超高压腐蚀箔及其腐蚀方法技术

技术编号:23597101 阅读:98 留言:0更新日期:2020-03-28 02:10
本发明专利技术属于电容器用电极材料技术领域,具体提供一种超高压腐蚀箔及其腐蚀方法。所述腐蚀方法包括:前处理;一级直流发孔腐蚀;二级直流发孔腐蚀;第一次中处理;三级直流扩孔腐蚀;四级直流扩孔腐蚀;第二次中处理和后处理;所述一级直流发孔腐蚀和二级直流发孔腐蚀均采用三段组合衰减电流波形。由该腐蚀工艺制备得到的腐蚀箔能够适用于850V以上的超高压需求,孔径大、孔的一致性好,静电容量和折弯强度均较高。

Ultrahigh pressure corrosion foil and its corrosion method

【技术实现步骤摘要】
超高压腐蚀箔及其腐蚀方法
本专利技术属于电容器用电极材料
,具体涉及超高压腐蚀箔及其腐蚀方法。
技术介绍
常规的中高压腐蚀箔制造工艺流程主要包括前处理、发孔腐蚀、扩孔腐蚀、后处理等工序。发孔在硫酸-盐酸混合液中进行,形成高密度、均匀细小的隧道孔。扩孔一般在硝酸溶液中进行,将细小的隧道孔的直径扩大到大于高压化成氧化膜厚度的程度,以获取高的比容,腐蚀决定了隧道孔的密度、孔的分布均匀性以及孔的深度等。但常规中高压腐蚀工艺存在腐蚀箔发孔均匀性差、孔道长短不一等缺点,导致得到的腐蚀箔的机械强度差、比容小,不能进一步满足超高压化成的要求。因此,需要开发一种超高压腐蚀箔的腐蚀工艺。
技术实现思路
专利技术人对超高压腐蚀箔的腐蚀工艺进行了潜心研究,发现加电方式、电化学腐蚀动力学对孔径的大小及均匀性有重要影响。基于此,本专利技术提供的腐蚀工艺中采用一级和二级两级发孔处理,且一级和二级两级发孔时均采用特殊的三段组合衰减直流加电方式,加电过程中,第一阶段的大电流衰减短时间内促使铝箔表面生成蚀坑,保证铝箔表面的发孔密度,第二阶段加电为孔道的持本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超高压腐蚀箔的腐蚀方法,其特征在于,所述腐蚀方法包括前处理、一级直流发孔腐蚀、二级直流发孔腐蚀、第一次中处理、三级直流扩孔腐蚀、四级直流扩孔腐蚀、第二次中处理和后处理,其中,所述一级直流发孔腐蚀和二级直流发孔腐蚀为:/n一级直流发孔腐蚀:将前处理后的铝箔置于添加铝离子的盐酸和硫酸的混合溶液中进行一级发孔,加电方式采用三段组合衰减电流波形;/n二级直流发孔腐蚀:将一级直流发孔腐蚀后的铝箔置于添加铝离子的盐酸和硫酸的混合溶液中进行二级发孔,加电方式采用三段组合衰减电流波形。/n

【技术特征摘要】
1.一种超高压腐蚀箔的腐蚀方法,其特征在于,所述腐蚀方法包括前处理、一级直流发孔腐蚀、二级直流发孔腐蚀、第一次中处理、三级直流扩孔腐蚀、四级直流扩孔腐蚀、第二次中处理和后处理,其中,所述一级直流发孔腐蚀和二级直流发孔腐蚀为:
一级直流发孔腐蚀:将前处理后的铝箔置于添加铝离子的盐酸和硫酸的混合溶液中进行一级发孔,加电方式采用三段组合衰减电流波形;
二级直流发孔腐蚀:将一级直流发孔腐蚀后的铝箔置于添加铝离子的盐酸和硫酸的混合溶液中进行二级发孔,加电方式采用三段组合衰减电流波形。


2.根据权利要求1所述的超高压腐蚀箔的腐蚀方法,其特征在于,所述腐蚀方法包括:
1)前处理:将铝箔先置于氢氧化钠溶液中浸泡,再置于盐酸和硫酸的混合溶液中浸泡,最后置于磷酸溶液中浸泡;
2)一级直流发孔腐蚀:将前处理后的铝箔置于添加铝离子的盐酸和硫酸的混合溶液中进行一级发孔,加电方式采用三段组合衰减电流波形;
3)二级直流发孔腐蚀:将一级直流发孔腐蚀后的铝箔置于添加铝离子的盐酸和硫酸的混合溶液中进行二级发孔,加电方式采用三段组合衰减电流波形;
4)第一次中处理:将二级直流发孔腐蚀后的铝箔置于添加铁离子的硝酸溶液中进行第一次中处理;
5)三级直流扩孔腐蚀:将第一次中处理后的铝箔置于添加铝离子的硝酸溶液中进行三级扩孔;
6)四级直流扩孔腐蚀:将三级直流扩孔腐蚀后的铝箔置于添加铝离子的硝酸溶液中进行四级扩孔;
7)第二次中处理:将四级直流扩孔腐蚀后的铝箔置于添加铁离子的盐酸溶液中进行第二次中处理;
8)后处理:将第二次中处理后的铝箔置于添加铝离子的硝酸溶液中进行后处理。


3.根据权利要求1或2所述的超高压腐蚀箔的腐蚀方法,其特征在于,所述前处理包括:
将铝箔置于0.5-2mol/L氢氧化钠溶液中于40-65℃浸泡30-60s,再将铝箔置于含1-10wt.%
盐酸和10-40wt.%硫酸的混合溶液中于30-50℃浸泡30-60s,最后将铝箔置于含0.1-0.3wt.%磷酸的溶液中于30-60℃浸泡30-90s。


4.根据权利要求1或2所述的超高压腐蚀箔的腐蚀方法,其特征在于,一级直流发孔腐蚀时,所述混合溶液中,盐酸的浓度为5-10wt.%,硫酸的浓度为30-50wt.%,铝离子的浓度为0.5-1wt.%;所述一级直流发孔腐蚀的温度为65-70℃。


5.根据权利要求1或2所述的超高压腐蚀箔的腐蚀方法,其特征在于,一级直流发孔腐蚀时,所述三段组合衰减电流波形为:先加电8-15s将电流密度由0.98-0.83A/cm2衰减到0.83-0...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐健肖远龙何凤荣龙文祥谢文娟康英茜
申请(专利权)人:东莞东阳光科研发有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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