一种下沉式移相功分器制造技术

本发明专利技术提供一种下沉式移相功分器，其包括：同轴馈电结构、第一金属段和第二金属段、与第一金属段一侧连接的第一辐射器、与第一金属段另一侧连接的第三金属段、与第二金属段一侧连接的第二辐射器、与第二金属段另一侧连接且与第三金属段连接的第四金属段以及金属板；其中所述同轴馈电结构穿过金属板后与第四金属段连接。本发明专利技术通过第三金属段和第四金属段均采用下沉式设计，使得金属段的宽度可以设计得很窄，从而减小了不同金属段之间的耦合，提升了金属段的射频信号传输效率；同时，由于下沉、第三及第四金属段都更加远离上层的辐射单元，减小了功率分配器与相邻辐射器之间的耦合，减小了寄生效应，提升了辐射效率。

A sinking phase-shifting power divider

【技术实现步骤摘要】
一种下沉式移相功分器
本专利技术涉及微波
，尤其涉及一种下沉式移相功分器。
技术介绍
控制每个天线单元的馈电相位是控制天线阵列方向图指向的最常用方法。天线单元的馈电相位控制方法有很多，其中一种成本较低且结构紧凑的方式是用不同长度的串联馈电线(也可以看做功分移相器)逐个连接各个天线单元，实现相位控制。移相器是应用于基站电调天线的关键部件，能够改变电调天线的波束扫描角度，即下倾角。通过调整移相器的移相位置来改变天线波束的覆盖范围，因此移相器的性能对基站天线的性能有决定性的作用。对于很多天线阵，天线单元之间的间距是有固定要求的，这就使得天线单元之间留给用于功分移相器的空间变得非常有限；同时，为了提高天线带宽，天线单元的辐射器与地面之间间距通常会较大，使得用于设计功分移向器的微带线线宽会较宽。在上述两个因素的共同作用下，使得若采用传统方式设计功分移相器，不但体积大，而且会与天线单元辐射器之间产生强烈耦合，严重影响了天线阵列的性能。因此，现有技术存在缺陷，亟需改进。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种下沉式移相功分器，其特征在于，其包括：同轴馈电结构、平行设置的第一金属段和第二金属段、与第一金属段一侧连接的第一辐射器、与第一金属段另一侧连接的第三金属段、与第二金属段一侧连接的第二辐射器、与第二金属段另一侧连接且与第三金属段连接的第四金属段以及位于第三金属段和第四金属段下方的金属板；其中，所述第一金属段垂直设置，第二金属段垂直设置；所述同轴馈电结构穿过金属板后与第四金属段连接；第三金属段和第四金属段与第一金属段和第二金属段不位于同一水平面内。/n

【技术特征摘要】
1.一种下沉式移相功分器，其特征在于，其包括：同轴馈电结构、平行设置的第一金属段和第二金属段、与第一金属段一侧连接的第一辐射器、与第一金属段另一侧连接的第三金属段、与第二金属段一侧连接的第二辐射器、与第二金属段另一侧连接且与第三金属段连接的第四金属段以及位于第三金属段和第四金属段下方的金属板；其中，所述第一金属段垂直设置，第二金属段垂直设置；所述同轴馈电结构穿过金属板后与第四金属段连接；第三金属段和第四金属段与第一金属段和第二金属段不位于同一水平面内。


2.根据权利要求1所述的下沉式移相功分器，其特征在于：所述第四金属段设有贯穿孔，同轴馈电结构穿过金属板后与第四金属段的贯穿孔连接。


3.根据权利要求1所述的下沉式移相功分器，其特征在于：所述第一金属段、第二金属段、第三金属段和第四金属段一体成型。


4.根据权利要求1所述的下沉式移相功分器，其特征在于：所述第一金属段与第二金属段的结构相同，第一金属段与第二金属段的垂直高度均为3.5mm-4.5mm，第一金属段与第二金属段的水平宽度均为7.1mm-8.1mm。


5.根据权利要求1所述的下沉式移相功分器，其特征在于：所述第三金属段和第四金属段的宽度均相同。


6.根据权利要求1所述的下沉式移相功分器，其特征在于：所述第三金属段与第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚慧，朱晓华，王森，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32