用于测量导通状态的电压损耗的装置和逆变器制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及用于测量电压损耗的装置和逆变器。用于测量功率变流器的功率半导体开关的和与其反并联连接的二极管的导通状态的电压损耗的装置，包括：第一和第二测量套筒；差分测量设备，其具有第一输入端、第二输入端和输出端；至少一个第一二极管；至少一个第二二极管；和电流产生机构，其具有第一输出端和第二输出端并且设置为，从第一和第二输出端产生同样大的电流，第一输出端连接在至少一个第二二极管和差分测量设备的第二输入端之间的连接点处，第二输出端连接在所述至少一个第一二极管和差分测量设备的第一输入端之间的连接点处，差分测量设备的输出电压偏转正偏置电压，其至少与要测量的二极管的导通状态的最大标称电压损耗类似大。

Device and inverter for measuring the voltage loss of on state

【技术实现步骤摘要】
用于测量导通状态的电压损耗的装置和逆变器
本技术涉及一种用于测量功率变流器设备的功率半导体和与其反并联连接的二极管的导通状态的电压损耗的装置，所述功率半导体尤其是功率半导体开关，和涉及一种逆变器。
技术介绍
在电能例如在两个电系统之间传输时，电功率变流器设备如整流器、逆变器或变频器能够用于转换电能。例如，能够借助变流器设备改变要传输的电能的电压和/或频率。电能例如能够从产生电流的系统传输到消耗电流的系统并且同时转变为适合于消耗电流的系统的形式。整流器的实例是二极管电桥，而逆变器的实例是借助于可控的功率半导体开关构成的变流器电桥。变频器典型地还具有整流器和逆变器，在所述整流器和逆变器之间存在直流电压回路或直流电流中间回路。半导体部件具有至少一个半导体连接。如果半导体部件处于导通状态(on-state)，那么电流能够仅沿特定方向跨过该连接。在此，在所述半导体连接中产生的电压损耗的高低与该连接的温度相关。因此，半导体部件的导通状态的电压测量能够用于估计所述半导体部件的半导体连接的温度。此外，半导体部件的导通状态的电压损耗的高低典型地在老化时改本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于测量功率变流器的功率半导体开关的和与其反并联连接的二极管的导通状态的电压损耗的装置，所述装置包括：/n第一测量套筒(11)和第二测量套筒(12)；/n差分测量设备(2)，其具有第一输入端(21)、第二输入端(22)和输出端(23)；/n至少一个第一二极管(D1

【技术特征摘要】
20180312 FI U201840431.一种用于测量功率变流器的功率半导体开关的和与其反并联连接的二极管的导通状态的电压损耗的装置，所述装置包括：
第一测量套筒(11)和第二测量套筒(12)；
差分测量设备(2)，其具有第一输入端(21)、第二输入端(22)和输出端(23)；
至少一个第一二极管(D11，D12)，其连接在所述装置的所述第一测量套筒(11)和所述差分测量设备(2)的所述第一输入端(21)之间，使得所述至少一个二极管(D11，D12)的阴极朝向所述第一测量套筒(11)；
至少一个第二二极管(D21，D22)，其连接在所述第二测量套筒(12)和所述差分测量设备的所述第二输入端(22)之间，
其特征在于，
所述至少一个第二二极管(D21，D22)连接在所述第二测量套筒(12)和所述差分测量设备(2)的所述第二输入端(22)之间，使得所述第二二极管的阴极朝向所述第二测量套筒(12)，
所述装置包括电流产生机构(3)，所述电流产生机构具有第一输出端(31)和第二输出端(32)，并且所述电流产生机构设置为，从所述第一输出端(31)和从所述第二输出端(32)基本上产生同样大的电流，其中所述第一输出端(31)连接在所述至少一个第二二极管(D21，D22)和所述差分测量设备(2)的所述第二输入端(22)之间的连接点处，并且所述第二输出端(32)连接在所述至少一个第一二极管(D11，D12)和所述差分测量设备(2)的所述第一输入端(21)之间的连接点处，并且
所述差分测量设备(2)的输出电压偏转正偏置电压，所述正偏置电压至少与要测量的二极管(D3)的导通状态的最大标称电压损耗(Vref)类似大。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电流产生机构(3)具有电流镜。


3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述差分测量设备(2)具有进行加和的运算放大器(25)和从所述差分测量设备的所述输出端(23)到所述运算放大器(25)的负输入端中的...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤卡佩卡·舍罗斯，
申请(专利权)人：ABB瑞士股份有限公司，
类型：新型
国别省市：瑞士;CH