一种实时监测宽幅带电粒子束密度分布的探测器制造技术

技术编号:23497514 阅读:31 留言:0更新日期:2020-03-13 12:54
本发明专利技术公开了一种实时监测宽幅带电粒子束密度分布的探测器,包括若干根连接杆、上游接地电极板、下游接地电极板及均包含一绝缘基板的上游二次电子抑制电极板、束流收集板、下游二次电子抑制电极板、阻挡式接地电极板和阻挡式二次电子抑制电极板。本发明专利技术公开的实时监测宽幅带电粒子束密度分布的探测器,可应用于如生物和材料改性辐照实验、生物制品生产、粒子辐射育种、核孔膜生产等相关物理实验及工业生产过程中带电粒子束密度分布的监测以及需要精确控制和实时监视束流的密度分布等场合。

A detector for real-time monitoring the beam density distribution of wide-band charged particles

【技术实现步骤摘要】
一种实时监测宽幅带电粒子束密度分布的探测器
本专利技术涉及一种实时监测宽幅带电粒子束密度分布的探测器。
技术介绍
总电流强度为I的粒子束辐照在面积为A的区域上,则该粒子束的平均束流密度若通过区域A中任意一点p的小邻域(该小邻域的面积为σ)的流强为Iσ,则该点p上的束流密度为ρ(p)≈Iσ/σ。由于束流的不均匀性,区域A中任意一点上的束流密度ρ(p)总是偏离平均束流密度参数束流密度分布反映带电粒子的均匀性及其强度,在科学实验和工业生产中,通常需要将束流均匀地辐照到样品或产品上,因此束流密度分布至关重要。很多情况下,辐照在样品上的束流通常是经过电场、磁场等扫描装置后形成的宽幅扁平束。一般地,扫描束流的包络范围高约几毫米到几厘米,宽约几厘米至一两米。目前通常采用法拉第筒阵列探测器、荧光靶或荧光屏探测器、固体径迹探测器、气体探测器等探测器作为测量设备对这种宽幅扁平束的束流密度进行测量。然而,法拉第筒阵列探测器在辐照样品时,无法实时监测束流的密度分布且其位置分辨较差(一般各个法拉第筒的排布周期在厘米量级)的问题。由于荧光强度与粒子的种类、能量、电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种实时监测宽幅带电粒子束密度分布的探测器,其特征在于,包括若干根连接杆(6)、上游接地电极板(1)、下游接地电极板(5)及均包含一绝缘基板(100)的上游二次电子抑制电极板(2)、束流收集板(3)、下游二次电子抑制电极板(4)、阻挡式接地电极板(7)和阻挡式二次电子抑制电极板(8),/n所述束流收集板(3)的绝缘基板(100)的上部和下部分别设置为束流收集通行板部(31)和束流收集阻挡板部(32);/n多根所述连接杆(6)穿过从左至右依次平行设置的所述上游接地电极板(1)、所述上游二次电子抑制电极板(2)、所述束流收集通行板部(31)、所述下游二次电子抑制电极板(4)和所述下游接地电极板...

【技术特征摘要】
1.一种实时监测宽幅带电粒子束密度分布的探测器,其特征在于,包括若干根连接杆(6)、上游接地电极板(1)、下游接地电极板(5)及均包含一绝缘基板(100)的上游二次电子抑制电极板(2)、束流收集板(3)、下游二次电子抑制电极板(4)、阻挡式接地电极板(7)和阻挡式二次电子抑制电极板(8),
所述束流收集板(3)的绝缘基板(100)的上部和下部分别设置为束流收集通行板部(31)和束流收集阻挡板部(32);
多根所述连接杆(6)穿过从左至右依次平行设置的所述上游接地电极板(1)、所述上游二次电子抑制电极板(2)、所述束流收集通行板部(31)、所述下游二次电子抑制电极板(4)和所述下游接地电极板(5)将其连成一体形成通行式探头装置;
多根所述连接杆(6)穿过从所述阻挡式接地电极板(7)、所述阻挡式二次电子抑制电极板(8)和所述束流收集阻挡板部(32)将其连成一体形成阻挡式探头装置。


2.如权利要求1所述的实时监测宽幅带电粒子束密度分布的探测器,其特征在于,
所述束流收集通行板部(31)上设置有细长条形的束流过孔(9),所述束流收集通行板部(31)的束流过孔(9)的两侧平行设置有上排X电极阵列(311)和下排X电极阵列(312);
所述束流收集阻挡板部(32)上设置有相互垂直的水平电极阵列(321)和竖直电极阵列(322);
所述上排X电极阵列(311)、所述下排X电极阵列(312)、所述水平电极阵列(321)和所述竖直电极阵列(322)均有多个间隔均匀的收集电极;
所述束流收集板(3)的绝缘基板(100)上设置有四个信号引出接口(33),所述水平电极阵列(321)、所述竖直电极阵列(322)、所述上排X电极阵列(311)和所述下排X电极阵列(312)的收集电极分别通过信号线汇集于四个所述信号引出接口(33)。


3.如权利要求1所述的实时监测宽幅带电粒子束密度分布的探测器,其特征在于,
所述上游二次电子抑制电极板(2)和所述下游二次电子抑制电极板(4)的绝缘基板(100)上均设置有便于粒子束流通过的细长条形的束流过孔(9),所述上游二次电子抑制电极板(2)、所述下游二次电子抑制电极板(4)还均包括固定边框(21)和加载电压电极(22),所述加载电压电极(22)铺设于所述上游二...

【专利技术属性】
技术研发人员:薛迎利于得洋
申请(专利权)人:中国科学院近代物理研究所
类型:发明
国别省市:甘肃;62

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