【技术实现步骤摘要】
馈送结构、包括馈送结构的电气部件以及模块
本专利技术总体上涉及电气部件。更具体地说，本专利技术涉及一种用于晶体管的输入/输出馈送结构，其中将电力基本上均匀地馈送到晶体管的晶体管元件或从所述晶体管的所述晶体管元件基本上均匀地馈送所述电力。
技术介绍
用于射频(RF)高功率装置的功率晶体管装置通常由多个构建块制成，所述多个构建块有时被称为单位晶格或单独晶体管，所述单位晶格或单独晶体管与组合作为电力输出的晶体管的输出并联驱动。尤其在较高频率下，当与单位晶格的机械尺寸和数量相比波长较小时，然后均匀地向晶体管元件馈送电力或者组合来自这种装置的晶体管元件的电力不是直截了当的。也就是说，到晶体管元件的不均匀的电力分布可能潜在地降低这种晶体管的性能和寿命。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供一种用于电气部件的馈送结构，包括：槽缝结构，所述槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述...
【技术保护点】
1.一种用于电气部件的馈送结构，其特征在于，包括：/n槽缝结构，所述槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述槽缝结构的开口，所述开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围；/n第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中间区处电连接到所述槽缝结构；以及/n第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述槽缝结构，所述第二馈送节点被配置成电...
【技术特征摘要】
20180924 US 16/139,7921.一种用于电气部件的馈送结构，其特征在于，包括：
槽缝结构，所述槽缝结构包括彼此相对的第一导电纵向区段和第二导电纵向区段以及彼此相对的第一导电互连区段和第二导电互连区段，所述第一互连区段和所述第二互连区段将所述第一纵向区段耦合到所述第二纵向区段以形成延伸穿过所述槽缝结构的开口，所述开口由所述第一纵向区段、所述第一互连区段、所述第二纵向区段和所述第二互连区段包围；
第一馈送节点，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中间区处电连接到所述槽缝结构；以及
第二馈送节点，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段电耦合到所述槽缝结构，所述第二馈送节点被配置成电连接到所述电气部件。
2.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述电气部件包括输入元件，并且所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点被配置成耦合到所述输入元件中的每一个输入元件以经由所述槽缝结构将输入信号从所述第一馈送节点提供到所述输入元件中的每一个输入元件。
3.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述电气部件包括输出元件，并且所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点被配置成耦合到所述输出元件中的每一个输出元件以从所述输出元件中的每一个输出元件接收输出信号，以便在所述第一馈送节点处输出。
4.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述第二馈送节点沿所述第二纵向区段的长度均匀分布。
5.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述第一馈送节点在所述第一纵向区段的第一末端与第二末端之间的中心点处电连接到所述槽缝结构。
6.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，进一步包括多个第一馈送节点，所述多个第一馈送节点电连接到所述槽缝结构的所述第一纵向区段。
7.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述开口由在所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间延伸的宽度表征，所述宽度被配置成使所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间能够互感，所述互感导致将电力基本上均匀地馈送到所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点或从所述第二馈送节点中的每一个第二馈送节点基本上均匀地馈送所述电力。
8.根据权利要求1所述的馈送结构，其特征在于，所述开口是第一开口，并且所述槽缝结构进一步包括至少一个另外的开口，所述至少一个另外的开口在所述第一纵向区段与所述第二纵向区段之间延伸穿过所述槽缝结构，所述至少一个另外的开口通过所述槽缝结构的另外的区段与所述第一开口物理隔离。
9.一种装置，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：易卜拉欣·哈利勒，侯赛因·霍桑纳·拉德哈尼，亨利·安德烈·克里斯坦基，
申请(专利权)人：恩智浦美国有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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