【技术实现步骤摘要】
一种新型双频带高效F类功率放大器
本专利技术属于功率放大器
,尤其涉及一种新型双频带高效F类功率放大器。
技术介绍
目前,随着移动通信系统的进一步发展,具备覆盖多标准、多频带的射频前端会成为未来通信终端的关键构成部分。功率放大器作为射频前端中最关键以及耗能最大的模块,也需要具备在多标准和多频带工作的能力。所以,高效率多频带功率放大器的设计已成为功放研究领域的热点,而高效率双频带功率放大器是其中最基本的一类。F类功率放大器作为高效率功率放大器之一,其谐波控制电路能将信号的偶次谐波阻抗调整为短路状态,使晶体管漏极端电流波形为半正弦波;奇次谐波阻抗调整到开路状态,使晶体管漏极端电压波形为方波;在理想的情况下,漏极电压和电流波形没有重叠,所以理想的F类功率放大器的漏极效率能达到100%。实际设计F类功放时,一般只考虑二次谐波和三次谐波。F类功率放大器的设计与双频带功率放大器的高效率需求相结合,双频带F类功率放大器成为功率放大器设计的一个热门研究领域。但是,目前已有的双频带F类功率放大器没有实现优异的功率附加效率 ...
【技术保护点】
1.一种新型双频带高效F类功率放大器,其特征在于:晶体管输入端由双频带栅极直流偏置电路和双频带输入匹配电路构成;双频带栅极直流偏置电路位于双频带输入匹配电路和晶体管之间;在两个工作频带
【技术特征摘要】
1.一种新型双频带高效F类功率放大器,其特征在于:晶体管输入端由双频带栅极直流偏置电路和双频带输入匹配电路构成;双频带栅极直流偏置电路位于双频带输入匹配电路和晶体管之间;在两个工作频带f1和f2处,双频带栅极直流偏置电路提供基波开路和直流短路的条件,双频带输入匹配电路提供晶体管最佳源阻抗与50Ω匹配的功能;晶体管输出端由新型谐波控制电路、低频带谐波调节电路、低频带谐波控制电路、双频带漏极直流偏置电路和双频带输出匹配电路构成;所述新型谐波控制电路位于晶体管和低频带谐波调节电路之间;所述低频带谐波控制电路位于低频带谐波调节电路和双频带漏极直流电路之间;所述双频带漏极直流偏置电路位于低频带谐波控制电路和双频带输出匹配电路之间。
2.根据权利要求1所述一种新型双频带高效F类功率放大器,其特征在于:所述新型谐波控制电路由一段串联的传输线T9,两段并联的终端开路传输线T10、T11构成,其中传输线T10接在传输线T9上;在高频带f2处,该电路结合晶体管寄生参数,提供在晶体管本征漏极端的F类阻抗条件。
3.根据权利要求2所述一种新型双频带高效F类功率放大器,其特征在于:新型谐波控制电路工作方式如下所述:两段并联的终端开路传输线T10、T11分别在C点和D点,提供高频带f2的二次谐波...
【专利技术属性】
技术研发人员:马建国,邹浩,周绍华,张蕾,赵升,杨自凯,杨闯,李旭光,李昭,张明哲,
申请(专利权)人:天津大学青岛海洋技术研究院,
类型:发明
国别省市:山东;37
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