【技术实现步骤摘要】
一种Si/MoS2电极材料制备方法
本专利技术属于电极材料制备领域，具体涉及一种Si/MoS2电极材料制备方法。
技术介绍
Si量子点是近年来研究出来的一种具有很多优点的物质，较低的制备成本为Si量子点快速应用于生产实际奠定基础，较小的毒性为Si量子点进行实验研究提供安全保障，良好的化学性能为它在电学性能方面的研究提供支撑。片层状结构的过渡金属二硫化钼(MoS2)是一种有光泽的黑色粉末，层间与层内分别存在共价键和范德华力，是一种极具研究价值的材料，由于弱范德华力的存在使电解质离子易进入MoS2中。此外Mo离子很多种价态，这对法拉第反应的发生起到促进作用。此外，片层状的结构使MoS2与电解质溶液有更加良好的接触，从而实现了离子的快速传输，然而MoS2作为赝电容材料存在着电导率较差的问题，从能量传输的角度来说，这较大程度的限制了它在电容器储能方面的发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述不足，提供一种Si/MoS2电极材料制备方法，将Si量子和MoS2复合，复合后的MoS2电化学性能有了较大...
【技术保护点】
1.一种Si/MoS
【技术特征摘要】
1.一种Si/MoS2电极材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，制备Si量子点；
步骤二，将钼酸铵和尿素混合，加入Si量子点，作为一份混合液；
步骤三，将混合液进行水热反应，降至室温后进行离心清洗，对沉淀物进行干燥，制备出Si/MoS2复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种Si/MoS2电极材料制备方法，其特征在于，步骤一中，Si量子点的制备方法如下：
将3.75mL抗坏血酸钠溶液和1mLN-氨乙基-γ-氨丙基三甲氧基硅烷加入到12mL去离子水中，室温条件下搅拌均匀，获得一份Si量子点。
3.根据权利要求2...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑佳红，牛世峰，张润梅，
申请(专利权)人：长安大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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