【技术实现步骤摘要】
二次电池保护装置、保护电路及其控制方法、电池组
本专利技术涉及二次电池保护电路、二次电池保护装置、电池组以及二次电池保护电路的控制方法。
技术介绍
以往，公知有使用串联地插入二次电池的正极与连接于负载或者充电器的电源端子的正端子之间的电流路径的一对NMOS(N-channelMetalOxideSemiconductor：N沟道金属氧化物半导体)晶体管来保护二次电池的保护电路。这种保护电路具备有生成利用一对NMOS晶体管的各输入电容而升压的控制电压的升压电路(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2005－318303号公报然而，根据NMOS晶体管的输入电容所积蓄的电荷移动的时刻，存在NMOS晶体管进行意外动作的可能性。
技术实现思路
因此，本公开提供防止NMOS晶体管的意外动作的二次电池保护电路、二次电池保护装置、电池组以及二次电池保护电路的控制方法。本公开提供一种二次电池保护电路，使用串联地插入二次电池的正极与连接于负载或者充电...
【技术保护点】
1.一种二次电池保护电路，使用串联地插入二次电池的正极与连接于负载或者充电器的电源端子的正端子之间的电流路径的第一NMOS晶体管以及第二NMOS晶体管来保护上述二次电池，其特征在于，/n上述二次电池保护电路具备：/n充电控制端子；/n放电控制端子；/n升压电路，其生成利用栅极与上述充电控制端子连接的上述第一NMOS晶体管以及栅极与上述放电控制端子连接的上述第二NMOS晶体管的各输入电容而升压的控制电压；/n驱动电路，其将上述控制电压供给到上述充电控制端子以及上述放电控制端子，使上述充电控制端子以及上述放电控制端子的各输出状态成为高电平；/n检测电路，其检测上述二次电池的状态...
【技术特征摘要】
20180831 JP 2018-1626471.一种二次电池保护电路，使用串联地插入二次电池的正极与连接于负载或者充电器的电源端子的正端子之间的电流路径的第一NMOS晶体管以及第二NMOS晶体管来保护上述二次电池，其特征在于，
上述二次电池保护电路具备：
充电控制端子；
放电控制端子；
升压电路，其生成利用栅极与上述充电控制端子连接的上述第一NMOS晶体管以及栅极与上述放电控制端子连接的上述第二NMOS晶体管的各输入电容而升压的控制电压；
驱动电路，其将上述控制电压供给到上述充电控制端子以及上述放电控制端子，使上述充电控制端子以及上述放电控制端子的各输出状态成为高电平；
检测电路，其检测上述二次电池的状态，并输出检测状态；以及
控制电路，其使上述驱动电路基于上述检测状态进行动作，以使上述驱动电路从高电平、低电平、以及高阻抗的至少3个状态选择上述充电控制端子以及上述放电控制端子的各输出状态。
2.根据权利要求1所述的二次电池保护电路，其特征在于，
上述控制电路在将上述充电控制端子以及上述放电控制端子中的一个控制端子的输出状态从低电平切换为高电平时，将另一个控制端子的输出状态从高电平暂时切换为高阻抗。
3.根据权利要求2所述的二次电池保护电路，其特征在于，
上述控制电路能够改变从将上述另一个控制端子的输出状态切换为高阻抗到返回高电平为止的时间。
4.一种二次电池保护装置，其特征在于，
该二次电池保护装置具备：
第一NMOS晶体管，其被串联地插入二次电池的正极与连接于负载或者充电器的电源端子的正端子之间的电流路径；
第二NMOS晶体管，其被串联地插入上述电流路径；以及
二次电池保护电路，其使用上述第一NMOS晶体管以及上述第二NMOS晶体管来保护上述二次电池，
上述二次电池保护电路具备：
充电控制端子；
放电控制端子；
升压电路，其生成利用栅极与上述充电控制端子连接的上述第一NMOS晶体管以及栅极与上述放电控制端子连接的上述第二NMOS晶体管的各输入电容而升压的控制电压；
驱动电路，其将上述控制电压供给到上述充电控制端子以及上述放电控制端子，使上述充电控制端子以及上述放电控制端子的各输出状态成为高电平；
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