电容器、电容器封装结构及其制作方法技术

技术编号:23534198 阅读:23 留言:0更新日期:2020-03-20 08:14
本发明专利技术公开一种电容器、电容器封装结构及其制作方法。电容器包括导电高分子材料。导电高分子材料由含有多个导电高分子颗粒的溶液所制成。导电高分子颗粒的粒径至少小于30nm,以使得电容器接收到突波电流时所产生的容衰至少小于10%。另外,电容器封装结构包括导电高分子材料。导电高分子材料由含有多个导电高分子颗粒的溶液所制成。借此,由于导电高分子颗粒的粒径至少小于30nm,所以能使得电容器封装结构接收到突波电流时所产生的容衰至少小于10%。

Packaging structure and manufacturing method of capacitor and capacitor

【技术实现步骤摘要】
电容器、电容器封装结构及其制作方法
本专利技术涉及一种电容器、电容器封装结构及其制作方法,特别是涉及一种当接收到突波电流时所产生的容衰至少小于10%的电容器、电容器封装结构及其制作方法。
技术介绍
电容器已广泛地被使用于消费性家电用品、电脑主机板及其周边、电源供应器、通讯产品以及汽车等的基本元件,其主要的作用包括滤波、旁路、整流、耦合、去耦、转相等,是电子产品中不可缺少的元件之一。电容器依照不同的材质以及用途,有不同的型态,包括铝质电解电容器、钽质电解电容器、积层陶瓷电容器、薄膜电容器等。现有技术中,固态电解电容器具有小尺寸、大电容量、频率特性优越等优点,而可使用于中央处理器的电源电路的解耦合作用。然而,现有技术中的电容器在接收到突波电流时所产生的容衰会大于10%,而严重影响电容器的电器特性,其仍然具有可改善空间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于,针对现有技术的不足提供一种电容器、电容器封装结构及其制作方法。为了解决上述的技术问题,本专利技术所采用的其中一技术方案是,提供一种电容器,所述电容器包括至少一导电高分子材料,至少一所述导电高分子材料由含有多个导电高分子颗粒的溶液所制成,所述导电高分子颗粒的粒径至少小于30nm,以使得所述电容器接收到突波电流时所产生的容衰至少小于10%。更进一步地,所述电容器为一堆叠型电容器单元,所述堆叠型电容器单元包括:一金属箔片;一氧化层,所述氧化层形成在所述金属箔片的外表面上,以完全包覆所述金属箔片;一导电高分子层,所述导电高分子层形成在所述氧化层上,以部分地包覆所述氧化层;一碳胶层,所述碳胶层形成在所述导电高分子层上,以包覆所述导电高分子层;以及一银胶层,所述银胶层形成在所述碳胶层上,以包覆所述导电高分子层;其中,所述导电高分子层由包括有多个所述导电高分子颗粒的至少一所述导电高分子材料所制成,且全部或者至少80%的多个所述导电高分子颗粒的粒径小于25nm。更进一步地,所述堆叠型电容器单元还进一步包括:一围绕状阻隔层,所述围绕状阻隔层围绕地形成在所述氧化层的一外表面上,以将所述氧化层的所述外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面,且所述导电高分子层形成在所述氧化层的所述第二部分外表面上且完全包覆所述氧化层的所述第二部分外表面;其中,所述碳胶层形成在所述导电高分子层的一外表面上且完全包覆所述导电高分子层的所述外表面,所述银胶层形成在所述碳胶层的一外表面上且完全包覆所述碳胶层的所述外表面,且所述围绕状阻隔层的一外周围表面相对于所述氧化层的距离大于、小于或者等于所述银胶层的一外周围表面相对于所述氧化层的距离;其中,所述导电高分子层的一末端、所述碳胶层的一末端以及所述银胶层的一末端都接触或者分离所述围绕状阻隔层,以使得所述导电高分子层的长度、所述碳胶层的长度以及所述银胶层的长度都受到所述围绕状阻隔层的限制。更进一步地,所述电容器为一卷绕型电容器单元,所述卷绕型电容器单元包括:一卷绕式正极导电箔片;一卷绕式负极导电箔片;以及两个卷绕式隔离片,两个所述卷绕式隔离片的其中一个设置在所述卷绕式正极导电箔片与所述卷绕式负极导电箔片之间;其中,所述卷绕式隔离片通过含浸方式以附着有包括多个所述导电高分子颗粒的至少一所述导电高分子材料;其中,全部或者至少80%的多个所述导电高分子颗粒的粒径至少小于30nm。为了解决上述的技术问题,本专利技术所采用的另外一技术方案是,提供一种电容器封装结构,所述电容器封装结构包括至少一导电高分子材料,至少一所述导电高分子材料由含有多个导电高分子颗粒的溶液所制成,所述导电高分子颗粒的粒径至少小于30nm,以使得所述电容器封装结构接收到突波电流时所产生的容衰至少小于10%。更进一步地,所述电容器封装结构还进一步包括一导电组件,所述导电组件包括至少一正极导电接脚以及与至少一所述正极导电接脚彼此分离的至少一负极导电接脚;多个第一堆叠型电容器单元,多个所述第一堆叠型电容器单元依序堆叠且设置在至少一所述正极导电接脚与至少一所述负极导电接脚之间,每一个所述第一堆叠型电容器单元包括:一金属箔片;一氧化层,所述氧化层形成在所述金属箔片的外表面上,以完全包覆所述金属箔片;一导电高分子层,所述导电高分子层形成在所述氧化层上,以部分地包覆所述氧化层;一碳胶层,所述碳胶层形成在所述导电高分子层上,以包覆所述导电高分子层;以及一银胶层,所述银胶层形成在所述碳胶层上,以包覆所述导电高分子层;以及一封装结构,所述封装结构包覆多个所述第一堆叠型电容器单元的全部与所述导电组件的一部分;其中,所述导电高分子层由包括有多个所述导电高分子颗粒的至少一所述导电高分子材料所制成,且全部或者至少80%的多个所述导电高分子颗粒的粒径小于25nm。更进一步地,所述电容器封装结构还进一步包括:多个第二堆叠型电容器单元,多个所述第二堆叠型电容器单元依序堆叠且设置在至少一所述正极导电接脚与至少一所述负极导电接脚之间,多个所述第二堆叠型电容器单元全部被所述封装结构所包覆,且所述第一堆叠型电容器单元与所述第二堆叠型电容器单元分别位于所述导电组件的两相反侧端上;其中,至少一所述正极导电接脚具有被所述封装结构所包覆的一第一内埋部以及裸露在所述封装结构的外部的一第一外露部,且至少一所述正极导电接脚具有贯穿所述第一内埋部且被所述封装结构所填充的至少一第一穿孔;其中,至少一所述负极导电接脚具有被所述封装结构所包覆的一第二内埋部以及裸露在所述封装结构的外部的一第二外露部,且至少一所述负极导电接脚具有贯穿所述第二内埋部且被所述封装结构所填充的至少一第二穿孔。更进一步地,所述电容器封装结构还进一步包括:一卷绕型电容器单元,所述卷绕型电容器单元包括一卷绕式正极导电箔片、一卷绕式负极导电箔片以及两个卷绕式隔离片,其中,两个所述卷绕式隔离片的其中一个设置在所述卷绕式正极导电箔片与所述卷绕式负极导电箔片之间,且所述卷绕式正极导电箔片与所述卷绕式负极导电箔片两个的其中一个设置在两个所述卷绕式隔离片之间;一封装结构,所述卷绕型电容器单元被包覆在所述封装结构的内部;以及一导电组件,所述导电组件包括一电性接触所述卷绕式正极导电箔片的第一导电接脚以及一电性接触所述卷绕式负极导电箔片的第二导电接脚,其中,所述第一导电接脚具有一被包覆在所述封装结构的内部的第一内埋部以及一裸露在所述封装结构的外部的第一外露部,且所述第二导电接脚具有一被包覆在所述封装结构的内部的第二内埋部以及一裸露在所述封装结构的外部的第二外露部;其中,所述卷绕式隔离片通过含浸方式以附着有包括多个所述导电高分子颗粒的至少一所述导电高分子材料;其中,全部或者至少80%的多个所述导电高分子颗粒的粒径至少小于30nm。为了解决上述的技术问题,本专利技术所采用的另外再一技术方案是,提供一种电容器封装结构的制作方法,其包括:提供一导电组件;将至少一电容器设置在所述导电组件上,所述导电组件包括至少一正极导电接脚以及与至少一所述正极导电接脚彼此分离的至少一负极导电接脚;以及形成一封装结构以包覆至少一个所述电容器的全部与所述导电组件的一部分;其中,至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器,其特征在于,所述电容器包括至少一导电高分子材料,至少一所述导电高分子材料由含有多个导电高分子颗粒的溶液所制成,所述导电高分子颗粒的粒径至少小于30nm,以使得所述电容器接收到突波电流时所产生的容衰至少小于10%。/n

【技术特征摘要】
1.一种电容器,其特征在于,所述电容器包括至少一导电高分子材料,至少一所述导电高分子材料由含有多个导电高分子颗粒的溶液所制成,所述导电高分子颗粒的粒径至少小于30nm,以使得所述电容器接收到突波电流时所产生的容衰至少小于10%。


2.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述电容器为一堆叠型电容器单元,所述堆叠型电容器单元包括:
一金属箔片;
一氧化层,所述氧化层形成在所述金属箔片的外表面上,以完全包覆所述金属箔片;
一导电高分子层,所述导电高分子层形成在所述氧化层上,以部分地包覆所述氧化层;
一碳胶层,所述碳胶层形成在所述导电高分子层上,以包覆所述导电高分子层;以及
一银胶层,所述银胶层形成在所述碳胶层上,以包覆所述导电高分子层;
其中,所述导电高分子层由包括有多个所述导电高分子颗粒的至少一所述导电高分子材料所制成,且全部或者至少80%的多个所述导电高分子颗粒的粒径小于25nm。


3.根据权利要求2所述的电容器,其特征在于,所述堆叠型电容器单元还进一步包括:一围绕状阻隔层,所述围绕状阻隔层围绕地形成在所述氧化层的一外表面上,以将所述氧化层的所述外表面划分成彼此分离的一第一部分外表面以及一第二部分外表面,且所述导电高分子层形成在所述氧化层的所述第二部分外表面上且完全包覆所述氧化层的所述第二部分外表面;其中,所述碳胶层形成在所述导电高分子层的一外表面上且完全包覆所述导电高分子层的所述外表面,所述银胶层形成在所述碳胶层的一外表面上且完全包覆所述碳胶层的所述外表面,且所述围绕状阻隔层的一外周围表面相对于所述氧化层的距离大于、小于或者等于所述银胶层的一外周围表面相对于所述氧化层的距离;其中,所述导电高分子层的一末端、所述碳胶层的一末端以及所述银胶层的一末端都接触或者分离所述围绕状阻隔层,以使得所述导电高分子层的长度、所述碳胶层的长度以及所述银胶层的长度都受到所述围绕状阻隔层的限制。


4.根据权利要求1所述的电容器,其特征在于,所述电容器为一卷绕型电容器单元,所述卷绕型电容器单元包括:
一卷绕式正极导电箔片;
一卷绕式负极导电箔片;以及
两个卷绕式隔离片,两个所述卷绕式隔离片的其中一个设置在所述卷绕式正极导电箔片与所述卷绕式负极导电箔片之间;
其中,所述卷绕式隔离片通过含浸方式以附着有包括多个所述导电高分子颗粒的至少一所述导电高分子材料;
其中,全部或者至少80%的多个所述导电高分子颗粒的粒径至少小于30nm。


5.一种电容器封装结构,其特征在于,所述电容器封装结构包括至少一导电高分子材料,至少一所述导电高分子材料由含有多个导电高分子颗粒的溶液所制成,所述导电高分子颗粒的粒径至少小于30nm,以使得所述电容器封装结构接收到突波电流时所产生的容衰至少小于10%。


6.根据权利要求5所述的电容器封装结构,其特征在于,所述电容器封装结构还进一步包括:
一导电组件,所述导电组件包括至少一正极导电接脚以及与至少一所述正极导电接脚彼此分离的至少一负极导电接脚;
多个第一堆叠型电容器单元,多个所述第一堆叠型电容器单元依序堆叠且设置在至少一所述正极导电接脚与至少一所述负极导电接脚之间,每一个所述第一堆叠型电容器单元包括:
一金属箔片;
一氧化层,所述氧化层形成在所述金属箔片的外表面上,以完全包覆所述金属箔片;
一导电高分子层,所述导电高分子层形成在所述氧化层上,以部分地包覆所述氧化层;<...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴家钰
申请(专利权)人:钰冠科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾;71

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