光学元件和光学元件的制造方法技术

技术编号:23603578 阅读:37 留言:0更新日期:2020-03-28 04:59
本发明专利技术涉及光学元件和光学元件的制造方法。本发明专利技术提供一种光学元件,其包括防止龟裂发生的涂膜。所述光学元件包括:光学晶体;和涂覆光学晶体的表面的防反射膜;在该光学元件中,抗反射膜含有有机化合物。

Optical elements and manufacturing methods of optical elements

【技术实现步骤摘要】
光学元件和光学元件的制造方法
本专利技术涉及光学元件和光学元件的制造方法。
技术介绍
通常,当在光学元件的表面上形成诸如防反射膜或高反射膜等薄膜时,使用包含诸如TiO2、Ta2O5、Al2O3、SiO2或MgF2等无机化合物作为组分的介电材料。例如,在使用有机非线性光学晶体的情况下,通过真空气相沉积在晶体上形成作为如上所述的无机化合物的介电材料膜,以用作防反射膜(例如参见专利文献1至3)。此外,还存在这样的情况:出于隔离光学元件和空气层的目的,在诸如激光束等光入射的端面处形成反射膜(例如参见专利文献4)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利申请公开(JP-A)No.H05-313216专利文献2:JP-ANo.H07-244308专利文献3:JP-ANo.2004-109457专利文献4:JP-ANo.H02-254426
技术实现思路
技术问题然而,在使用作为上述无机化合物的介电材料于光学晶体的表面上进行成膜的情况下,存在在所得到的介电材料薄膜中更容易发生龟裂的问题。薄膜中龟裂的发生可能导致所得防反射膜或高反射膜等的光学性能的劣化,或者不能隔离光学元件和空气层。鉴于上述问题完成了本专利技术的一个实施方式,并且本专利技术的目的是提供一种光学元件及其制造方法,该光学元件包括防止龟裂发生的涂膜。问题的解决方案<1>.一种光学元件,其包含:光学晶体;和涂覆所述光学晶体表面的防反射膜;<br>其中,所述防反射膜含有有机化合物。<2>.如<1>所述的光学元件,其中,所述防反射膜与所述光学晶体的线性膨胀系数之差的绝对值为130ppm/K以下。<3>.如<1>或<2>所述的光学元件,其中,所述防反射膜在25℃的杨氏模量为10GPa以下。<4>.如<1>至<3>中任一项所述的光学元件,其中,所述有机化合物含有由以下化合物组成的组中的至少一种化合物作为结构单元:含有与氟原子结合的环状结构的化合物;和含有环烯烃结构的化合物。<5>.如<1>至<4>中任一项所述的光学元件,其中,所述光学晶体是有机光学晶体。<6>.如<5>所述的光学元件,其中,所述有机光学晶体是有机非线性光学晶体。<7>.如<6>所述的光学元件,其中,有机非线性光学晶体是DAST(4-二甲氨基-N-甲基-4-氮杂茋(stilbazolium)甲苯磺酸盐)晶体、DASC(4-二甲氨基-N-甲基-4-氮杂茋-对氯苯磺酸盐)晶体、DSTMS(4-N,N-二甲氨基-4’-N’-甲基氮杂茋-2,4,6-三甲基苯磺酸盐)晶体、OH1(2-(3-(4-羟基苯乙烯基)-5,5-二甲基环己-2-烯亚基)丙二腈)晶体、BDAS-TP(双(4-二甲氨基-N-甲基-4-氮杂茋)对苯二甲酸盐))晶体、DAS-HTP(4-二甲氨基-N-甲基-4-氮杂茋氢对苯二甲酸盐)晶体、BNA(N-苄基2-甲基-4-硝基苯胺)晶体、HMQ-TMS((2-(4-羟基-3-甲氧基苯乙烯基)-1-甲基喹啉鎓-2,4,6-三甲基苯磺酸盐)晶体或MC-PTS(部花青-对甲苯磺酸)晶体。<8>.如<1>至<7>中任一项所述的光学元件,其中,所述防反射膜在1000nm至2,000nm波长范围的至少一部分中的折射率为1.3至2.0。<9>.如<1>至<8>中任一项所述的光学元件,其中,所述防反射膜在0.3THz至30THz频率范围的至少一部分中的折射率为1.3至2.0。<10>.一种<1>-<9>中任一项所述的光学元件的制造方法,其中,所述方法包括通过湿法在所述光学晶体的表面上形成所述防反射膜的步骤。<11>.如<10>所述的光学元件的制造方法,其中,在通过所述湿法形成所述防反射膜的步骤中,通过将所述光学晶体浸渍在含有用于形成所述防反射膜的材料的液体中,并将经浸渍的光学晶体从所述液体中拉起,从而在所述光学晶体的表面上形成所述防反射膜。专利技术的有益效果本专利技术能够提供一种光学元件及其制造方法,该光学元件包括防止龟裂发生的涂膜。附图说明图1(a)是显示光学元件的示意图,其中光学晶体的表面涂覆有含有有机化合物的涂膜;和图1(b)是图1(a)所示的光学元件沿AA线截取的截面图。图2(a)是显示实施例1中在形成CYTOP单层膜之前光学晶体的表面的照片;图2(b)是显示实施例1中在形成CYTOP单层膜90天之后光学元件的表面的照片;图2(c)是显示比较例1中在形成SiO2单层膜之前光学晶体的表面的照片;和图2(d)是显示比较例1中在形成SiO2单层膜7天后光学元件的表面的照片。图3(a)是显示实施例1中在涂布涂膜前和涂布涂膜后的透射率的测量结果的图;和图3(b)是显示比较例1中在涂布涂膜前和涂布涂膜后的透射率的测量结果的图。具体实施方式在本公开中,术语“步骤”的定义不仅包括可与另一步骤区分的独立步骤,而且包括与另一步骤不能清楚区分的步骤,只要可以实现该步骤的目的即可。在本公开中,使用表述“从*至”表示的任何数值范围表示在“至”之前和之后描述的数值分别作为下限值和上限值包括在该范围中的范围。在本公开中,在分阶段描述的数值范围中,在一个数值范围中描述的上限值或下限值可以用在分阶段描述的另一数值范围中的上限值或下限值代替。此外,在本公开中描述的数值范围中,数值范围中的上限值或下限值可以用实施例中所示的值代替。在本公开中在参考附图描述实施方式的情况下,实施方式的配置不限于附图中所示的任何配置。此外,各个附图中的各个部件以概念性尺寸示出,并且各个部件之间的尺寸相对关系不限于这些尺寸。[第一实施方式]<光学元件>首先,将描述根据第一实施方式的光学元件。根据本实施方式的光学元件包括:光学晶体;和涂覆光学晶体的表面的涂膜;其中涂膜含有有机化合物。在本实施方式中,在光学晶体的表面上形成含有有机化合物的涂膜,并且该涂膜展示出适度的粘弹性,因此具有柔韧性。通过这种布置,涂膜不易破裂,并且防止涂膜中发生龟裂。涂膜可以是防反射膜或高反射膜等,并且优选是防反射膜。当使用有机化合物作为形成光学元件的涂膜的材料时,可以在光学晶体的表面上形成涂膜,例如通过湿法形成。相反,在使用无机化合物作为形成光学元件的涂膜的材料的情况下,假设使用真空气相沉积技术来形成涂膜,在这种情况下,膜形成工序需要高温和真空处理。因此,在本实施方式中,与使用无机化合物作为形成涂膜的材料的情况相比,可以简化成膜装置并降低生产成本。有机化合物的实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学元件,其包含:/n光学晶体;和/n涂覆所述光学晶体的表面的防反射膜;/n其中,所述防反射膜含有有机化合物。/n

【技术特征摘要】
20180904 JP 2018-1653311.一种光学元件,其包含:
光学晶体;和
涂覆所述光学晶体的表面的防反射膜;
其中,所述防反射膜含有有机化合物。


2.如权利要求1所述的光学元件,其中,所述防反射膜与所述光学晶体的线性膨胀系数之差的绝对值为130ppm/K以下。


3.如权利要求1或2所述的光学元件,其中,所述防反射膜在25℃的杨氏模量为10GPa以下。


4.如权利要求1或2所述的光学元件,其中,所述有机化合物含有选自由以下化合物组成的组中的至少一种化合物作为结构单元:含有与氟原子结合的环状结构的化合物;和含有环烯烃结构的化合物。


5.如权利要求1或2所述的光学元件,其中,所述光学晶体是有机光学晶体。


6.如权利要求5所述的光学元件,其中,所述有机光学晶体是有机非线性光学晶体。


7.如权利要求6所述的光学元件,其中,有机非线性光学晶体是DAST(4-二甲氨基-N-甲基-4-氮杂茋甲苯磺酸盐)晶体、DASC(4-二甲氨基-N-甲基-4-氮杂茋-对氯苯磺酸盐)晶体、DSTMS(4-N,N-二甲氨基-4’-N’-甲基氮杂茋-2,4,6-三甲基苯磺酸盐)...

【专利技术属性】
技术研发人员:内田裕久
申请(专利权)人:爱科来株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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