一种用于自动检测连接的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于自动检测连接的电路，包括脉冲氙灯、开关电源、第一高压模块、检测模块、第二高压模块以及控制模块，开关电源连接第一高压模块，第一高压模块连接第二高压模块，第二高压模块连接脉冲氙灯，检测模块分别连接第一高压模块和控制模块，控制模块连接第一高压模块；本实用新型专利技术具有自动检测脉冲电源与氙灯是否连接，保障人身安全的优点。

A circuit for automatic detection of connection

【技术实现步骤摘要】
一种用于自动检测连接的电路
本技术涉及脉冲固体激光器领域，更具体涉及一种用于自动检测连接的电路。
技术介绍
脉冲电源是脉冲固体激光器重要组成部分，而脉冲氙灯是脉冲固体激光器重要光学器件之一，所以形成脉冲固体激光器，必须确保脉冲电源与脉冲氙灯有效连接，而脉冲电源为脉冲氙灯工作提供高压触发电路和预然电流回路，所以必须保证脉冲电源与氙灯可靠连接。传统检测脉冲电源与氙灯是否可靠连接主要是通过在脉冲氙灯处增加一个分压装置来检测此处电压值或通过观察氙灯亮灭状态，一旦脉冲电源与脉冲氙灯未连接，则脉冲电源提供氙灯的高压触发电路和预然电路仍工作在高压环境，不利于人身安全。因此需要设计一种用于自动检测连接的电路，使其能自动检测脉冲电源与氙灯是否连接，保障人身安全。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于现有技术的检测脉冲电源与氙灯是否可靠连接的电路不利于人身安全的问题。本技术是通过以下技术方案解决上述技术问题的：一种用于自动检测连接的电路，包括脉冲氙灯、开关电源、第一高压模块、检测模块、第二高压模块以及控制模块，所述开关电源连接所述第一高压模块，所述第一高压模块连接所述第二高压模块，所述第二高压模块连接脉冲氙灯，所述检测模块分别连接所述第一高压模块和控制模块，所述控制模块连接所述第一高压模块。开关电源经过第一高压模块输出高压通过第二高压模块的触发电路实现自触发，触发的脉冲电压达到氙灯触发电压和预然电流回路的高压，第一高压模块的低压采样输出电压通过检测模块来自动检测高压触发电路和预然电流回路的高压输出与氙灯是否连接，检测模块的输出作为检测外发信号CF4，通过该检测外发信号CF4来判断是否延迟关闭第一高压模块的MOS管开关断，来控制第一高压模块的高压输出，从而达到控制高压触发电压和预然电流回路高压输出。优选的，所述开关电源包括两路直流输出，分别为电源V1和电源V2。优选的，所述第一高压模块包括电阻R4、电容C5、芯片N1、MOS管Q1、电阻R1、电阻R8、电容C3、电阻R6、电位器RP1、变压器T1、整流二极管D1、整流二极管D2、电阻R9、电阻R3、电阻R5以及电容C1，电源V2接所述芯片N1的第七引脚VCC，所述芯片N1的第八引脚VREF接电阻R4的一端，所述芯片N1的第四引脚RT/CT接电阻R4的另一端，所述电阻R4的另一端通过所述电容C5接电源地GND；所述芯片N1的第五引脚GND以及第三引脚ISENSE均接电源地GND；所述芯片N1的第二引脚VFB接所述电位器RP1的第二引脚，所述电容C3的一端以及所述电阻R8的一端接所述芯片N1的第一引脚COMP，所述电容C3的另一端以及所述电阻R8的另一端接所述芯片N1的第二引脚VFB；所述芯片N1的第六引脚OUT接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端通过所述电阻R6接电源地GND，所述电阻R1的另一端接所述MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的源极接电源地GND；所述变压器T1包括原边绕组T11、副边绕组T12以及副边绕组T13，电源V1接所述原边绕组T11的同名端，所述原边绕组T11的异名端接所述MOS管Q1的漏极；所述副边绕组T12的异名端接所述整流二极管D1的负极，所述整流二极管D1的正极接所述电阻R3的一端，所述电阻R3的一端接所述电容C1的一端，所述电阻R3的另一端以及所述电容C1的另一端均接数字地GND2，所述副边绕组T12的同名端接数字地GND2；所述副边绕组T13的异名端接电源地GND，所述副边绕组T13的同名端接所述整流二极管D2的正极，所述整流二极管D2的负极接所述电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端接所述电阻R9的一端以及所述电位器RP1的第三引脚，所述电阻R9的另一端以及所述电位器RP1的第一引脚均接电源地GND。电阻R4、电容C5组成震荡信号，使芯片N1产生脉冲频率信号，通过驱动电阻R1，来驱动MOS管Q1开关断，将开关电源输出直流电源V1转换为交流电压通过变压器T1升压为高频高压交流电，高频高压交流电通过整流二极管D1、电阻R3、电容C1组成高压输出；整流二极管D2、电阻R5组成低压采样输出，通过电位器RP1采集的电压反馈到芯片N1的第二引脚VFB，实现恒压输出。优选的，所述芯片N1的型号为UC3843，所述MOS管Q1的型号为SPP20N60C3。优选的，所述第二高压模块包括电阻R2、电容C2、高压稳压二极管D3、整流二极管D5、电阻R7、可控硅QF3、变压器T2、电容C4以及放电管G1，所述电阻R2的一端接所述电容C1的一端，所述电阻R2的另一端接所述可控硅QF3的阴极，所述可控硅QF3的阳极接数字地GND2，所述变压器T2包括原边绕组T21和副边绕组T22，所述原边绕组T21的异名端顺次通过高压稳压二极管D3、整流二极管D5以及电阻R7接所述可控硅QF3的控制极；所述原边绕组T21的同名端通过所述电容C2接所述电阻R2的另一端；所述副边绕组T22的同名端接所述脉冲氙灯，所述电容C4的一端以及所述放电管G1的一端均接所述副边绕组T22的同名端，所述电容C4的另一端以及所述放电管G1的另一端均接大地地GND3；所述副边绕组T22的异名端接所述电阻R2的一端。第一高压模块输出的高压通过电阻R2给电容C2，当电容C2充到一定电压后，通过高压稳压二极管D3、整流二极管D5、电阻R7自动触发可控硅QF3导通，通过变压器T2产生1us左右的脉冲高压输出到脉冲氙灯，并提供脉冲氙灯所需的预然电流回路高压；其中电容C4、放电管G1组成放电回路。优选的，所述可控硅QF3的型号为TN5050H-12WY。优选的，所述检测模块包括电阻R14、芯片N2A、电阻R20、三极管Q3、电阻R13、电阻R16、电阻R15以及电阻R21，所述电阻R14的一端与所述电阻R5的另一端连接，所述电阻R14的另一端连接所述芯片N2A的第三引脚X，所述芯片N2A的第二引脚Y作为检测基准电压VREF1，所述芯片N2A的第四引脚GND接电源地GND，电源V1连接所述芯片N2A的第八引脚+V以及所述电阻R13的一端，所述芯片N2A的第四引脚X>Y接所述电阻R13的另一端以及所述电阻R20的一端，所述电阻R20的另一端接所述三极管Q3的基极以及电阻R16的一端，所述电阻R16的另一端接电源地GND，所述三极管Q3的基极引出一根导线作为检测外发信号CF4；电源V1通过所述电阻R15以及所述电阻R21接电源地GND，所述三极管Q3的集电极接到所述电阻R15和所述电阻R21的连线上，所述三极管Q3的发射极接到所述电阻R21与电源地GND的连线上。第一高压模块的低压采样输出电压通过电阻R14输入到芯片N2A的第三引脚X，与芯片N2A的第二引脚Y的基准电压VREF1进行比较，比较后得到的高低电平信号控制三极管Q3的导通。优选的，所述控制模块包括三极管Q2、电阻R18、电阻R12、电解电容C6、芯片N2B、电阻R19、电阻R17、电阻R22、可控硅QF1、电阻R10以及二极管D7，所述三极管Q2的基极接所述三极管Q3的集电极，电源V1通过所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于自动检测连接的电路，其特征在于，包括脉冲氙灯、开关电源、第一高压模块、检测模块、第二高压模块以及控制模块，所述开关电源连接所述第一高压模块，所述第一高压模块连接所述第二高压模块，所述第二高压模块连接脉冲氙灯，所述检测模块分别连接所述第一高压模块和控制模块，所述控制模块连接所述第一高压模块。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于自动检测连接的电路，其特征在于，包括脉冲氙灯、开关电源、第一高压模块、检测模块、第二高压模块以及控制模块，所述开关电源连接所述第一高压模块，所述第一高压模块连接所述第二高压模块，所述第二高压模块连接脉冲氙灯，所述检测模块分别连接所述第一高压模块和控制模块，所述控制模块连接所述第一高压模块。


2.根据权利要求1所述的一种用于自动检测连接的电路，其特征在于，所述开关电源包括两路直流输出，分别为电源V1和电源V2。


3.根据权利要求2所述的一种用于自动检测连接的电路，其特征在于，所述第一高压模块包括电阻R4、电容C5、芯片N1、MOS管Q1、电阻R1、电阻R8、电容C3、电阻R6、电位器RP1、变压器T1、整流二极管D1、整流二极管D2、电阻R9、电阻R3、电阻R5以及电容C1，电源V2接所述芯片N1的第七引脚VCC，所述芯片N1的第八引脚VREF接电阻R4的一端，所述芯片N1的第四引脚RT/CT接电阻R4的另一端，所述电阻R4的另一端通过所述电容C5接电源地GND；所述芯片N1的第五引脚GND以及第三引脚ISENSE均接电源地GND；所述芯片N1的第二引脚VFB接所述电位器RP1的第二引脚，所述电容C3的一端以及所述电阻R8的一端接所述芯片N1的第一引脚COMP，所述电容C3的另一端以及所述电阻R8的另一端接所述芯片N1的第二引脚VFB；所述芯片N1的第六引脚OUT接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端通过所述电阻R6接电源地GND，所述电阻R1的另一端接所述MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的源极接电源地GND；所述变压器T1包括原边绕组T11、副边绕组T12以及副边绕组T13，电源V1接所述原边绕组T11的同名端，所述原边绕组T11的异名端接所述MOS管Q1的漏极；所述副边绕组T12的异名端接所述整流二极管D1的负极，所述整流二极管D1的正极接所述电阻R3的一端，所述电阻R3的一端接所述电容C1的一端，所述电阻R3的另一端以及所述电容C1的另一端均接数字地GND2，所述副边绕组T12的同名端接数字地GND2；所述副边绕组T13的异名端接电源地GND，所述副边绕组T13的同名端接所述整流二极管D2的正极，所述整流二极管D2的负极接所述电阻R5的一端，所述电阻R5的另一端接所述电阻R9的一端以及所述电位器RP1的第三引脚，所述电阻R9的另一端以及所述电位器RP1的第一引脚均接电源地GND。


4.根据权利要求3所述的一种用于自动检测连接的电路，其特征在于，所述芯片N1的型号为UC3843，所述MOS管Q1的型号为SPP20N60C3。


5.根据权利要求3所述的一种用于自动检测连接的电路，其特征在于，所述第二高压模块包括电阻R2、电容C2、高压稳压二极管D3、整流二极管D5、电阻R7、可控硅QF3、变压器T2、电容C4以及放电管G1，所述电阻R2的一端接所述电容C1的一端，所述电阻R2的另一端接所述可控硅QF3的阴极，所述可控硅QF3的阳极接数字地GND2，所述变压器T2包括原边绕组T21和副边绕组T22，所述原边绕组T21的异名端顺次通过高压稳压二极管D3、整流二极管D5以及电阻R7接所述可控硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建生，郭翔，邹祖娇，
申请(专利权)人：合肥华耀电子工业有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34