【技术实现步骤摘要】
一种简易次级电子发射系数测量装置
本技术涉及一种简易次级电子发射系数测量装置。
技术介绍
具有一定能量或速度的电子、离子等轰击物体表面,引起电子从被轰击物体表面发射出来的现象,我们称为次级电子发射。从物体表面发射出来的电子称为次级电子,次级电子数目与轰击物体表面原电子数目的比值称为次级电子发射系数。根据不同物体具有的次级电子发射系数不同,次级电子发射现象被广泛的应用于光电倍增管、磁控管、行波管收集极等。光电倍增管的倍增极由于具有较大的次级电子发射系数,在次级电子倍增效应作用下,经10个左右倍增极,光电流可放大到100倍以上。目前光电倍增管被广泛的应用于夜视仪、特种电视等领域。若磁控管阴极具有较大的次级电子发射系数,那么在额定输出功率条件下,能够极大的延长磁控管的使用寿命。目前大功率磁控管被广泛的应用微波炉、工业加热、雷达探测等领域。然而,并不是次级电子发射系数越大就越好,在行波管收集极中,次级电子发射系数越小,越能够降低次级电子倍增带来的热效应,从而保证行波管正常工作。综上所述,次级电子发射系数是一项决定器件性能十分重要的参数,因此有必要对次级电子发射系数进行测量。但是,目前高校及研究所等单位所用次级电子发射系数测量仪器存在价格昂贵,结构复杂,测量一次所耗时间较长等缺点。
技术实现思路
本技术其目的就在于提供一种简易次级电子发射系数测量装置,解决了现有次级电子发射系数测量仪器存在价格昂贵,结构复杂,测量一次所耗时间较长等缺点。为实现上述目的而采取的技术方法是,一种简易次级电子发射系数测量装置, ...
【技术保护点】
1.一种简易次级电子发射系数测量装置,包括置于真空玻璃壳体(14)内的次级电子收集罩(4),其特征在于,所述真空玻璃壳体(14)的上端面上设有超高真空接口(1),超高真空接口(1)的下端设有吸气剂(2),真空玻璃壳体(14)的下端面上均匀设有多根用于连接电源的导电芯柱(9),所述次级电子收集罩(4)外侧壁上设有固定钽皮(5),次级电子收集罩(4)上端面上设有孔洞(13),孔洞(13)上端设有电子发热源(3),孔洞(13)的正下方位于次级电子收集罩(4)内设有样品台(6),样品台(6)下端固定有支撑杆(7),所述电子发热源(3)包括热子(11),热子(11)上端连接有钨丝(10),热子(11)下端设有与孔洞(13)处于同一水平高度位置的Ba-W阴极(12),所述吸气剂(2)、钨丝(10)、热子(11)、固定钽皮(5)、支撑杆(7)均经多根固定钽杆(8)分别与多根导电芯柱(9)连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种简易次级电子发射系数测量装置,包括置于真空玻璃壳体(14)内的次级电子收集罩(4),其特征在于,所述真空玻璃壳体(14)的上端面上设有超高真空接口(1),超高真空接口(1)的下端设有吸气剂(2),真空玻璃壳体(14)的下端面上均匀设有多根用于连接电源的导电芯柱(9),所述次级电子收集罩(4)外侧壁上设有固定钽皮(5),次级电子收集罩(4)上端面上设有孔洞(13),孔洞(13)上端设有电子发热源(3),孔洞(13)的正下方位于次级电子收集罩(4)内设有样品台(6),样品台(6)下端固定有支撑杆(7),所述电子发热源(3)包括热子(11),热子(11)上端连接有钨丝(10),热子(11)下端设有与孔洞(13)处于同一水平高度位置的Ba-W阴极(12),所述吸气剂(2)、钨丝(10)、热子(11)、固定钽皮(5)、支撑杆(7)均经多根固定钽杆(8)分别与多根导电芯柱(9)连接。
2.根据权利要求1所述的一种简易次级电子发射系数测量装置,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:漆世锴,高阳,曾伟,刘理,查兵,
申请(专利权)人:九江学院,
类型:新型
国别省市:江西;36
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