一种空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器及通信器件制造技术

本实用新型专利技术涉及无线通信射频前端器件技术领域，提供了一种空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器及通信器件，该谐振器包括带空腔的绝缘体硅基片和压电三明治结构；压电三明治结构包括顶电极、压电薄膜层和底电极，顶电极、压电薄膜层和底电极依次堆叠，压电三明治结构置于绝缘体硅基片的空腔中，压电三明治结构与绝缘体硅基片通过键合层形成封闭空腔，空腔内包括多个缓冲支撑结构，缓冲支撑结构用于缓冲并支撑压电三明治结构，缓冲支撑结构包括依次连接的缓冲层、支撑层与连接层。上述薄膜体声波谐振器及通信器件通过在空腔内形成缓冲支撑结构，能够缓冲谐振器键合过程中产生的应力，避免器件产生断裂或损失，有效提高器件的性能与可靠性。

A thin film bulk acoustic resonator and communication device with buffer support structure in the cavity

【技术实现步骤摘要】
一种空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器及通信器件
本技术涉及无线通信射频前端器件
，尤其涉及一种空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器及通信器件。
技术介绍
随着射频集成电路(RFIC)技术的迅速发展，一些以前用于通讯系统中的分立元器件，如低噪声放大器(LNA)和中频滤波器(IF)等，已经可以采用射频集成电路的方式实现；但是另一些元器件，如低相噪的射频振荡器(RFOscillator)和射频前端滤波器(RFFilter)等，却仍然难以采用射频集成电路的方式实现。另一方面，随着MEMS技术的发展，一些采用MEMS技术制备的射频元器件，如射频开关(RFSwitch)、射频电感(RFInductor)和射频谐振器(RFResonator)等，由于其空腔内设置的优良性能而获得广泛的研究和应用。薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，FBAR)是最近几年来研究很热的一种采用MEMS技术实现的射频谐振器。它是制作在硅或砷化镓基片上，主要由金属电极/压电薄膜/金属电极构成的一种器件。在某些特定的频率下，FB本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器包括：带空腔的绝缘体硅基片和设置于所述绝缘体硅基片中的所述空腔中的压电三明治结构，所述压电三明治结构包括顶电极、压电薄膜层和底电极，所述顶电极、压电薄膜层和底电极依次堆叠，所述压电三明治结构与所述绝缘体硅基片通过键合层形成封闭空腔，所述空腔内设置有多个缓冲支撑结构，所述缓冲支撑结构用于缓冲并支撑所述压电三明治结构，所述缓冲支撑结构包括依次连接的缓冲层、支撑层与连接层。/n

【技术特征摘要】
1.一种空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器包括：带空腔的绝缘体硅基片和设置于所述绝缘体硅基片中的所述空腔中的压电三明治结构，所述压电三明治结构包括顶电极、压电薄膜层和底电极，所述顶电极、压电薄膜层和底电极依次堆叠，所述压电三明治结构与所述绝缘体硅基片通过键合层形成封闭空腔，所述空腔内设置有多个缓冲支撑结构，所述缓冲支撑结构用于缓冲并支撑所述压电三明治结构，所述缓冲支撑结构包括依次连接的缓冲层、支撑层与连接层。


2.根据权利要求1所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述缓冲层与所述压电三明治结构中的所述底电极相接触，所述连接层与所述空腔的内侧底面相接触。


3.根据权利要求1所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述缓冲支撑结构的宽度小于所述压电三明治的宽度，所述缓冲支撑结构的高度小于所述压电三明治的高度。


4.根据权利要求3所述的空腔内设置缓冲支撑结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电三明治结构的宽度小...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：浙江赛威通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33