缺陷确定方法、装置及系统制造方法及图纸

技术编号:23602916 阅读:39 留言:0更新日期:2020-03-28 04:31
本发明专利技术提供了一种缺陷确定方法、装置以及系统,通过先确定待测元件表面是否存在参考缺陷点,若存在,则对所确定的参考缺陷点进行预设激光辐照处理,将预设激光辐照处理过程中荧光信号强度的降低量低于第一预设值且散射光信号强度的降低量低于第二预设值的参考缺陷点确定为待测元件表面的目标缺陷点,目标缺陷点即为元件表面低损伤阈值缺陷,有效地实现了对元件表面低损伤阈值缺陷的定位,有利于去除元件表面低损伤阈值缺陷,提高元件的激光损伤性能。

Defect determination method, device and system

【技术实现步骤摘要】
缺陷确定方法、装置及系统
本专利技术涉及光学检测
,具体而言,涉及一种缺陷确定方法、装置及系统。
技术介绍
光学晶体(opticalcrystal)是指用作光学介质材料的晶体材料,主要用于制作紫外和红外区域窗口、透镜和棱镜等光学元件。例如,大口径磷酸二氢钾晶体(PotassiumDihydrogenPhosphate,KH2PO4,简称KDP)因具备独特的光学性能而被用来制作光电开关和倍频元件,应用于大型高功率/高能量激光装置如激光核聚变装置中。为了获得最大输出,大型高功率/高能量激光装置都在接近于光学元件损伤阈值的通量下运行,因此光学元件损伤性能尤其重要,是决定这类激光装置输出能力的关键。晶体表面加工微缺陷如杂质、裂痕或划痕等均是影响晶体光学元件激光损伤性能的重要因素。但是现有技术大多是从缺陷类型层面以及各种精密测试手段层面如原子力显微镜、能谱仪对各类缺陷进行表征研究,无法实现对光学系统中实际应用的光学元件表面缺陷的定位。
技术实现思路
鉴于此,本专利技术的目的在于提供一种缺陷确定方法、装置及系统,能够有效地本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种缺陷确定方法,其特征在于,包括:/n获取待测元件表面的荧光图像以及散射光图像;/n根据所述荧光图像和所述散射光图像,确定所述待测元件表面是否存在参考缺陷点,其中,所述参考缺陷点为有荧光信号且有散射光信号的缺陷点;/n若存在所述参考缺陷点,则针对每个参考缺陷点,判断在对该参考缺陷点进行预设激光辐照处理的过程中,该参考缺陷点的荧光信号强度的降低量是否低于第一预设值且散射光信号强度的降低量是否低于第二预设值,若是,则将该参考缺陷点确定为所述待测元件表面的目标缺陷点;/n其中,所述预设激光辐照处理包括依次按照预设激光通量序列中每个激光通量对该参考缺陷点进行辐照,且所述激光通量序列中的最大激光通...

【技术特征摘要】
1.一种缺陷确定方法,其特征在于,包括:
获取待测元件表面的荧光图像以及散射光图像;
根据所述荧光图像和所述散射光图像,确定所述待测元件表面是否存在参考缺陷点,其中,所述参考缺陷点为有荧光信号且有散射光信号的缺陷点;
若存在所述参考缺陷点,则针对每个参考缺陷点,判断在对该参考缺陷点进行预设激光辐照处理的过程中,该参考缺陷点的荧光信号强度的降低量是否低于第一预设值且散射光信号强度的降低量是否低于第二预设值,若是,则将该参考缺陷点确定为所述待测元件表面的目标缺陷点;
其中,所述预设激光辐照处理包括依次按照预设激光通量序列中每个激光通量对该参考缺陷点进行辐照,且所述激光通量序列中的最大激光通量值低于预设激光通量阈值。


2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述判断在对该参考缺陷点进行预设激光辐照处理的过程中,该参考缺陷点的荧光信号强度的降低量是否低于第一预设值且散射光信号强度的降低量是否低于第二预设值,若是,则将该参考缺陷点确定为所述待测元件表面的目标缺陷点,包括:
依次将所述预设激光通量序列中每个激光通量作为当前激光通量,采集按照所述当前激光通量对该参考缺陷点进行辐照后,该参考缺陷点处的参考荧光强度和参考散射光强度,其中,所述预设激光通量序列中的激光通量按照由小到大的顺序排列;
通过将每次辐照后该参考缺陷点处的参考荧光强度与该参考缺陷点处的初始荧光强度进行对比,得到该参考缺陷点的荧光信号强度的降低量,其中,所述初始荧光强度为所述荧光图像中该参考缺陷点处的荧光信号强度;
通过将每次辐照后该参考缺陷点处的参考散射光强度与该参考缺陷点处的初始散射光强度进行对比,得到该参考缺陷点的散射光信号强度的降低量,其中,所述初始散射光强度为所述散射光图像中该参考缺陷点的散射光信号强度;
判断所述荧光信号强度的降低量是否低于第一预设值且所述散射光信号强度的降低量是否低于第二预设值,若是,则将该参考缺陷点确定为所述待测元件表面的目标缺陷点。


3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将该参考缺陷点确定为所述待测元件表面的目标缺陷点之后,还包括:
获取在对所述目标缺陷点进行预设激光辐照处理的过程中,所述目标缺陷点处的峰值荧光强度;
基于所述峰值荧光强度以及预先确定的对应关系,得到所述目标缺陷点的损伤阈值,其中,所述对应关系为目标缺陷点的峰值荧光强度与损伤阈值的对应关系。


4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
根据所确定的目标缺陷点的个数,确定所述待测元件是否通过质量检测。


5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设激光通量阈值为所述待测元件的基准激光损伤阈值,所述基准激光损伤阈值为所述待测元件表面无缺陷时测得的激光损伤阈值。


6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述待测元件为采用金刚石单点飞切加工的晶体元件。


7.一种缺陷确定装置,其特征在于,包括:
获取模块,用于获取待测元件表面的荧光图像以及散射光图像;
参考缺陷确定模块,用于根据所述荧光图像和所述散射光图像,确定所述待测元件表面是否存在参考缺陷点,其中,所述参考缺陷点为有荧光信号且有散射光信号的缺陷点;
目标缺陷确定模块,用于若存在参考缺陷点,则针对每个参考缺陷点,对该参考缺陷点进行预设激光辐照处理,若在所述预设激光辐照处理...

【专利技术属性】
技术研发人员:邓青华黄进王凤蕊周小燕石兆华叶鑫夏汉定吴之青邵婷孙来喜李青芝黎维华
申请(专利权)人:中国工程物理研究院激光聚变研究中心
类型:发明
国别省市:四川;51

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