一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法，包括步骤：硫化镉纳米棒的制备、钨酸铋的制备和棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备。本发明专利技术的有益效果是：该制备方法较为简单，制备条件容易控制，所制备的棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料具有无二次污染，光催化活性较好等优点，具有一定的应用价值。

Preparation of rod-shaped CDs composite bismuth tungstate z-heterojunction photocatalysis material

【技术实现步骤摘要】
一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法
本专利技术属于纳米材料制备及应用
，涉及一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法。
技术介绍
在过去的几十年中，半导体光催化剂已经在材料，化学，环境等许多多学科领域得到广泛研究。数百种半导体光催化剂已被用于多功能应用，如氢气（H2）生产和能源领域的二氧化碳减排，以及环境污染控制中的污水处理和空气净化。然而，这些半导体光催化剂都不能满足实际应用的所有要求，例如，太阳能的高利用率，高安全性，高效率，高稳定性和低成本。因此，通过偶联优化性能，添加助催化剂，构建合适的异质结等来开发性能优异的光催化材料是当务之急。与常规异质结相比，具有直接Z型异质结的光催化剂显示出相当强的氧化还原能力并阻碍光生载流子的重组。这是因为较低导带（CB）上的光生电子将与较高价带（VB）上的光生空穴重新结合，模仿植物的光合作用，以保持光生载流子的较高氧化还原活性。此外，由于光生载流子之间的静电吸引，Z型异质结结的载流子迁移在物理上比传统异质结更可行。在所研究的各种类型的半导体光催化剂中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）硫化镉纳米棒的制备：将4.66 g Cd(NO

【技术特征摘要】
1.一种棒状硫化镉复合钨酸铋Z型异质结光催化材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）硫化镉纳米棒的制备：将4.66gCd(NO3)2·4H2O与3.45g硫脲同时溶于70mL乙二胺中，在室温下搅拌30min；然后将上述混合物转移到聚四氟乙烯内衬不锈钢高压釜中，在160℃下持续反应24h，当反应釜冷却至室温后，用去离子水和无水乙醇反复洗涤所得产物，并在60℃下干燥8h；
（2）钨酸铋的制备：称取0.97014g的Bi(NO3)3·5H2O，0.32985g的Na2WO4·2H2O，0.05gCTAB，将它们依次倒入洁净的100mL烧杯中，加入80mL去离子水，在室温下搅拌30min；然后将混合物转移到聚四氟乙烯不锈钢高压釜中，在200℃下持续反应24h；反应结束后，将反应物冷却至室温，离心分离，用水和乙醇依次清洗，所得产物在60℃下干燥24h后即为钨酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：李忠玉，张彤彤，孙卓，梁倩，周满，徐松，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32