【技术实现步骤摘要】
一种射频功率放大器中晶体管S参数提取方法
本专利技术涉及射频晶体管S参数提取领域，尤其涉及一种射频功率放大器中晶体管S参数提取方法。
技术介绍
晶体管作为射频电路的核心器件，其可靠性问题得到广泛关注[1]，[2]。研究表明，应力实验是研究晶体管可靠性的重要手段[3]。大多数应力实验是升高晶体管的供电电压以加速晶体管退化的物理效应，如加速热载流子注入效应（HCI）、负偏压温度不稳定效应（NBTI）和与时间相关的击穿效应（TDDB）等，获得退化后晶体管的参数。目前，已有研究人员应用这种应力实验获取退化后晶体管的S参数，并提取其退化后的射频小信号模型[4]。但这种模型参数提取结果不具有指导射频功率放大器设计的功能。原因是：射频输入功率会影响晶体管的性能退化[5]，而已有研究的模型并没有考虑射频功率的影响。除此之外，不同类型的射频功率放大器，其输出电压波形不同，且输出等效电压值极大，如E类射频功率放大器的输出电压大于3.5倍漏极直流供电电压，同样会影响晶体管的性能退化。因此，为了指导射频功率放大器可靠性设计，需要考虑射频信号的影响。...
【技术保护点】
1.一种射频功率放大器中晶体管S参数提取方法，其特征在于：包括如下步骤：/n1、设计一款射频功率功率放大器，包括输入匹配网络、晶体管和输出匹配网络；/n2、测试整个射频功率放大器的S参数，即S
【技术特征摘要】
1.一种射频功率放大器中晶体管S参数提取方法，其特征在于：包括如下步骤：
1、设计一款射频功率功率放大器，包括输入匹配网络、晶体管和输出匹配网络；
2、测试整个射频功率放大器的S参数，即SPA；
3、测试射频功率放大器输入匹配网络的S参数，即SIM；
4、测试射频功率放大器输出匹配网络的S参数，即SOM；
5、应用微波网络理论，利用上述测试得到的3...
【专利技术属性】
技术研发人员：马建国，杨闯，周绍华，杨自凯，赵升，
申请(专利权)人：天津大学青岛海洋技术研究院，
类型：发明
国别省市：山东;37
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