低硅转移硅胶压敏胶保护膜制造技术

本发明专利技术公开的一种低硅转移硅胶压敏胶保护膜，所述低硅转移硅胶压敏胶保护膜自上而下依次包括低硅转移层、胶黏层、基材层，其中所述低硅转移层以重量计份包括如下成分：三氟氯乙烯‑乙烯亚胺‑丙烯酸含氟酯共聚物40‑60份；聚乙二醇甲基丙烯酸酯20‑25份；氨基改性聚硅氧烷16‑18份；酰亚胺15‑25份；含氟有机溶剂10‑15份；复合助剂3‑5份。本发明专利技术公开的低硅转移硅胶压敏胶保护膜由于硅成分含量少，故不会引起硅污染，转移时不会留下残留物或者造成黑影现象。

Low silicon transfer silicone pressure sensitive adhesive protective film

【技术实现步骤摘要】
低硅转移硅胶压敏胶保护膜
本专利技术涉及保护膜，特别涉及一种低硅转移硅胶压敏胶保护膜。
技术介绍
硅胶压敏胶通常由硅橡胶、有机硅树脂、交联剂等成分组成。传统的硅胶压敏胶保护膜一般为含硅离型材料，如硅油、OP蜡等。虽然硅胶压敏胶保护膜可以适用于不同剥离力的离型层，且使用效果较好，但在后续转移工艺过程中容易在离型膜界面存在残留物，且残留的含硅材料易造成硅污染。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种低硅转移硅胶压敏胶保护膜，所述低硅转移硅胶压敏胶保护膜自上而下依次包括低硅转移层、胶黏层、基材层，其中所述低硅转移层以重量计份包括如下成分：优选的是，其中，所述三氟氯乙烯-乙烯亚胺-丙烯酸含氟酯共聚物制备方法为：在真空条件下向高压釜中加入100-150重量份的水和150-200重量份的含氟有机溶剂，再分别加入75-80重量份丙烯酸含氟酯单体、40-60重量份的酰亚胺单体和1.2-2.0重量份的分子量调节剂四氯甲烷，同时搅拌升温至60-70℃，再导入25-30重量份的三氟氯乙烯单本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低硅转移硅胶压敏胶保护膜，其特征在于，所述低硅转移硅胶压敏胶保护膜自上而下依次包括低硅转移层、胶黏层、基材层，其中所述低硅转移层以重量计份包括如下成分：/n

【技术特征摘要】
1.一种低硅转移硅胶压敏胶保护膜，其特征在于，所述低硅转移硅胶压敏胶保护膜自上而下依次包括低硅转移层、胶黏层、基材层，其中所述低硅转移层以重量计份包括如下成分：





2.根据权利要求1所述的低硅转移硅胶压敏胶保护膜，其特征在于，所述三氟氯乙烯-乙烯亚胺-丙烯酸含氟酯共聚物制备方法为：在真空条件下向高压釜中加入100-150重量份的水和150-200重量份的含氟有机溶剂，再分别加入75-80重量份丙烯酸含氟酯单体、40-60重量份的酰亚胺单体和1.2-2.0重量份的分子量调节剂四氯甲烷，同时搅拌升温至60-70℃，导入25-30重量份的三氟氯乙烯单体，调节聚合压力为0.8-2.2MPa后加入3-5重量份的引发剂过硫酸铵，保温3-4h后降温过滤得到三氟氯乙烯-酰亚胺-丙烯酸含氟酯共聚物。


3.根据权利要求1所述的低硅转移硅胶压敏胶保护膜，其特征在于，所述含氟有机溶剂包括二氟氯甲烷、2,3-二氟苯乙酸、对氟苯乙酸、全氟三丙胺中的一种或多种的混合物。


4.根据权利要求1所述的低硅转移硅胶压敏胶保护膜，其特征在于，所述复合助剂以重量计份包括如下成分：酚醛环氧丙烯酸树酯50-60份；丙烯酸酯单体15-25份；引发剂1-2份；促进剂6-8份；流平剂0.5-1份；消泡剂0.1-0.2份。

【专利技术属性】
技术研发人员：叶爱磊，王磊，戴玮洁，韩仲友，谈纪金，
申请(专利权)人：苏州泰仑电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32