一种低功耗的像素锁存电路和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种低功耗的像素锁存电路，包括数据写入模块、数据锁存模块、显示输出模块；数据写入模块包括第一晶体管T1和第二晶体管T2，数据锁存模块包括第一反相器、第二反相器；第一晶体管和第二晶体管的控制端均连接Gate信号端，第一晶体管的第一端连接Data数据端，第一晶体管的第二端和所述第二晶体管的第一端均连接节点A；第二晶体管的第二端连接节点B；第一反相器的输入端连接节点A，第二反相器的输出端连接节点B，第一反相器的输出端和第二反相器的输入端均连接节点C。本申请像素电路，即使Gate信号刷新频率非常低，Data数据端不给信号，上一个Data数据被锁存在数据锁存模块内，该像素电路依然能够保持上一个显示画面的数据，以降低功耗。

A low power pixel latch circuit and display device

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗的像素锁存电路和显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种低功耗的像素锁存电路和显示装置。
技术介绍
智能穿戴类显示产品随着科技的不断进步得到了很大的发展，但是作为一种移动式的显示装置，高耗电量高功耗且待机时间较短而给消费者带来一些不便之处。开发一种低功耗的显示装置，以解决以上问题，是本领域技术人员所要考虑的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本申请提供了一种低功耗的像素锁存电路，所述像素锁存电路包括数据写入模块、数据锁存模块、显示输出模块；所述数据写入模块包括第一晶体管T1和第二晶体管T2，所述数据锁存模块包括第一反相器、第二反相器；所述第一晶体管T1和第二晶体管T2的控制端均连接Gate信号端，所述第一晶体管T1的第一端连接Data数据端，所述第一晶体管T1的第二端和所述第二晶体管T2的第一端均连接节点A；所述第二晶体管T2的第二端连接节点B；所述第一反相器的输入端连接节点A，所述第二反相器的输出端连接节点B，所述第一反相器的输出端和第二反相器的输入端均连接节点C。作为本专利技术提供的像素锁存电路的一种改进，所述第一晶体管T1为NTFT，所述第二晶体管T2为PTFT。作为本专利技术提供的像素锁存电路的一种改进，所述第一反相器和第二反相器均耦接在电源端VDD和地端VSS之间。作为本专利技术提供的像素锁存电路的一种改进，所述第一反相器包括PTFT型第三晶体管T3和NTFT型第四晶体管T4，所述第三晶体管T3的控制端和第四晶体管T4的控制端均连接节点A；所述第三晶体管T3的第一端与电源端VDD连接；所述第四晶体管T4的第二端与地端VSS连接；所述第三晶体管T3的第二端和第四晶体管T4的第一端均和节点C连接。作为本专利技术提供的像素锁存电路的一种改进，所述第二反相器由PTFT型第五晶体管T5和NTFT型第六晶体管T6组成；所述第五晶体管T5的控制端和第六晶体管T6的控制端均连接节点C；所述第五晶体管T5的第一端与电源端VDD连接；所述第六晶体管T6的第二端与地端VSS连接；所述第五晶体管T5的第二端和所述第六晶体管T6的第一端均和节点B连接。作为本专利技术提供的像素锁存电路的一种改进，所述像素锁存电路还包括PTFT型第七晶体管T7和NTFT型第八晶体管T8；所述第七晶体管T7和第八晶体管T8的控制端均连接节点A，所述第七晶体管T7的第一端连接Y1信号端，所述第八晶体管T8的第二端连接Y2信号端，所述第七晶体管T7的第二端和第八晶体管T8的第一端均连接OUT端；所述OUT端与显示装置的像素pixelITO端连接；所述Y1信号端和Y2信号端的信号相反。作为本专利技术提供的像素锁存电路的一种改进，所述像素锁存电路还包括NTFT型第九晶体管T9和PTFT型第十晶体管T10；所述第九晶体管T9和第十晶体管T10的控制端均连接节点C，所述第九晶体管T9的第一端连接Y1信号端，所述第十晶体管T10的第二端连接Y2信号端，所述第九晶体管T9的第二端和第十晶体管T10的第一端均连接OUT端；所述OUT端与显示装置的像素pixelITO端连接；所述Y1信号端和Y2信号端的信号相反。本申请还提供了一种显示装置，包括如上所述的低功耗的像素锁存电路。与现有技术相比，本专利技术具有以下有益效果：本申请提出了一种具有锁存功能的像素电路，即使Gate信号刷新频率非常低，此时Data数据端不给信号，但数据写入模块和数据锁存模块的设置，使上一个Data数据被锁存在数据锁存模块的A=B=¯C内，因此该像素电路依然能够保持上一个显示画面的信号数据，以降低显示装置的功耗。附图说明图1为本申请具体实施例所述的一种单个pixel驱动解决方案的原理图；图2为本申请具体实施例所述的一种单个pixel控制信号连接关系示意图；图3为本申请具体实施例所述的一种整个面板显示像素pixel的控制连接关系。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一以图1单个pixel驱动解决方案的原理图为例，对申请的低功耗的像素锁存电路进行说明。该像素锁存单元的像素锁存电路包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第一反相器、第二反相器。其中，第一晶体管T1和第二晶体管T2构成了数据写入模块。第一反相器和第二反相器构成了数据锁存模块。本具体实施例中，第一晶体管T1为NTFT，第二晶体管T2为PTFT。第一晶体管T1，其控制端连接Gate信号端，其第一端连接Data数据端，其第二端连接节点A。第二晶体管T2，其控制端连接Gate信号端，其第一端连接节点A，其第二端连接节点B。第一反相器和第二反相器，耦接在电源端VDD和地端VSS之间。第一反相器，输入端与节点A连接，输出端与节点C连接。第二反相器，控制端与节点C连接，输出端与节点B连接。其中，Gate信号端用于接入Gate信号，Data数据端用于输入Data数据。第一反相器由PTFT型第三晶体管T3和NTFT型第四晶体管T4组成。第三晶体管T3的控制端和第四晶体管T4的控制端均连接节点A；第三晶体管T3的第一端与电源端VDD连接；第四晶体管T4的第二端与地端VSS连接；第三晶体管T3的第二端和第四晶体管T4的第一端均和节点C连接。第二反相器由PTFT型第五晶体管T5和NTFT型第六晶体管T6组成。第五晶体管T5的控制端和第六晶体管T6的控制端均连接节点C；第五晶体管T5的第一端与电源端VDD连接；第六晶体管T6的第二端与地端VSS连接；第五晶体管T5的第二端和第六体管T6的第一端均和节点B连接。本申请具体实施例的像素锁存电路还包括显示输出模块。显示输出模块包括PTFT型第七晶体管T7和NTFT型第八晶体管T8。第七晶体管T7和第八晶体管T8并联，耦接在Y1信号端和Y2信号端之间。第七晶体管T7和第八晶体管T8的控制端均连接节点A，第七晶体管T7的第一端连接Y1信号端，第八晶体管T8的第二端连接Y2信号端，第七晶体管T7的第二端和第八晶体管T8的第一端均连接OUT端。Y1信号端，用于输入控制信号Y1；Y2信号端，用于输入控制信号Y2；其中，Y1信号端和Y2信号端的信号相反。以上OUT端与显示装置（如显示面板）的像素pixelITO端连接。本申请图1所示的一种低功耗的像素锁存电路其工作原理如下：1.在数据写入阶段：控制Gate信号端给出高电平信号，使第一晶体管T1开启，Data数据通过T1到达节点A。2.数据锁存阶段：控制Gate信号端给出低电平信号，使第一晶体管T1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功耗的像素锁存电路，其特征在于，所述像素锁存电路包括数据写入模块、数据锁存模块、显示输出模块；/n所述数据写入模块包括第一晶体管T1和第二晶体管T2，所述数据锁存模块包括第一反相器、第二反相器；/n所述第一晶体管T1和第二晶体管T2的控制端均连接Gate信号端，所述第一晶体管T1的第一端连接Data数据端，所述第一晶体管T1的第二端和所述第二晶体管T2的第一端均连接节点A；所述第二晶体管T2的第二端连接节点B；/n所述第一反相器的输入端连接节点A，所述第二反相器的输出端连接节点B，所述第一反相器的输出端和第二反相器的输入端均连接节点C。/n

【技术特征摘要】
1.一种低功耗的像素锁存电路，其特征在于，所述像素锁存电路包括数据写入模块、数据锁存模块、显示输出模块；
所述数据写入模块包括第一晶体管T1和第二晶体管T2，所述数据锁存模块包括第一反相器、第二反相器；
所述第一晶体管T1和第二晶体管T2的控制端均连接Gate信号端，所述第一晶体管T1的第一端连接Data数据端，所述第一晶体管T1的第二端和所述第二晶体管T2的第一端均连接节点A；所述第二晶体管T2的第二端连接节点B；
所述第一反相器的输入端连接节点A，所述第二反相器的输出端连接节点B，所述第一反相器的输出端和第二反相器的输入端均连接节点C。


2.根据权利要求1所述的低功耗的像素锁存电路，其特征在于，所述第一晶体管T1为NTFT，所述第二晶体管T2为PTFT。


3.根据权利要求1所述的低功耗的像素锁存电路，其特征在于，所述第一反相器和第二反相器均耦接在电源端VDD和地端VSS之间。


4.根据权利要求3所述的低功耗的像素锁存电路，其特征在于，所述第一反相器包括PTFT型第三晶体管T3和NTFT型第四晶体管T4，所述第三晶体管T3的控制端和第四晶体管T4的控制端均连接节点A；所述第三晶体管T3的第一端与电源端VDD连接；所述第四晶体管T4的第二端与地端VSS连接；所述第三晶体管T3的第二端和第四晶体管T4的第一端均和节点C连接。


5.根据权利要求3所述的低功耗的像素锁存电路，其特征在于，所述第二反相器由PTFT型第五晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张东琪，付浩，柳发霖，董欣，张泽鹏，马亮，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51