一种高比表面积、高导电性碳纳米管材料及其制备方法技术

一种高比表面积、高导电性碳纳米管材料及其制备方法。本发明专利技术属于碳纳米材料制备技术领域。本发明专利技术解决了现有碳纳米管材料导电性不高和比表面积较小的技术问题。本发明专利技术的碳纳米管材料是以碳纳米管为基底生长的碳纳米管材料。方法：一、将含碳纳米管的分散液涂布在基体上，然后烘干；二、将步骤一后的基体进行真空溅射镀膜；三、通入惰性气体，在温度为400～1000℃的条件下保温，然后在温度为550～1000℃的条件下，通入碳原子气体与惰性气体的混合气体，并保温，得到高比表面积、高导电性碳纳米管材料。本发明专利技术的碳纳米管，纯度可达98％以上，比表面积高达100m

A kind of carbon nanotube material with high specific surface area and high conductivity and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种高比表面积、高导电性碳纳米管材料及其制备方法
本专利技术属于碳纳米材料制备
，具体涉及一种高比表面积、高导电性碳纳米管材料及其制备方法。
技术介绍
碳纳米管形状为一维的圆柱形中空结构，也可以理解为是石墨片层结构卷曲而成。其直径为几个至数百纳米左右，长度一般在微米级，为直径数倍，由此碳纳米管具有较大的长径比。从制备方面说，碳纳米管的制备方法包括电弧放电、激光蒸发、气相化学沉积等方法。目前碳纳米管厂家主要采用气相化学沉积(CVD法)法，即先制备含铁、钴或镍等过渡金属元素为活性物质的催化剂，然后将催化剂放入管式炉中，在高温下通入含碳原子气体，即可在催化剂表面生长出碳纳米管粉体。从性能来看，碳纳米管具有良好的导热、导电及力学强度，其可用于复合材料、添加剂等，增强材料的强度、导电性等。高比表面积及高导电性碳纳米管在使用过程中具有明显的优势，例如用于锂电池，可以提高电池的倍率、循环等性能，也可用于复合导电材料、储氢材料等领域。通过CVD法制备高比表面积及高导电性碳纳米管目前主要有两种途径，一是通过调控催化剂的制备，生长出管径尽量小本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高比表面积、高导电性碳纳米管材料，其特征在于，该高比表面积、高导电性碳纳米管是以碳纳米管为基底生长的碳纳米管材料，其管径为5nm～200nm、比表面积为100m

【技术特征摘要】
1.一种高比表面积、高导电性碳纳米管材料，其特征在于，该高比表面积、高导电性碳纳米管是以碳纳米管为基底生长的碳纳米管材料，其管径为5nm～200nm、比表面积为100m2/g～500m2/g、含碳量为98％以上；外观呈黑色粉体。


2.如权利要求1所述的一种高比表面积、高导电性碳纳米管材料的制备方法，其特征在于，该制备方法按以下步骤进行：
一、将含碳纳米管的分散液涂布在基体上，涂布厚度为0.05mm～0.5mm，然后在温度为100～200℃烘干；
二、将步骤一后的基体进行真空溅射镀膜，溅射镀膜参数为：电流为0.2A～20A，真空度为10-4Pa～10Pa，起辉后真空溅射镀膜10s～300s；
三、将步骤二后的基体放入管式炉中，通入惰性气体，在温度为400～1000℃的条件下，保温5min～60min，然后在温度为550～1000℃的条件下，通入碳原子气体与惰性气体的混合气体，并在此条件下保温20min～120min，得到高比表面积、高导电性碳纳米管材料。


3.根据权利要求2所述的一种高比表面积、高导电性碳纳米管材料的制备方法，其特征在于，步骤一中所述的分散液中碳纳米管的质量分数为5％～20％。

【专利技术属性】
技术研发人员：何斌，时浩，刘强，李朋，张超，
申请(专利权)人：哈尔滨金纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：黑龙;23