【技术实现步骤摘要】
接口电子电路和电子设备
本公开涉及一种接口电子电路和电子设备。
技术介绍
众所周知，电容型的声换能器(特别是MEMS麦克风)一般包括：设置在半导体材料的第一裸片中的通常为硅的MEMS检测结构；通常在半导体材料的第二裸片中作为ASIC(专用集成电路)提供的读取和偏置接口电子电路；和封装，在封装中容纳两个裸片(即MEMS检测结构的裸片和接口电子电路的裸片)并且设置有用于输入声压波的孔和用于在接口电子电路和相同的封装外部之间进行电连接的适当元件。以已知的方式，MEMS检测结构通常包括被制成膜片或薄膜的移动电极，其被布置成朝向固定的电极以提供具有可变电容的感测电容器的极板。移动电极通常借助于其外周部分锚固到基板，而其中间部分响应于由入射声压波施加的压力而自由移动或弯曲。构成移动电极的膜的弯曲引起感测电容器的电容根据待检测的声信号而变化。接口电子电路具有电偏置MEMS检测结构的感测电容器的移动电极和固定电极的功能，并且还具有获取电容变化信号并将其转换成电输出信号(特别是模拟类型的电输出信号)的功能，在声换能器的输出处提
【技术保护点】
1.一种接口电子电路，其特征在于，所述接口电子电路用于电容式声换能器，所述电容式声换能器具有感测电容器，所述接口电子电路包括：/n放大器，具有耦合到所述感测电容器的第一电极的输入；/n电压调节器，被配置为接收调节器基准电压，基于所述调节器基准电压生成调节电压，并且将所述调节电压提供给所述放大器的电源输入；/n共模控制电路，被配置为基于共模基准电压控制所述放大器的所述输入上存在的共模电压；和/n基准生成器，被配置为接收电源电压并且利用根据所述电源电压可变的相应值生成所述调节器基准电压和所述共模基准电压。/n
【技术特征摘要】
20180418 IT 1020180000046651.一种接口电子电路，其特征在于，所述接口电子电路用于电容式声换能器，所述电容式声换能器具有感测电容器，所述接口电子电路包括：
放大器，具有耦合到所述感测电容器的第一电极的输入；
电压调节器，被配置为接收调节器基准电压，基于所述调节器基准电压生成调节电压，并且将所述调节电压提供给所述放大器的电源输入；
共模控制电路，被配置为基于共模基准电压控制所述放大器的所述输入上存在的共模电压；和
基准生成器，被配置为接收电源电压并且利用根据所述电源电压可变的相应值生成所述调节器基准电压和所述共模基准电压。
2.根据权利要求1所述的接口电子电路，其特征在于，所述基准生成器被配置为生成与所述电源电压成比例的所述调节器基准电压和所述共模基准电压，所述调节器基准电压和所述共模基准电压分别作为所述电源电压乘以第一乘法因子和第二乘法因子的乘积。
3.根据权利要求1所述的接口电子电路，其特征在于，还包括电荷泵，所述电荷泵耦合到所述感测电容器的第二电极并且被配置为基于所述电源电压和电荷泵基准电压生成升压电压，其中所述基准生成器被配置为利用根据所述电源电压可变的值生成所述电荷泵基准电压。
4.根据权利要求3所述的接口电子电路，其特征在于，所述基准生成器被配置为作为第一分量和第二分量的组合而生成所述电荷泵基准电压，所述第一分量在所述电源电压变化时固定并且基于电压基准而被生成，所述第二分量根据所述电源电压可变，其中所述第二分量具有低于所述第一分量的值。
5.根据权利要求4所述的接口电子电路，其特征在于，所述第二分量的值低于所述第一分量的值的1％。
6.根据权利要求4所述的接口电子电路，其特征在于，所述第二分量等于所述电源电压和所述电压基准之间的差乘以相应的乘法因子。
7.根据权利要求3所述的接口电子电路，其特征在于，还包括滤波器，所述滤波器被配置为实施对由所述基准生成器生成的所述调节器基准电压、所述共模基准电压和所述电荷泵基准电压的低通滤波，其中所述滤波器包括：
滤波输入；
滤波输出；
高阻抗电路，连接在所述滤波输入和所述滤波输出之间；
电容器，连接到所述滤波输出；和
开关，与所述高阻抗电路并联连接，并且被定时信号驱动成在所述接口电子电路的启动阶段期间的启动时间间隔之内为闭合状态，并且在所述启动时间间隔之外为断开状态。
8.根据权利要求7所述的接口电子电路，其特征在于，所述启动时间间隔在所述接口电子电路的启动或通电时或在从待机或断电状态恢复时发生。
9.根据权利要求3所述的接口电子电路，其特征在于，所述基准生成器包括：
电源输入，被配置为接收所述电源电压；和
第一分压器，耦合到所述电源输入，所述第一分压器具有第一分压器节点和第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·达尼奥尼，A·莫尔切利，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：意大利;IT
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