，边皮直边长度157～166mm，切厚度较薄，不利于切割使用，一般清洗后再次投炉使用。<br>随着电池技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高单晶硅棒利用率的切割方法，应用于将直径300mm单晶圆棒切割成边长210mm方棒，其特征在于：/n在原有切割210mm的开方线网之外，再添加一套向外扩展20mm的切割线网；切割后，将产生210mm边长的方棒和4块厚度为20mm带有圆弧边的单晶板坯，以及4块厚度约25mm的圆拱形单晶边皮；将多个单晶板坯使用水溶胶粘合后，使用金刚线截断机进行裁边，修正为厚度20mm、边长158mm、长度等于圆棒的长方形单晶板坯。/n

【技术特征摘要】
1.一种提高单晶硅棒利用率的切割方法，应用于将直径300mm单晶圆棒切割成边长210mm方棒，其特征在于：
在原有切割210mm的开方线网之外，再添加一套向外扩展20mm的切割线网；切割后，将产生210mm边长的方棒和4块厚度为20mm带有圆弧边的单晶板坯，以及4块厚度约25mm的圆拱形单晶边皮；将多个单晶板坯使用水溶胶粘合后，使用金刚线截断...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志强，王艺澄，周炎，姚亮，
申请(专利权)人：江苏高照新能源发展有限公司，包头美科硅能源有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32