真空配管阱装置、真空配管阱系统以及配管清理方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及的真空配管阱装置、真空配管阱系统以及配管清理方法能够防止粉尘爆炸，同时高效地捕集氧化硅粉尘，并降低清理作业所需要的精力或时间。真空配管阱系统(9)具备：上框体(21)；下框体(22)，其与该上框体(21)能够分离地连结，收纳捕集由于单晶生长而产生的粉尘的捕集筒(29)；以及旋转过滤器(70)，其收纳在所述捕集筒(29)内，其中，通过圆筒(66)和条状的多个阻燃性叶片过滤器(BF)来构成该旋转过滤器(70)，圆筒(66)枢设在捕集筒(29)的底部，条状的多个阻燃性叶片过滤器(BF)被配设成从该圆筒(66)的周面沿着径向延伸。

Vacuum tubing well device, vacuum tubing well system and tubing cleaning method

【技术实现步骤摘要】
真空配管阱装置、真空配管阱系统以及配管清理方法
本专利技术涉及真空配管阱(trap)装置、真空配管阱系统以及配管清理方法，更具体地，涉及对单晶硅生长时产生的氧化硅(SiO)粉尘进行捕集并回收的真空配管阱装置、包括该装置的真空配管阱系统、以及利用了该真空配管阱装置的配管清理方法。
技术介绍
作为半导体制品基板的单晶硅生长方法，广泛使用切克劳斯基(Czochralski)法(以下，仅称为“CZ法”)。在利用了该CZ法的单晶生长装置中，为了保持进行单晶硅(硅锭)提拉的真空炉内的真空状态(减压状态)，而使得真空炉由真空泵和配管连结(以下，将连结真空炉和真空泵的配管称为“真空配管”)。在单晶生长工序中，真空炉内会生成氧化硅，因此会存在当直接连结真空炉和真空泵时，氧化硅(SiO)粉尘侵入真空泵而引起真空泵损坏之类的问题。在此，真空配管中，需要用于高效地捕集氧化硅(SiO)粉尘的阱(以下，称为“真空配管阱”)。作为真空配管阱，一般地，广泛采用设置多个与流路正交的叶片(干扰板)的形式的阱。从而，这种真空阱不限于使用于单晶硅生长装置，还使用于与其它半导体制造有关的装置，到目前为止，提出了各种阱装置。例如，专利文献1以及专利文献2中公开了一种阱，安装有在壳体内形成排气气体的流路来回收凝缩气体的单个或多个凝缩板，从在壳体中设置的气体导入口开始到气体导出口之间的所述流路阻力有渐增的趋势。根据该阱，凝缩气体在阱内被均匀凝缩，粘接物在阱内不偏倚地形成。并且，因为气体导出口附近流路阻力较大，所以抑制了凝缩气体的穿过。>另外，专利文献3中公开了一种阱装置，由在内部具有与排气路径连接的气体路径的容器构成，所述流路由多个环状的第1流路和连接各个所述第1路径之间的第2流路构成，在预定位置改变所述第1流路的流路截面积。根据该阱装置，因为根据流路位置来控制气体流速，所以在流速比较小的地方促进了固形物的蓄积，但另一方面，在流速比较大的地方避免了固形物的蓄积。因此，能够在流路中的预定位置蓄积固形物，并且能够在不想降低流路引导性(conductance)之处不蓄积固形物。然而，在现有的阱系统中，氧化硅粉尘的捕集和回收的效率未必就充分。另外，在具有多个叶片的阱系统中，在清理方面存在需要花费精力或时间这样的问题。进一步地，为了清理氧化硅(SiO)堆积的阱系统，若开放大气根据开放时的环境或条件的不同，有时会引发粉尘爆炸，另一方面，在现有的阱系统中，存在实施过其对策的系统较少、清理作业伴随着粉尘爆炸危险之类的问题。【专利文献1】日本特开平9-42593号公报【专利文献2】日本特开平9-72493号公报【专利文献3】日本特开2009-190035号公报【专利文献4】国际公开第2013/011582号小册子
技术实现思路
在此，本专利技术的目的在于，提供一种单晶硅生长装置的真空配管阱装置和利用了该装置的配管清理方法以及包括上述配管阱装置的真空配管阱系统，能够防止氧化硅(SiO)的粉尘爆炸，同时高效地捕集氧化硅粉尘，并且清理安全，并且能够降低清理作业所要的精力或时间。根据本专利技术的第1方式，提供一种真空配管阱装置，在单晶生长装置的真空炉与真空泵之间经由真空配管连接，捕集并回收由于单晶生长而产生的粉尘，所述真空配管阱装置具备：上框体以及下框体，其通过连结部连结成能够相互分离；有底的捕集筒，其收纳在所述下框体；以及过滤器，其收纳在所述捕集筒内，在所述上框体上，设有能够吸入来自所述真空炉的气体的进气口，在所述下框体上，设有能够从所述捕集筒排出气体的排气口，在所述上框体以及下框体的壁面上，设有液体的送入口以及排出口，所述过滤器具有条状的多个阻燃性叶片过滤器，所述条状的多个阻燃性叶片过滤器分别配设成从轴支撑在所述捕集筒的底部的圆筒周面沿着该圆筒的各径向延伸。根据本专利技术的第2方式，提供一种利用了上述真空配管阱系统的配管清理方法，所述配管清理方法具备：将上述本专利技术所涉及的真空配管阱装置安装在从单晶生长装置的真空炉向真空泵延伸的真空配管，在对所述真空配管进行清理之前，从所述送入口注入清洗水，在所述真空配管以及所述真空配管阱装置内对附着在所述捕集筒内的氧化硅(SiO)进行水洗，从所述进气口向所述排气口流过热风来干燥所述所述真空配管以及捕集筒干燥之后，进行所述真空配管的开放作业。另外，根据本专利技术的第3方式，提供一种利用了上述真空配管阱系统的配管清理方法，所述配管清理方法具备：将上述本专利技术所涉及的真空配管阱装置安装在从单晶生长装置的真空炉向真空泵延伸的阻燃性的真空配管，在对所述真空配管进行清理之前，使温度低于内部部件燃烧温度的气体从所述进气口流向所述排气口，由此来氧化所述捕集筒内的氧化硅，形成二氧化硅(SiO2)，从所述送入口注入高压水，使所述捕集筒内的二氧化硅(SiO2)从所述排出口排出。进一步地，根据本专利技术的第4方式，提供一种真空配管阱系统，其具备：上述本专利技术所涉及的真空配管阱装置；以及配管，其连接该真空配管装置和单晶生长炉，所述配管包括第1配管和多个第2配管，所述第1配管一端与所述真空炉连接，所述多个第2配管经由对应的多个弯曲部来连接所述第1配管的另一端和所述真空配管阱装置。根据本专利技术，提供了一种能够防止氧化硅的粉尘爆炸并能够高效地捕集粉尘的真空配管阱装置、能够简易且安全地清理真空配管的配管清理方法、以及包括发挥上述效果的配管阱装置的真空配管阱系统。附图说明图1是利用真空炉与真空泵之间的关系来表示本专利技术第1实施方式的真空配管阱系统的设置状态的概略图的一例。图2是用于表示图1所示的真空配管阱系统的具体结构的、剖开捕集部的主视图的一例。图3是表示去除了上框体的捕集部的俯视图的一例。图4是被安装在图1所示的真空配管阱系统的上框体和下框体的连结部的夹具的俯视图的一例。图5是表示图1所示的真空配管阱系统的一个变形例的图的一例。图6是表示本专利技术第2实施方式的真空配管阱系统的具体结构的一部分剖开的主视图的一例。图7是表示图6所示的真空配管阱系统的一个变形例的图的一例。图8是表示图1所示的真空配管阱系统的变形例，表示包含装卸容易的清除托盘(有底筒部)的例示的概略图的一例。附图标记说明1真空炉；2真空泵；3真空配管；4基座(台基)；5架台；9、10、79、80真空配管阱系统；11加热部；12捕集部；13波纹管；14加热器；15蝶形阀；20捕集框体；21上框体；22下框体；23、43对中件(centering)；24异径管(reducer)；26、28液体排出口；27液体送入口；29、129捕集筒；32排气口；41筒部；42有底筒部；50夹具；51环状体；52连接用插通棒；53切开部；54棒材；55筒材；65过滤器顶盖；59、109真空配管阱装置；70旋转过滤器；152清除托盘(有底筒部)；BF叶片过滤器。具体实施方式以下，对于本专利技术的几个实施方式，参照附图进行说明。在附图中对同一个要素和部件标注同一个参照附本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空配管阱装置，在单晶生长装置的真空炉与真空泵之间经由真空配管连接，捕集并回收由于单晶生长而产生的粉尘，其特征在于，具备：/n上框体以及下框体，其通过连结部连结成能够相互分离；/n有底的捕集筒，其收纳在所述下框体；以及/n过滤器，其收纳在所述捕集筒内，/n在所述上框体上，设有能够吸入来自所述真空炉的气体的进气口，/n在所述下框体上，设有用于从所述捕集筒排出气体的排气口，/n在所述上框体以及下框体上，设有液体的送入口以及排出口，/n所述过滤器具有条状的多个阻燃性叶片过滤器，所述条状的多个阻燃性叶片过滤器分别配设成从轴支撑在所述捕集筒的底部的圆筒周面沿着该圆筒的各径向延伸。/n

【技术特征摘要】
20181001 JP 2018-1868691.一种真空配管阱装置，在单晶生长装置的真空炉与真空泵之间经由真空配管连接，捕集并回收由于单晶生长而产生的粉尘，其特征在于，具备：
上框体以及下框体，其通过连结部连结成能够相互分离；
有底的捕集筒，其收纳在所述下框体；以及
过滤器，其收纳在所述捕集筒内，
在所述上框体上，设有能够吸入来自所述真空炉的气体的进气口，
在所述下框体上，设有用于从所述捕集筒排出气体的排气口，
在所述上框体以及下框体上，设有液体的送入口以及排出口，
所述过滤器具有条状的多个阻燃性叶片过滤器，所述条状的多个阻燃性叶片过滤器分别配设成从轴支撑在所述捕集筒的底部的圆筒周面沿着该圆筒的各径向延伸。


2.根据权利要求1所述的真空配管阱装置，其特征在于，
所述过滤器包括在所述捕集筒内能够旋转地收纳的旋转过滤器，所述圆筒被旋转轴轴支撑，所述旋转轴被枢设在所述捕集筒的底部。


3.根据权利要求1或2所述的真空配管阱装置，其特征在于，
配置在所述真空炉的正下方。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的真空配管阱装置，其特征在于，
所述连结部由对置的凸缘构成，利用夹具来手动地自由接合分离，所述夹具在一处被切开的环状体的内周面设有与所述凸缘的边沿相接的槽部，将在所述环状体的切开部对置的所述环状体的一个端部处固定的棒材的自由端侧，插通到在所述环状体的另一个端部处设置的插通部，使嵌入所述棒材的自由端的筒材沿着所述棒材的轴线方向进退，改变所述环状体的切开部的间隔，由此调整所述环状体的直径。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的真空配管阱装置，其特征在于，
所述下框体能够从与所述上框体连结的连结部开始在底面侧沿着流动方向分离。


6.根据权利要求5所述的真空配管阱装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：堀冈佑吉，初春，
申请(专利权)人：河南一轮电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41