一种光转换材料快速沉降的COB封装方法及COB器件技术

本发明专利技术公开了一种光转换材料快速沉降的COB封装方法及COB器件，方法包括预装LED芯片和键合线、填充光转换材料和硅胶的混合物、涂覆稀释剂、静置和烘烤等步骤，由此一方面，光转换混合物在涂覆前的高粘度性，保证了光转换材料的均匀性，使生产易以控制，提高生产良率；涂覆稀释剂极大地提高了光转换颗粒的沉降速度，提高了COB器件的生产效率，本封装方法操作简便，不需增加额外的设备，可实现批量化操作提高COB器件的生产效率。

Cob packaging method and cob device with rapid deposition of optical conversion materials

【技术实现步骤摘要】
一种光转换材料快速沉降的COB封装方法及COB器件
本专利技术涉及发光二极管（LED）封装
，尤其涉及一种光转换材料快速沉降的COB封装方法及COB器件。
技术介绍
现有的COB封装方法是将光转换材料混合到硅胶后再涂覆于LED芯片上，该混合胶厚度一般大于0.5mm，这样光转换材料的热传导路径长，而硅胶本身导热系数低，导致光转换材料吸收的热量不能及时从基板底部传出去，积累的热量越来越多，温度越来越高，从而使光转换材料失效，甚至导致硅胶龟裂拉断键合线死灯。为改善散热特性，大多数封装厂都设法使光转换颗粒沉积到LED光源底部，使光转换材料的热量能通过底部基板快速散热。现有的技术是自然沉降工艺，即通过自身的重力实现沉降。然而这种方法有很大的局限性。自然沉降过程中，硅胶可以看成是静止流体，光转换材料近似为圆形颗粒，光转换材料在硅胶中做自由沉降运动，开始沉降后，加速阶段时间很短，颗粒很快就达到匀速运动，该匀速运动称为自由沉降速度，对应的自由沉降速度vt=d2(ρs-ρ)g/18µ，其中d是颗粒粒径，ρs是颗粒密度，ρ是流体密度，µ是流体粘度。硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光转换材料快速沉降的COB封装方法，其特征在于，方法包括：/nS1、将LED芯片（2）按设计固定在LED载体（1）上，LED芯片（2）通过键合线（3）电气连接：/nS2、将有机硅胶（6）倒入光转换材料（5），持续搅拌3min~10min获得均匀的光转换材料（5）和硅胶（6）的混合物，然后将混合物倒进点涂设备的腔体内；/nS3、将光转换材料（5）和硅胶（6）的混合物均匀涂覆在LED芯片（2）上，混合物涂覆层的高度低于阻挡墙（4）的高度；/nS4、将LED载体（1）转移至水平平台上静置3min~5min；/nS5、将稀释剂（7）倒入点涂设备的腔体内，腔体按预先设计的行走路径将稀释剂（7）涂...

【技术特征摘要】
1.一种光转换材料快速沉降的COB封装方法，其特征在于，方法包括：
S1、将LED芯片（2）按设计固定在LED载体（1）上，LED芯片（2）通过键合线（3）电气连接：
S2、将有机硅胶（6）倒入光转换材料（5），持续搅拌3min~10min获得均匀的光转换材料（5）和硅胶（6）的混合物，然后将混合物倒进点涂设备的腔体内；
S3、将光转换材料（5）和硅胶（6）的混合物均匀涂覆在LED芯片（2）上，混合物涂覆层的高度低于阻挡墙（4）的高度；
S4、将LED载体（1）转移至水平平台上静置3min~5min；
S5、将稀释剂（7）倒入点涂设备的腔体内，腔体按预先设计的行走路径将稀释剂（7）涂覆在光转换材料（5）和硅胶（6）混合物的上面；
S6、将LED载体（1）移至水平平台上静置3min~10min，并且所述水平平台处于密闭的抽风柜里，静置时同时开启抽风；
S7：将LED载体（1）转移至烤箱平台，以100℃~180℃烘烤2h±30min，自然静置冷却后获得COB器件。


2.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：在步骤S2中所述光转换材料（5）和硅胶（6）的混合物粘度范围是5000cps~8000cps。


3.根据权利要求1所述的封装方法，其特征在于：在步骤S2中，在光转换材料（5）里添加抗沉淀粉，抗沉淀粉的质量分数为0.5%wt~3%wt。


4.根据权利要求3所述的封装方法，其特征在于：所述抗沉淀粉是二氧化硅或...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈智波，苏佳槟，
申请(专利权)人：广州硅能照明有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44