阵列基板及其断线修复方法技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及其断线修复方法，通过将断线点两侧的扫描线至少与断线点所在像素单元的公共电极线连接，并至少断开断线点所在像素单元的公共电极线与其他像素单元的公共电极线的连接，能够保障扫描线功能得到恢复，使得整体修补长线对公共电极线影响减少到最小；修补长线走线范围大大减少，能够减少修补长线耗材的使用以及减小修补过程中钨粉溅射到像素内其他区域的概率；修补长线与像素重叠部分也大为减少，从而对像素电压影响降低到最小，能有效改善U形修补长线区域造成的亮点问题。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其断线修复方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其断线修复方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位，由于显示面板需求等级越来越高，因此对产品的技术要求越来越严苛。在实际制程生产过程中，阵列基板上的线路由于受到制程异物或其他脏污的影响，容易导致扫描线断开或与公共电极线之间发生短路，在扫描线发生线路断路时，需要对断开点位进行长线修复，以避免线路功能失效从而导致产品的报废；现有技术中对扫描线进行断线修复的方法是将修补长线跨到像素内部，修补长线呈U形，容易造成位于长线区域附近的TFT受到污染；且U形的修补长线跨到像素内部时，也会对像素内电压造成影响，导致液晶显示器进行显示时，U型长线区域形成亮点的现象。综上所述，需要提供一种新的阵列基板及其断线修复方法来解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术提供的阵列基板及其断线修复方法，解决了现有的阵列基板断线修复方法，对扫描线进行断线修复时，U形的修补长线跨到像素内部时，容易导致U型修补长线区域形成亮点的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种阵列基板的断线修复方法，当所述阵列基板的扫描线出现断线时，所述断线修复方法包括以下步骤：S10：确定所述扫描线的断线点；r>S20：将所述断线点两侧的所述扫描线至少与所述断线点所在像素单元对应的公共电极线连接；以及S30：至少断开所述断线点所在像素单元的所述公共电极线与其他像素单元的所述公共电极线的连接。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的断线修复方法，所述断线点的一部分对应于第一像素单元，另一部分对应于与所述第一像素单元相邻的第二像素单元，或者所述断线点对应于所述第一像素单元和所述第二像素单元之间；将所述断线点一侧的所述扫描线与所述第一像素单元的所述公共电极线连接，将所述断线点另一侧的所述扫描线与所述第二像素单元的所述公共电极线连接。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的断线修复方法，断开所述第一像素单元的所述公共电极线和所述第二像素单元的所述公共电极线与其他像素单元的所述公共电极线的连接。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的断线修复方法，所述断线点对应于所述第一像素单元，将所述断线点两侧的所述扫描线与所述第一像素单元的所述公共电极线连接。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的断线修复方法，断开所述第一像素单元的所述公共电极线与所述第二像素单元的所述公共电极线的连接。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的断线修复方法，所述公共电极线包括与所述扫描线平行设置的第一公共电极线和与所述扫描线垂直设置的第二公共电极线，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线相互连接围成矩形区域，所述像素单元位于所述矩形区域内，在所述步骤S20中，将所述断线点两侧的所述扫描线至少与所述断线点所在像素单元的所述第一公共电极线连接。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的断线修复方法，所述步骤S20中，采用镭射激光方法，以使钨粉熔化形成连接线以连接所述断线点两侧的所述扫描线和至少与所述断线点所在像素单元的公共电极线。根据本专利技术实施例提供的阵列基板的断线修复方法，所述步骤S30中，采用激光切割的方法，以至少断开所述断线点所在像素单元的所述公共电极线与其他像素单元的所述公共电极线的连接。本专利技术实施例提供一种阵列基板，采用上述阵列基板的断线修复方法进行修复，所述阵列基板包括：衬底基板；多条交叉设置的扫描线和数据线，设置于所述衬底基板上；薄膜晶体管，设置于所述扫描线和所述数据线交叉处；像素单元，设置于由所述扫描线和所述数据线交叉限定的像素区域，所述像素单元包括位于所述像素区域的像素电极；以及公共电极线，与所述扫描线同层设置。根据本专利技术实施例提供的阵列基板，所述公共电极线包括与所述扫描线平行设置的第一公共电极线和与所述扫描线垂直设置的第二公共电极线，所述第一公共电极线和所述第二公共电极线相互连接围成矩形区域，所述像素单元位于所述矩形区域内。本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的阵列基板及其断线修复方法，通过将断线点两侧的扫描线至少与断线点所在像素单元的公共电极线连接，并至少断开断线点所在像素单元的公共电极线与其他像素单元的公共电极线的连接，能够保障扫描线功能得到恢复，使得整体修补长线对公共电极线影响减少到最小；修补长线走线范围大大减少，能够减少修补长线耗材的使用以及减小修补过程中钨粉溅射到像素内其他区域的概率；修补长线与像素重叠部分也大为减少，从而对像素电压影响降低到最小，能有效改善U形修补长线区域造成的亮点问题。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的平面结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的断线修复方法的流程图；图3为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的断线修复方法的示意图；图4为本专利技术实施例提供的再一种阵列基板的断线修复方法的示意图；图5为本专利技术实施例提供的又一种阵列基板的断线修复方法的示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。本专利技术针对现有技术的阵列基板及其断线修复方法，对扫描线进行断线修复时，U形的修补长线跨到像素内部时，容易导致U型修补长线区域形成亮点，本实施例能够解决该缺陷。如图1所示，本专利技术实施例提供的阵列基板，包括衬底基板(图中未示出)以及设置于所述衬底基板上的多条扫描线10和多条数据线20，所述扫描线10和所述数据线20交叉设置；由所述扫描线10和所述数据线20交叉限定的像素区域设置有多个像素单元30，所述像素单元30包括位于所述像素区域的像素电极；在所述扫描线10和所述数据线20交叉处均设置有一个薄膜晶体管40，所述扫描线10为所述薄膜晶体管40提供扫描信号，所述数据线20为所述薄膜晶体管40提供数据信号，所述薄膜晶体管40包括栅极41、源极42以及漏极43，其中，所述栅极41连接所述扫描线10，所述源极42连接所述数据线20，所述漏极43连接所述像素电极；所述阵列基板还包括与所述扫描线10同层设置的公共电极线50，均位于第一金属层，所述数据线20和所述像素电极位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的断线修复方法，其特征在于，当所述阵列基板的扫描线出现断线时，所述断线修复方法包括以下步骤：/nS10：确定所述扫描线的断线点；/nS20：将所述断线点两侧的所述扫描线至少与所述断线点所在像素单元对应的公共电极线连接；以及/nS30：至少断开所述断线点所在像素单元的所述公共电极线与其他像素单元的所述公共电极线的连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的断线修复方法，其特征在于，当所述阵列基板的扫描线出现断线时，所述断线修复方法包括以下步骤：
S10：确定所述扫描线的断线点；
S20：将所述断线点两侧的所述扫描线至少与所述断线点所在像素单元对应的公共电极线连接；以及
S30：至少断开所述断线点所在像素单元的所述公共电极线与其他像素单元的所述公共电极线的连接。


2.根据权利要求1所述的阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述断线点的一部分对应于第一像素单元，另一部分对应于与所述第一像素单元相邻的第二像素单元，或者所述断线点对应于所述第一像素单元和所述第二像素单元之间；将所述断线点一侧的所述扫描线与所述第一像素单元的所述公共电极线连接，将所述断线点另一侧的所述扫描线与所述第二像素单元的所述公共电极线连接。


3.根据权利要求2所述的阵列基板的断线修复方法，其特征在于，断开所述第一像素单元的所述公共电极线和所述第二像素单元的所述公共电极线与其他像素单元的所述公共电极线的连接。


4.根据权利要求1所述的阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述断线点对应于所述第一像素单元，将所述断线点两侧的所述扫描线与所述第一像素单元的所述公共电极线连接。


5.根据权利要求4所述的阵列基板的断线修复方法，其特征在于，断开所述第一像素单元的所述公共电极线与所述第二像素单元的所述公共电极线的连接。


6.根据权利要求1所述的阵列基板的断线修复方法，其特征在于，所述公共电极线包括与所述扫描...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜东辉，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44