【技术实现步骤摘要】
一种基于硬件自测模块的DRAM眼图评估方法
本专利技术涉及电子技术内存控制领域,并且更具体地涉及一种基于硬件自测模块的DRAM眼图评估方法。
技术介绍
当前消费类电子产品对动态随机存取存储器(DRAM)的访问速度和稳定性要求越来越高,DRAM性能成为消费类电子产品的重要指标。评估DRAM性能通常是通过示波器抓取叠加信号得到眼图,以此来评估信号完整性和电源完整性。示波器抓取信号有三种缺陷,第一种是探头本身对PCB板级的信号干扰;第二种是示波器抓取的不是信号的端级;第三种是DRAM发出的DQS信号和DQ信号是对齐的,如附图1,示波器无法抓取两者在主控中实际的相位关系。这些缺陷都会影响信号的真实情况,从而影响分析结果。为了降低消费类电子产品的开发难度,芯片封装已经发展为将多个芯片集成在一起的方案,较为常见的是将主控和DRAM在封装内部连接。这种封装形式下,示波器将无法采集到DRAM信号,制约了DRAM性能的评估手段。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提供了一种基于硬件自测模块的DRA ...
【技术保护点】
1.一种基于硬件自测模块的DRAM眼图评估方法,其特征在于,包括如下步骤:/n(1)主控芯片向DRAM芯片发出读/写请求;/n(2)通过读取自测状态判断DRAM数据采样的正确性;/n(3)主控芯片中的DRAMPHY改变数据或时钟的延迟单元,结合自测状态获得眼宽;/n(4)主控芯片中的DRAMPHY改变参考电压,结合自测状态获得眼高;/n(5)改变延迟单元和参考电压,重复所述步骤(3)和所述步骤(4)以获得完整的DRAM眼图大小,/n其中,主控芯片还包括发送读/写请求的硬件,所述硬件包括自测逻辑模块Mbist和DRAM控制器。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于硬件自测模块的DRAM眼图评估方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)主控芯片向DRAM芯片发出读/写请求;
(2)通过读取自测状态判断DRAM数据采样的正确性;
(3)主控芯片中的DRAMPHY改变数据或时钟的延迟单元,结合自测状态获得眼宽;
(4)主控芯片中的DRAMPHY改变参考电压,结合自测状态获得眼高;
(5)改变延迟单元和参考电压,重复所述步骤(3)和所述步骤(4)以获得完整的DRAM眼图大小,
其中,主控芯片还包括发送读/写请求的硬件,所述硬件包括自测逻辑模块Mbist和DRAM控制器。
2.根据权利要求1所述的DRAM眼图评估方法,其特征在于,所述硬件自测逻辑模块包括与比较器电路连接的逻辑产生器。
3.根据权利要求2所述的DRAM眼图评估方法,其特征在于,通过逻辑产生器配置访问起始地址、访问数据量、数据类型、读写类型及访问次数,向DRAM控制器发送读写请求。
4.根据权利要求2所述的DRAM眼图评估方法,其特征在于,所述比较器用于将返回的数据与逻辑产生器所配置的数据进行比较,从而输出自测状态。
5.根据权利要求2所述的DRAM眼图评估方法,其特征在于,所述逻辑产生器被配置为单独写访问或者读访问,用于区分不同的眼图类型。
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【专利技术属性】
技术研发人员:不公告发明人,
申请(专利权)人:珠海亿智电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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