一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关制造技术

本发明专利技术公开了一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关，属于射频集成电路技术领域。该开关由四个NMOS晶体管、四个片上电阻器、三个片上电感器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成，其中，TX支路采用一个NMOS晶体管和两个片上电感组成的单串联结构，RX支路采用三个NMOS晶体管和一个片上电感组成的串联‑并联结构。本发明专利技术能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输，可用于毫米波超宽带相控阵系统前端，实现高集成度、高性能的收发切换。

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关
本专利技术属于射频集成电路
，特别是指一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关。
技术介绍
开关电路通常分为接收支路（即RX支路）和发射支路（即TX支路），它们通过时分方式共享同一个天线。当发射支路被使能时，被功率放大器放大后的高频信号通过天线发射出去。反之，当接收支路被使能，天线接收来的微弱信号进入到低噪声放大器被放大。通常，衡量开关的性能指标有插入损耗、隔离度、匹配和线性度等。CMOS开关的插入损耗、隔离度和匹配性能可以直接通过S参数来衡量。虽然设计开关时需要同时兼顾低插入损耗和高隔离度，但受设计工艺的限制，通常情况下低插入损耗和高隔离度是一对矛盾的指标，难以同时达到最优的极限目标，所以设计中需要进行两者性能的折中。自串联、并联结构作为CMOS开关的基本单元被提出以后，根据不同的应用衍生出了一些其他结构，包括：1）并联对称结构的CMOS开关电路，由JinHe,Yong-ZhongXiong,YuePingZhang在TMTT2012，第3113-3119页中的“Analysis本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关，其特征在于，包括第一～第四NMOS晶体管（M1、M2、M3、M4），第一～第四片上电阻器（R1、R2、R3、R4），第一～第三片上电感器（L1、L2、L3），射频信号接收端口（RX），射频信号发射端口（TX），天线端口（ANT），第一、第二控制端口，以及接地端口（GND）；/n所述的第一NMOS晶体管（M1）与第一片上电阻器（R1），第一、第二片上电感器（L1、L2），第一控制端口，以及射频信号发射端口（TX）一起组成TX支路；其中，射频信号发射端口（TX）与第一NMOS晶体管（M1）的源极相连，第一片上电感器（L1）的两端并联跨接在第一NMOS晶...

【技术特征摘要】
1.一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关，其特征在于，包括第一～第四NMOS晶体管（M1、M2、M3、M4），第一～第四片上电阻器（R1、R2、R3、R4），第一～第三片上电感器（L1、L2、L3），射频信号接收端口（RX），射频信号发射端口（TX），天线端口（ANT），第一、第二控制端口，以及接地端口（GND）；
所述的第一NMOS晶体管（M1）与第一片上电阻器（R1），第一、第二片上电感器（L1、L2），第一控制端口，以及射频信号发射端口（TX）一起组成TX支路；其中，射频信号发射端口（TX）与第一NMOS晶体管（M1）的源极相连，第一片上电感器（L1）的两端并联跨接在第一NMOS晶体管（M1）的源极和漏极上，第一NMOS晶体管（M1）的栅极连接到第一片上电阻器（R1）的一端，第一片上电阻器（R1）的另一端连接到第一控制端口上，第一NMOS晶体管（M1）的漏极与第二片上电感器（L2）的一端相连，第二片上电感器（L2）的另一端连接到天线端口（ANT）上；
所述的第二～第四NMOS晶体管（M2、M3、M4）与第二～第四片上...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨格亮，廖春连，陈明辉，王旭东，魏伟，吴迪，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十四研究所，
类型：发明
国别省市：河北;13