【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯增强吸收的金属微纳结构及其制备方法
本专利技术属于光学器件
，具体涉及一种石墨烯增强吸收的金属微纳结构及其制备方法。
技术介绍
具有吸收特性的光学吸收器是近十年发展起来的研究方向，它经过合理的结构设计，有效利用金属材料的强损耗特性，实现入射光在不同波段的吸收特性。其中金属微纳结构可以利用其表面等离激元特性来增强光吸收效率，但其对光吸收效率比较低，而且对实验精度高要求，制备过程复杂。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的金属微纳结构光吸收率小的问题，本专利技术提供了一种石墨烯增强吸收的金属微纳结构及其制备方法，该结构通过金属微纳结构和石墨烯的耦合作用，有效增强了金属微纳结构的吸收率，而且，制备过程简单方便，易于操作。本专利技术要解决的技术问题通过以下技术方案实现：一种石墨烯增强吸收的金属微纳结构，所述金属微纳结构是在基底层上从下到上依次设置有第一金属层、二氧化硅层、第二金属层和第一石墨烯薄膜层；所述基底层由硅或二氧化硅材料制成；所述第一金属层和第二金属层由金
【技术保护点】
1.一种石墨烯增强吸收的金属微纳结构，其特征在于：所述金属微纳结构是在基底层上从下到上依次设置有第一金属层、二氧化硅层、第二金属层和第一石墨烯薄膜层；所述基底层由硅或二氧化硅材料制成；/n所述第一金属层和第二金属层由金或银材料制成。/n
【技术特征摘要】
1.一种石墨烯增强吸收的金属微纳结构，其特征在于：所述金属微纳结构是在基底层上从下到上依次设置有第一金属层、二氧化硅层、第二金属层和第一石墨烯薄膜层；所述基底层由硅或二氧化硅材料制成；
所述第一金属层和第二金属层由金或银材料制成。
2.由权利要求1所述的金属微纳结构，其特征在于：所述第一石墨烯薄膜层为1～3层石墨烯薄膜。
3.由权利要求2所述的金属微纳结构，其特征在于：所述第一金属层和第二金属层的厚度均为10～50nm，二氧化硅层的厚度为20～50nm。
4.由权利要求2和3所述任一金属微纳结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤1，准备基底并清洗干净，烘干待用；
步骤2，将步骤1中得到的基底，用双面胶粘在样品台上，用电子束蒸发镀膜的方法垂直蒸镀第一金属层；
步骤3，步骤2中第一金属层蒸镀完成后，置换靶材，继续使用电子束蒸发镀膜的方法垂直蒸镀二氧化硅层；
步骤4，步骤3中二氧化硅层蒸镀完成后，置换靶材，再次使用电子束蒸发镀膜的方法垂直蒸镀第二金属层；
步骤5，将步骤4中蒸镀...
【专利技术属性】
技术研发人员：王红航，刘黎明，刘凯，迟锋，水玲玲，易子川，张智，屈瑜，张中月，
申请(专利权)人：电子科技大学中山学院，
类型：发明
国别省市：广东;44
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