图像传感器制造技术

本实用新型专利技术题为“图像传感器”。本实用新型专利技术的至少一个方面的目的在于提供一种图像传感器。本实用新型专利技术公开了图像传感器，该图像传感器的实施方式可以包括：钝化层，该钝化层耦接在硅层上方；滤色器阵列，该滤色器阵列耦接在钝化层上方；透镜，该透镜耦接在滤色器阵列上方；和至少两个光学透射电荷耗散层，该至少两个光学透射电荷耗散层耦接在硅层上方。本实用新型专利技术的至少一个方面的技术效果在于提供了一种图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器相关申请的交叉引用本文件要求授予Mauritzson的名称为“具有电荷耗散层的半导体传感器及相关方法(SemiconductorSensorswithChargeDissipationLayerandRelatedMethods)”的美国临时专利申请62/717658的提交日期的权益，该申请提交于2018年8月10日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
本文件的各方面整体涉及半导体传感器。更具体的实施方式涉及图像传感器。
技术介绍
半导体传感器用于各种电子设备，诸如车辆、智能电话、平板计算机和其他设备。图像传感器是一种类型的半导体传感器。图像传感器将照射像素的光转换为电信号。电信号可以使用数字信号处理器进行处理，并且可以用来制作图像。
技术实现思路
本技术的至少一个方面的目的在于提供一种图像传感器。图像传感器的实施方式可以包括：钝化层，该钝化层耦接在硅层上方；滤色器阵列，该滤色器阵列耦接在钝化层上方；透镜，该透镜耦接在滤色器阵列上方；和至少两个光学透射电荷耗散层，该至少两个光学透射电荷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：/n钝化层，所述钝化层耦接在硅层上方；/n滤色器阵列，所述滤色器阵列耦接在所述钝化层上方；/n透镜，所述透镜耦接在所述滤色器阵列上方；和/n至少两个光学透射电荷耗散层，所述至少两个光学透射电荷耗散层耦接在所述硅层上方。/n

【技术特征摘要】
20180810 US 62/717,658;20190627 US 16/455,0461.一种图像传感器，其特征在于，包括：
钝化层，所述钝化层耦接在硅层上方；
滤色器阵列，所述滤色器阵列耦接在所述钝化层上方；
透镜，所述透镜耦接在所述滤色器阵列上方；和
至少两个光学透射电荷耗散层，所述至少两个光学透射电荷耗散层耦接在所述硅层上方。


2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述至少两个光学透射电荷耗散层中的一个光学透射电荷耗散层耦接在所述透镜和所述滤色器阵列之间。


3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述至少两个光学透射电荷耗散层中的一个光学透射电荷耗散层耦接在所述钝化层和所述滤色器阵列之间。


4.一种图像传感器，其特征在于，包括：
抗反射涂层，所述抗反射涂层耦接在硅层上方；
钝化层，所述钝化层耦接在所述抗反射涂层上方；
滤色器阵列，所述滤色器阵列耦接在所述钝化层上方；
透镜，所述透镜耦接在所述滤色器阵列上方；和
一个或多个光学透射电荷耗散层，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·莫里兹森，B·P·班纳彻沃兹，J·达雷伊，B·A·瓦尔特斯塔，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：新型
国别省市：美国;US