一种低功耗动态偏置比较器制造技术

本发明专利技术属于模拟电路信号处理技术领域，具体为一种低功耗动态偏置比较器。本发明专利技术动态偏置比较器主要包括前置放大器、锁存器以及时序控制电路。本发明专利技术通过增加所述尾电容Ctail与所述复位电容Cp1、Cp2之间的放电通路和相关的时序控制电路，使得在比较器复位阶段开始时，通过将尾电容上的剩余电荷转移到两个复位电容，达到能量复用的目的，以提高比较器的能效；在时序控制电路中，在比较器复位阶段可保证不会出现短路。

A low power dynamic bias comparator

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗动态偏置比较器
本专利技术属于模拟电路信号处理
，具体涉及一种低功耗动态偏置比较器。
技术介绍
比较器是现代集成电路芯片中基本的模拟电路模块之一，在AD/DA转换系统、信号检测系统、生物医疗电子等领域均有广泛应用。随着低功耗技术的发展以及人们对芯片性能的要求不断提高，比较器性能不断提升的同时，各个指标之间的矛盾显得更加突出，尤其是功耗和速度之间的关系。要使比较器分辨出更细微的电压差异，通常需要降低比较器的速度，来换取更多的比较时间，让比较器有更充足的时间得出正确的结果，这种方法使得比较器在导通状态的时间更长，从而动态功耗也就越大。动态偏置比较器就利用了这一方法，通过改变输入对管的工作状态使其进入亚阈值区，从而减小导通电流，节省动态功耗（例如在2018年JSSC期刊上Harijot等人发表的《A1.2VDynamicBiasLatch-TypeComparatorin65nmCMOSWith0.4mVInputNoise》）。但是在比较阶段结束后，尾电容上的电量被直接放电到地，造成了这一部分电量未被充分利用。在不改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功耗动态偏置比较器，其特征在于，该比较器电路包括：前置放大器、锁存器和时序控制电路；其中：/n所述前置放大器中，输入对管M1、M2源极接晶体管M14漏极，晶体管M14源极接尾电容Ctail上极板，尾电容Ctail下极板分别接晶体管M15漏极和晶体管M16漏极，晶体管M15源极接VDD，晶体管M16源极接地；输入对管M1、M2漏极分别接晶体管M3、晶体管M4漏极，晶体管M3、晶体管M4源极接晶体管M17漏极和尾电容Ctail上极板，晶体管M17源极接VDD；输入对管M1、M2漏极分别接复位电容Cp1、Cp2上极板，复位电容Cp1、Cp2下极板接地；复位电容Cp1、Cp2上极板分别接锁存...

【技术特征摘要】
1.一种低功耗动态偏置比较器，其特征在于，该比较器电路包括：前置放大器、锁存器和时序控制电路；其中：
所述前置放大器中，输入对管M1、M2源极接晶体管M14漏极，晶体管M14源极接尾电容Ctail上极板，尾电容Ctail下极板分别接晶体管M15漏极和晶体管M16漏极，晶体管M15源极接VDD，晶体管M16源极接地；输入对管M1、M2漏极分别接晶体管M3、晶体管M4漏极，晶体管M3、晶体管M4源极接晶体管M17漏极和尾电容Ctail上极板，晶体管M17源极接VDD；输入对管M1、M2漏极分别接复位电容Cp1、Cp2上极板，复位电容Cp1、Cp2下极板接地；复位电容Cp1、Cp2上极板分别接锁存器输入管M11、M10；
所述锁存器中，输入管对M11、M10源极分别接晶体管M13、M12漏极，晶体管M13、M12源极接VDD，晶体管M13栅极接晶体管M7栅极和晶体管M10漏极，晶体管M12栅极接晶体管M8栅极和晶体管M11漏极，晶体管M11漏极接晶体管M5、M7漏极，晶体管M10漏极接晶体管M8、M6漏极，晶体管M5、M7、M8、M6源极接地；
所述时序控制电路中，时钟信号clk接晶体管M3、M4、M14、M16栅极，时钟信号clkn接晶体管M5、M6栅极，时钟信号clk1接晶体管M15管栅极。


2.根据权利要求1所述的低...

【专利技术属性】
技术研发人员：李宗源，穆庚，叶大蔚，张怡云，史传进，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：上海;31