记忆体控制装置、控制方法及其安全特征的生成方法制造方法及图纸

本申请公开了记忆体控制装置、控制方法及其安全特征的生成方法。一种快闪记忆体的安全特征的生成方法，其包括：抹除快闪记忆体的一记忆区块、不带验证地写入抹除后的记忆区块、取得写入后的记忆区块内的多个单元、以及基于取得的单元建立一安全特征。

Memory control device, control method and generation method of security feature

【技术实现步骤摘要】
记忆体控制装置、控制方法及其安全特征的生成方法
本专利技术是关于数据储存装置，特别是关于快闪记忆体的存取方法。
技术介绍
快闪记忆体(FlashMemory)是近年来在电子装置中常用的储存装置。快闪记忆体是一种非易失性记忆体。以非与门快闪记忆体(NANDFlash)为例，快闪记忆体常被应用在记忆卡、通用序列汇流排闪存装置(USBFlashDevice)、固态硬盘(SolidStateDisk，SSD)等储存装置。快闪记忆体所提供的储存阵列由多个区块(Block)所构成，并且各区块包括复数页(Page)。快闪记忆体在复制或抹除(Erase)数据时，是以整个区块内的所有页为单位来进行。如何防止重要数据(如，数位钱包的密钥码)窃取，是储存设计上的一大考量。然而，在不允许复制的情况下，快闪记忆体中的重要数据仍可通过拆解储存装置后以第三方软体(SoftwareTool)以及第三方记忆体控制器(FlashController)复制至另一储存装置中。
技术实现思路
在一实施例中，一种快闪记忆体的安全特征的生成方法，其包括：抹除快闪本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快闪记忆体的安全特征的生成方法，包括：/n抹除该快闪记忆体的一记忆区块；/n不带验证地写入抹除后的该记忆区块；/n取得写入后的该记忆区块内的多个单元；以及/n基于该多个单元建立一安全特征。/n

【技术特征摘要】
1.一种快闪记忆体的安全特征的生成方法，包括：
抹除该快闪记忆体的一记忆区块；
不带验证地写入抹除后的该记忆区块；
取得写入后的该记忆区块内的多个单元；以及
基于该多个单元建立一安全特征。


2.如权利要求1所述的快闪记忆体的安全特征的生成方法，其中抹除该快闪记忆体的该记忆区块的步骤包括：
首次抹除该快闪记忆体的该记忆区块；
写入首次抹除后的该记忆区块；以及
再次抹除写入后的该记忆区块。


3.如权利要求1所述的快闪记忆体的安全特征的生成方法，其中该安全特征为包括取得的该多个单元的电位或位置的一特殊编码。


4.如权利要求1所述的快闪记忆体的安全特征的生成方法，其中该安全特征为由取得的该多个单元或取得的该多个单元的连线所构成的一特征图像。


5.一种记忆体控制装置，适用于控制一快闪记忆体的存取作业，该快闪记忆体包括多个记忆区块，其中该记忆体控制装置包括：
一储存单元，储存一预存的安全特征；以及
一数据读写电路，耦接该快闪记忆体，接收一数据存取要求并且执行一安全确认程序以确认是否允许该数据存取要求，其中在该安全确认程序中，该数据读写电路抹除该多个记忆区块中之一、不带验证地写入抹除后的该记忆区块、取得写入后的该记忆区块内的多个单元、基于该多个单元建立一安全特征、比对建立的该安全特征与该预存的安全特征、在建立的该安全特征相符于该预...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄识夫，陈政宇，谢易霖，萧景隆，
申请(专利权)人：合肥沛睿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34