【技术实现步骤摘要】
半导体NbNO纳米棒及其制备方法与应用
本专利技术涉及催化剂领域，特别是涉及一种半导体NbNO纳米棒及其制备方法与应用。
技术介绍
为了解决能源危机和环境污染的问题，氢气作为化石燃料的理想替代品受到了广泛关注。在1972年由Fujishima和Honda提出光电化学分解水的概念后，研究人员开发了各种光催化剂，包括氧化物、硫化物、氮化物、氮氧化物、碳化物及其复合材料。但是，其自身存在缺点，如高的电子空穴复合率、可见光吸收不足、低的比表面积、表面反应活化位点少、表面反应动力学缓慢、不高的氧化能力和低的电荷迁移率等。另外光生空穴的氧化能力只能氧化水产氧，而不是形成非选择性的羟基自由基·OH。这需要降低半导体的VB位置以增强它的水氧化能力。上述缺点大大限制了其光催化性能。目前半导体光催化剂的改性策略主要围绕带隙工程、缺陷控制、形貌调控、构建异质结和助催化剂负载等展开。其中半导体光催化剂主要是g-C3N4、TiO2、CdS等，这些光催化剂都已得到充分的研究，g-C3N4的聚合度较低，活性较差，TiO2的可见光利用率低，CdS的...
【技术保护点】
1.一种半导体NbNO纳米棒的制备方法，其特征在于，包括：提供NbCl
【技术特征摘要】
1.一种半导体NbNO纳米棒的制备方法，其特征在于，包括：提供NbCl5，700-900℃下煅烧，得到NbO纳米棒，将所得NbO纳米棒置于氨气氛围下煅烧，煅烧温度为700-900℃，得到所述半导体NbNO纳米棒。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：煅烧NbCl5时，温度为800-900℃。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：煅烧NbCl5的时间为4-12h。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：煅烧NbCl5结束后，用水洗涤所得NbO纳米棒，得到洗净后的NbO纳米棒，再将其置于氨气氛围下煅烧。
5.根据权利要求1所述的制备方...
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