一种天线电路板表面复合用PTFE热熔胶膜制造技术

本实用新型专利技术涉及一种天线电路板表面复合用PTFE热熔胶膜，包括PTFE基膜，PTFE基膜的一面设有活化层，活化层上设有热熔胶层，PTFE热熔胶膜的厚度为0.05毫米至0.25毫米，宽度为250毫米至1000毫米。本实用新型专利技术采用挤出机获得棒坯，车削获得聚四氟乙烯薄膜，生产效率大幅度提高，PTFE热熔胶膜直接铺平在天线电路板表面，避免传统PTFE膜胶带除去防粘纸后，粘贴时起泡、皱褶、分层、脱落等问题，满足天线电路板对聚四氟乙烯基膜的要求。本实用新型专利技术适用于卫星、相控阵雷达天线系统，4G、5G以及下一代通信系统的天线，为提高我国空间大功率射频部件的电子二次倍增效应阈值材料积累研究数据和生产制造经验。

A PTFE hot melt adhesive film for antenna circuit board surface composite

【技术实现步骤摘要】
一种天线电路板表面复合用PTFE热熔胶膜
本技术涉及功能塑料薄膜
，尤其是一种天线电路板表面复合用PTFE热熔胶膜。
技术介绍
当前，以数字化、网络化、智能化转型为主要特征的新工业革命和数字经济浪潮席卷全球，智能制造、工业互联网、自动驾驶、智慧能源、智慧医疗等智能化新模式新业态新设施快速兴起，成为推动生产力和生产方式变革的强大动力。从技术层面看，全球变革的动力仍然来自于新一代信息技术的突破及其与经济社会各个领域的深度融合，5G、物联网、云计算、大数据、人工智能、区块链等技术的不断创新，提供了泛在获取和成本低廉的连接、计算和分析能力，通过信息和技术赋能，不断驱动着各个领域的数字化智能化转型。全球新技术浪潮和国家战略的新要求，为我国信息通信行业带来巨大的发展新机遇，同时也提出了更高的发展新要求。电子设备与空间环境中的高能电子相互作用会产生内带电和微放电等效应，对电子设备的功能造成严重损伤，随着大功率有效载荷应用需求的日益增长，对在空间大功率条件下微波器件发生的特殊现象——电子二次倍增放电问题越来越受到关注。而抑制电子二次倍增放电效应的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种天线电路板表面复合用PTFE热熔胶膜，其特征是：所述PTFE热熔胶膜包括PTFE基膜，PTFE基膜的一面设有活化层，活化层上设有热熔胶层；所述PTFE基膜的厚度为0.05毫米至0.10毫米。/n

【技术特征摘要】
1.一种天线电路板表面复合用PTFE热熔胶膜，其特征是：所述PTFE热熔胶膜包括PTFE基膜，PTFE基膜的一面设有活化层，活化层上设有热熔胶层；所述PTFE基膜的厚度为0.05毫米至0.10毫米。


2.根据权利要求1所述的天线电路板表面复合用PTFE热熔胶膜，其特征是：所述PTFE基膜活化层的厚度为0.2微米至0.35微米。


3.根据权利要求1所述的天线电路板表面复合用PTFE热熔胶膜，其特征是：所述PTFE基膜活化层的水接触角度大于20度小于50度。
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【专利技术属性】
技术研发人员：赵晖，赵文杰，侯金国，
申请(专利权)人：江苏泰氟隆科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32