图像传感器制造技术

本实用新型专利技术题为“图像传感器”。本实用新型专利技术的至少一个方面的目的在于提供一种图像传感器。本实用新型专利技术公开了图像传感器，该图像传感器的实施方式可以包括：钝化层，该钝化层耦接在硅层上方；滤色器阵列，该滤色器阵列耦接在钝化层上方；透镜，该透镜耦接在滤色器阵列上方；和至少两个光学透射电荷耗散层，该至少两个光学透射电荷耗散层耦接在硅层上方。本实用新型专利技术的至少一个方面的技术效果在于提供了一种图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器相关申请的交叉引用本文件要求授予Mauritzson的名称为“具有电荷耗散层的半导体传感器及相关方法(SemiconductorSensorswithChargeDissipationLayerandRelatedMethods)”的美国临时专利申请62/717658的提交日期的权益，该申请提交于2018年8月10日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
本文件的各方面整体涉及半导体传感器。更具体的实施方式涉及图像传感器。
技术介绍
半导体传感器用于各种电子设备，诸如车辆、智能电话、平板计算机和其他设备。图像传感器是一种类型的半导体传感器。图像传感器将照射像素的光转换为电信号。电信号可以使用数字信号处理器进行处理，并且可以用来制作图像。
技术实现思路
本技术的至少一个方面的目的在于提供一种图像传感器。图像传感器的实施方式可以包括：钝化层，该钝化层耦接在硅层上方；滤色器阵列，该滤色器阵列耦接在钝化层上方；透镜，该透镜耦接在滤色器阵列上方；和至少两个光学透射电荷耗散层，该至少两个光学透射电荷耗散层耦接在硅层上方。图像传感器的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任何一者：至少两个光学透射电荷耗散层中的一个光学透射电荷耗散层可以耦接在透镜与滤色器阵列之间。至少两个光学透射电荷耗散层中的一个光学透射电荷耗散层可以耦接在钝化层与滤色器阵列之间。至少两个光学透射电荷耗散层可以包括第一光学透射电荷耗散层和第二光学透射电荷耗散层，该第一光学透射电荷耗散层耦接到滤色器阵列的第一侧，该第二光学透射电荷耗散层耦接到与滤色器阵列的第一侧相对的滤色器阵列的第二侧。至少两个光学透射电荷耗散层中的每个光学透射电荷耗散层可以包括小于0.5微米的厚度。至少两个光学透射电荷耗散层中的至少一个光学透射电荷耗散层可以包括导电有机材料。至少两个光学透射电荷耗散层可以包括金属碳纳米管或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)：聚(苯乙烯磺酸)中的一者。图像传感器的实施方式可以包括：抗反射层，该抗反射层耦接在硅层上方；钝化层，该钝化层耦接在抗反射涂层上方；滤色器阵列，该滤色器阵列耦接在钝化层上方；透镜，该透镜耦接在滤色器阵列上方；和一个或多个光学透射电荷耗散层，该一个或多个光学透射电荷耗散层耦接在钝化层与透镜之间。图像传感器的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任何一者：一个或多个光学透射电荷耗散层可以耦接到地。一个或多个光学透射电荷耗散层可以是电浮置的。一个或多个光学透射电荷耗散层可以包括与每个像素的周边对准的导电栅格或与滤色器阵列的多个滤波器中的每个滤波器的周边对准的导电栅格。该图像传感器可以包括在无隙芯片级封装件中。一个或多个光学透射电荷耗散层可以位于钝化层与滤色器阵列之间。一个或多个光学透射电荷耗散层可以包括小于100埃的厚度。图像传感器的实施方式可以包括：钝化层，该钝化层耦接在硅层上方；光学透射电荷耗散层，该光学透射电荷耗散层耦接在钝化层与硅层之间；滤色器阵列，该滤色器阵列耦接在钝化层上方；和透镜，该透镜耦接在滤色器阵列上方。图像传感器的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任何一者：一个或多个光学透射电荷耗散层可以包括导电栅格。一个或多个光学透射电荷耗散层可以包括小于100埃的厚度。一个或多个光学透射电荷耗散层可以接地。一个或多个光学透射电荷耗散层可以是电浮置的。图像传感器封装件可以包括第二钝化层。光学透射电荷耗散层可以耦接在钝化层与第二钝化层之间。本技术的至少一个方面的技术效果在于提供了一种图像传感器。对于本领域的普通技术人员而言，通过说明书和附图并且通过权利要求书，上述以及其他方面、特征和优点将会显而易见。附图说明将在下文中结合附图来描述实施方式，在附图中类似标号表示类似元件，并且：图1是图像传感器的第一实施方式的一部分的横截面侧视图；图2是在图1的图像传感器上方的盖的横截面侧视图；图3是无隙图像传感器封装件的一部分的横截面侧视图；图4是导电栅格的顶视图；图5是图4的导电栅格的横截面侧视图；图6是图像传感器的第二实施方式的接合焊盘部分的横截面侧视图；图7是图6的图像传感器的像素阵列部分的横截面侧视图；图8是图像传感器的第三实施方式的接合焊盘部分的横截面侧视图；图9是图8的图像传感器的像素阵列部分的横截面侧视图；图10是图像传感器的第四实施方式的接合焊盘部分的横截面侧视图；并且图11是图10的图像传感器的像素阵列部分的横截面侧视图。具体实施方式本公开、其各方面以及实施方式并不限于本文公开的具体部件、组装工序或方法元素。符合预期半导体传感器的本领域已知的许多附加部件、组装工序和/或方法要素将显而易见地与本公开的特定实施方式一起使用。因此，例如，尽管本技术公开了特定实施方式，但是此类实施方式和实施部件可以包括符合预期操作和方法的本领域已知用于此类半导体传感器以及实施部件和方法的任何形状、尺寸、样式、类型、模型、版本、量度、浓度、材料、数量、方法要素、步骤等。本文公开的图像传感器和图像传感器封装件的电荷耗散层的实施方式可以应用于背照式(BSI)成像产品或前照式(FSI)成像产品。特定实施方式可以包括互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器产品、电荷耦合器件(CCD)图像传感器产品或其他图像传感器(或非图像传感器)产品。本文公开的传感器封装件可以是芯片级封装件。虽然本公开主要涉及图像传感器和图像传感器封装件，但是应当理解，本文公开的各种实施方式也可以类似地应用于非图像传感器半导体封装件，以便防止通过静电放电(ESD)引起的损坏。参考图1，示出了图像传感器的第一实施方式的一部分的横截面侧视图。如图所示，图像传感器2可以包括硅层4。虽然本文提及硅层，但是应当理解，本文公开的任何实施方式中的硅层可以是任何类型的硅层，包括但不限于外延硅层、绝缘体上硅、它们的任何组合、或任何其他含硅层材料。此外，还应当理解，在其他实施方式中，可以使用除含硅层之外的另选层，作为非限制性示例，诸如砷化镓、碳化硅、蓝宝石、氮化铝或代替硅层的含金属层。在各种实施方式中，硅层4的厚度可以介于2.5μm至6μm之间，然而，在其他实施方式中，硅层或另选层可以比该范围厚或薄。图像传感器2可以包括耦接在硅层4上方的钝化层6。作为非限制性示例，钝化层可以是氧化硅、氮化硅或任何其他钝化层材料类型。在各种实施方式中，并且如图所示，钝化层6可以直接地耦接到硅层4。在其他实施方式中，一个或多个层(包括本文公开的任何类型的层)可以将硅层4与钝化层6分离。在其他实施方式中，尽管未示出，但是抗反射涂层(ARC)可以耦接在钝化层6上方，而在另外的其他实施方式中，ARC层可以耦接在钝化层6下方。图像传感器2可以包括耦接在钝化层6上方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：/n钝化层，所述钝化层耦接在硅层上方；/n滤色器阵列，所述滤色器阵列耦接在所述钝化层上方；/n透镜，所述透镜耦接在所述滤色器阵列上方；和/n至少两个光学透射电荷耗散层，所述至少两个光学透射电荷耗散层耦接在所述硅层上方。/n

【技术特征摘要】
20180810 US 62/717,658;20190627 US 16/455,0461.一种图像传感器，其特征在于，包括：
钝化层，所述钝化层耦接在硅层上方；
滤色器阵列，所述滤色器阵列耦接在所述钝化层上方；
透镜，所述透镜耦接在所述滤色器阵列上方；和
至少两个光学透射电荷耗散层，所述至少两个光学透射电荷耗散层耦接在所述硅层上方。


2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述至少两个光学透射电荷耗散层中的一个光学透射电荷耗散层耦接在所述透镜和所述滤色器阵列之间。


3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述至少两个光学透射电荷耗散层中的一个光学透射电荷耗散层耦接在所述钝化层和所述滤色器阵列之间。


4.一种图像传感器，其特征在于，包括：
抗反射涂层，所述抗反射涂层耦接在硅层上方；
钝化层，所述钝化层耦接在所述抗反射涂层上方；
滤色器阵列，所述滤色器阵列耦接在所述钝化层上方；
透镜，所述透镜耦接在所述滤色器阵列上方；和
一个或多个光学透射电荷耗散层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·莫里兹森，B·P·班纳彻沃兹，J·达雷伊，B·A·瓦尔特斯塔，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US