【技术实现步骤摘要】
发光装置以及投影仪
本专利技术涉及一种发光装置以及投影仪。
技术介绍
半导体激光器有望成为高亮度的下一代光源。特别是，期待具有被称为纳米柱(Nanocolumn)、纳米线、纳米棒、纳米柱状物(Nanopillar)等的纳米结构的半导体激光器能够实现如下发光装置：该发光装置能够利用光子晶体的效应来获得窄辐射角且高输出的发光。例如，在专利文献1中记载了一种具有棱锥状的末端的纳米线。棱锥状的末端由作为小平面的p面构成。纳米线例如由含有氮化镓的材料构成，在纳米线上形成有由氮化铟镓构成的发光区域。此外，在发光区域上形成有半导体层，该半导体层是含有氮化镓的材料，且导电类型与纳米线不同。专利文献1：日本特表2016-527706号公报在柱状部的末端由棱锥状的小平面构成的情况下，在纳米线上形成发光区域时，在棱锥的顶点部分凝聚形成发光区域即氮化铟镓。当发光区域凝聚时，在与含有氮化镓的半导体层之间产生由于晶格失配引起的变形，形成晶体缺陷。这样的晶体缺陷成为电流泄漏的原因，使发光装置的发光效率降低。专利技术...
【技术保护点】
1.一种发光装置，其中，该发光装置具有：/n基体；以及/n层叠体，其设于所述基体，具有多个柱状部，/n所述柱状部具有：/n第1半导体层；/n第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及/n发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，/n所述第1半导体层具有小平面、c面和m面，/n所述发光层具有：/n小平面区域，其设于所述小平面；以及/nc面区域，其设于所述c面，/n所述发光层不具有设于所述m面的区域，/n在从所述层叠体的层叠方向观察的俯视观察下，所述c面区域大于所述小平面区域。/n
【技术特征摘要】
20180928 JP 2018-1852521.一种发光装置，其中，该发光装置具有：
基体；以及
层叠体，其设于所述基体，具有多个柱状部，
所述柱状部具有：
第1半导体层；
第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及
发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，
所述第1半导体层具有小平面、c面和m面，
所述发光层具有：
小平面区域，其设于所述小平面；以及
c面区域，其设于所述c...
【专利技术属性】
技术研发人员：野田贵史，岸野克巳，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，学校法人上智学院，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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