多层载体箔制造技术

本发明专利技术涉及多层载体箔、由该多层载体箔形成的芯结构、印刷电路板及电子装置。所述多层载体箔包括：(a)铜载体层，具有剥离侧及层压侧，该铜载体层的层压侧视需要具有粗化粒子；(b)铬剥离层，施加于该铜载体层(a)；(c)中间铜层，施加于该铬剥离层(b)；(d)抗迁移层，施加于该中间铜层(c)；及(e)超薄铜层，施加于该抗迁移层(d)。本发明专利技术还涉及该多层载体箔、该芯结构及该印刷电路板的制备方法。

Multilayer carrier foil

【技术实现步骤摘要】
多层载体箔
本专利技术涉及多层载体箔、使用该多层载体箔形成的芯结构、印刷电路板以及包括该印刷电路板的电子装置。本专利技术还涉及制备该多层载体箔、该芯结构及该印刷电路板的方法。
技术介绍
随着电子产业趋向于更轻、更薄及更小型化的电子组件，对精密电路和薄铜箔的需求随之增加，消费性电子产品在集成电路封装中需要更多集成电路，同时却矛盾地提供较少的物理空间来容纳增加的集成电路封装，包含载体箔的电解铜箔于电子产业中可用于印刷电路板组件中制造高精度和密度电路。包含载体箔的电解铜箔大致分为二类，可剥离型和可蚀刻型。在形成铜箔基板后物理性去除该载体箔的定义为可剥离型，而在形成铜箔基板后化学性去除该载体箔的定义为可蚀刻型。传统上，具有载体的可剥离型电解铜箔已广泛用于生产铜箔基板，借由热压的方式层压铜箔与基板，然后剥离附着在电解铜箔上的载体。该载体及铜箔之间的剥离界面处的剥离强度在很宽的范围值内变化。一些具有载体层的电解铜箔在处理过程中容易剥离，而其他则在热压后无法充分剥离。已知的电解铜箔包含载体箔(铜箔或铝箔)、通常与金属氧化物或有机化合物形成于该载体箔上的剥离层以及形成于该剥离层上的极薄(或超薄)铜箔。当自该超薄铜箔物理性地移除该载体箔，该超薄铜箔的表面有光泽的外观。然而，当该超薄铜箔施加于多层电路板的内侧层时，使用黑化或褐化处理以增强和基板的黏合。用于微薄电路图案的超薄铜箔通常借由电沉积直接形成于该载体箔的剥离层上，该超薄铜箔的理想厚度为低于5微米，该载体箔的表面形态直接影响剥离层和超薄铜箔。因此，当该载体层表面粗糙度高时，随后电镀的超薄铜箔也倾向于具有高粗糙度，从而影响随后的蚀刻。同样地，如果该载体箔有针孔，则超薄铜箔也倾向于有针孔。由于该载体箔是剥离层和超薄铜箔的基底，所以载体铜箔的选择非常重要。在印刷电路板的制造过程中，通常使用激光钻孔产生诸如微孔的高密度和精密电路组件。然而，该超薄铜箔的光泽表面具有反射激光的倾向。因此，需要更强的激光，却消耗更多的能量。此外，在高温压合过程中，该超薄铜箔的温度可以达到高达300℃，而且通过金属氧化物和铜金属之间的氧化还原反应形成的金属键结可能会影响剥离强度的一致性。近来，通过增加印刷线路板的布线密度，多层结构被广泛地用于印刷线路板中来微型化印刷线路板。许多行动电子装置都采用多层印刷线路板实现微型化。因此，多层印刷线路板同时需要进一步减少中间绝缘层的厚度和重量。消费性电子产品需求在集成电路封装中需要更多集成电路，同时在系统中却矛盾地为增加的集成电路提供较少的物理空间。随着技术满足这些需求，已经使用无芯积层法(corelessbuild-upmethod)的制造方法。在无芯积层法中，已经使用具有载体箔的铜箔来分离支撑基板和多层印刷线路板。由于图案是建立在超薄铜层上，故可实现细间距。
技术实现思路
本专利技术涉及多层载体箔及该多层载体箔的制备方法；包括该多层载体箔的芯结构及该芯结构的制备方法；印刷电路板(PCBs)的制备方法及由该方法制备的电路板；以及包含该PCBs的电子装置。所述多层载体箔在设计和实用方面是独一无二的。举例而言，其于高质量PCBs的新颖和创新的制程中特别有用。本专利技术的多层载体箔通常包括：(a)铜载体层，具有剥离侧及层压侧，该铜载体层的层压侧视需要具有粗化粒子；(b)铬剥离层，施加于该铜载体层的剥离侧；(c)中间铜层，施加于该铬剥离层；(d)抗迁移层，施加于该中间铜层；及(e)超薄铜层，施加于该抗迁移层。上述的多层载体箔可用于制造芯结构，并可随后用于PCBs的制造。该芯结构包括内侧基板层，该内侧基板层夹置于二片该多层载体箔之间，该多层载体箔的层压侧(视需要包含粗化粒子)贴附于该芯结构的任一侧。根据本专利技术的PCB的制造，通常如上所述地涉及芯结构的制造，并进一步处理该芯结构。例如，PCB的制造可以包括：i.提供多层载体箔，该多层载体箔包括：(a)铜载体层，具有剥离侧及层压侧，该铜载体层的层压侧视需要具有粗化粒子；(b)铬剥离层，施加于该铜载体层(a)的剥离侧；(c)中间铜层，施加于该铬剥离层(b)；(d)抗迁移层，施加于该中间铜层(c)；(e)及超薄铜层，施加于该抗迁移层(d)；ii.形成包括内侧基板层的芯结构，该内侧基板层夹置于二片该多层载体箔之间，其中，该内侧基板层的二侧贴附于该铜载体箔的层压侧；iii.图案化该超薄铜层的暴露表面；iv.施加外侧基板层于该经图案化的超薄铜层；v.提供已知载体箔，该已知载体箔包括：(A)已知铜载体层；(B)已知铬或有机剥离层，施加于该已知铜载体层；及(C)已知超薄铜层，施加于该已知铬或有机剥离层；及施加该已知载体箔的该已知超薄铜层于(iv)的经图案化的超薄铜层的该外侧基板层；vi.自该已知超薄铜层移除该已知铜载体层及该已知铬或有机剥离层；vii.形成通过该已知超薄铜层及该外侧基板层的开口；viii.以导电材料(例如铜)填充该开口并形成图案；ix.自该铬剥离层分离贴附于该外侧基板以及贴附于该抗迁移层的该经图案化的超薄铜层，其中该抗迁移层贴附于该中间铜层；x.移除该中间铜层、该抗迁移层及该超薄铜层，以形成剩余经图案化外侧基板层；以及xi.将该剩余经图案化外侧基板层结合至电子装置。本专利技术还涉及根据上述方法制造的PCBs；及包括该PCBs的电子装置。附图说明以下通过例示性的参考附图说明本专利技术的实施方式，其中：图1是已知多层载体箔的示意图；图2是本专利技术的多层载体箔的示意图；图3是具有夹置于二片本专利技术的多层载体箔之间的内侧基板层的芯结构的示意图；图4是基于图3的该芯结构并将光刻胶层添加至该超薄铜层的外侧表面以形成图案的示意图；图5是基于图4的结构并以导电材料图案化于该光刻胶层周围的该超薄铜层的外侧表面的示意图；图6是基于图5的结构并将该光刻胶层移除以暴露该导电材料的图案的示意图；图7是基于图6的图案化结构并将外侧基板材料添加于该经图案化的导电材料的示意图；图8是显示将图7的结构夹置于二个图1的已知多层载体箔的该超薄铜层之间的示意图；图9是图8的该已知铜载体层及该已知铬或有机剥离层被移除，形成穿过该已知超薄铜层及该外侧基板层至导电材料的开口的结构示意图；图10是以附加导电材料填满图9的开口的图案的结构示意图，视需要地包括附加导电材料(铜)以增厚该超薄铜层；图11是基于图10的结构并以光刻胶层添加至该超薄铜层的外侧表面的结构示意图，其中该超薄铜层已视需要被增厚；图12是图11的该超薄铜层(已视需要被增厚)中未被该光刻胶层保护的区域被移除的结构示意图；图13是图12的该光刻胶层被移除的结构示意图；图14是显示该经图案化的外侧基板层、该超薄铜层、该抗迁移层及该中间铜层沿着该铬剥离层分离的示意图；图15是移除该中间铜层、该抗迁移层、及该超薄铜层后的经图案化外侧基板层的示意图；以及图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多层载体箔，包括：/n(a)铜载体层，具有剥离侧及层压侧，该铜载体层的层压侧视需要具有粗化粒子；/n(b)铬剥离层，施加于该铜载体层(a)的剥离侧；/n(c)中间铜层，施加于该铬剥离层(b)；/n(d)抗迁移层，施加于该中间铜层(c)，其中，该抗迁移层(d)的厚度为0.5微米至3微米；以及/n(e)超薄铜层，施加于该抗迁移层(d)。/n

【技术特征摘要】
20161128 US 15/3619831.一种多层载体箔，包括：
(a)铜载体层，具有剥离侧及层压侧，该铜载体层的层压侧视需要具有粗化粒子；
(b)铬剥离层，施加于该铜载体层(a)的剥离侧；
(c)中间铜层，施加于该铬剥离层(b)；
(d)抗迁移层，施加于该中间铜层(c)，其中，该抗迁移层(d)的厚度为0.5微米至3微米；以及
(e)超薄铜层，施加于该抗迁移层(d)。


2.如权利要求1所述的多层载体箔，其特征在于，该铬剥离层(b)具有10微克/平方分米至40微克/平方分米的铬含量。


3.如权利要求1所述的多层载体箔，其特征在于，该中间铜层(c)的厚度为0.5微米至5微米。


4.如权利要求1所述的多层载体箔，其特征在于，该抗迁移层(d)是镍层。


5.如权利要求1所述的多层载体箔，其特征在于，该超薄铜层(e)的厚度为1微米至8微米。


6.如权利要求1所述的多层载体箔，其特征在于，该超薄铜层(e)的厚度为1微米至5微米。


7.如权利要求1所述的多层载体箔，其特征在于，该铜载体层(a)的厚度为10微米至50微米。


8.如权利要求1所述的多层载体箔，还包括防锈层，位于该超薄铜层的暴露表面及/或该铜载体层的层压侧的暴露表面。


9.如权利要求8所述的多层载体箔，其特征在于，该防锈层包含铬。


10.一种芯结构，包括：
内侧基板层，夹置于二片如权利要求1所述的多层载体箔之间，其特征在于，该内侧基板层的二侧贴附于该二片铜载体箔的层压侧。


11.如权利要求10所述的芯结构，其特征在于，该内侧基板层包括酚醛树脂、环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪、聚酰亚胺、液晶聚合物、聚氧化二甲苯、聚苯醚、聚四氟乙烯、氰酸酯及这些的混合物。


12.一种制造如权利要求1所述的多层载体箔的方法，包括：
(a)形成具有剥离侧及层压侧的铜载体层，该铜载体层的层压侧视需要具有粗化粒子；
(b)于该铜载体层(a)的剥离侧上形成铬剥离层；
(c)于该铬剥离层(b)上形成中...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖耀生，郑桂森，周瑞昌，
申请(专利权)人：长春石油化学股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71