【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摩擦电传感器相关申请的交叉引用无
本公开涉及用户输入设备。更具体地，本公开涉及基于摩擦电传感器的用户输入设备。
技术介绍
电子设备，特别是消费者电子产品，必须通过接收来自用户和装置的输入以向用户提供输出的方式与设备的用户交互。经典输入形式包括键盘和鼠标设备，但也包括较新的触摸屏设备。然而，这些传统技术虽然非常适合于特定的应用，但在低成本、低功耗和/或小尺寸的形状因子方面仍有许多待改进之处。即，键盘和鼠标是占用大量空间的相当大的设备。作为回报，它们提供了处理相当复杂的输入的能力。触摸屏设备消耗大量电力，但是作为回报，它们能够显示大量信息或显示复杂的屏幕。较简单的设备(例如用于灯开关或电源按钮的简单开关)提供低成本和小尺寸，但通常只能够接收来自用户的非常简单的输入，例如开/关命令。
技术实现思路
为了更好地与人类交互，下一代电子设备能够使用摩擦电传感器以与人类的触觉进行交互。摩擦电传感器可以确定用户(例如，用他们的手或手指)施加到传感器的力的量，并将施加的力转化为电信号。在接触起电的原理下操作...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：/n摩擦电材料；和/n耦合到摩擦电材料的薄膜层，其中，所述薄膜层包括耦合到摩擦电材料的电极部分和耦合到电极部分的电阻部分，其中，所述电阻部分具有比电极部分更高的电阻率，并且其中，所述薄膜层包括透明导电氧化物。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种装置，包括：
摩擦电材料；和
耦合到摩擦电材料的薄膜层，其中，所述薄膜层包括耦合到摩擦电材料的电极部分和耦合到电极部分的电阻部分，其中，所述电阻部分具有比电极部分更高的电阻率，并且其中，所述薄膜层包括透明导电氧化物。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述透明导电氧化物包括以下中的至少一种：掺锡氧化铟(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、二氧化锡(SnO2)和掺氟氧化锡(FTO)。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述摩擦电材料处于薄膜层的电极部分上方并与所述电极部分电接触。
4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述摩擦电材料的一部分和所述电极部分的相应部分形成基于摩擦电的传感器，并且其中，所述电阻部分的一部分具有从所述基于摩擦电的传感器侧向延伸的弯曲形状以形成薄膜电阻器。
5.根据权利要求4所述的装置，还包括柔性衬底，其中，所述基于摩擦电的传感器和所述薄膜电阻器形成在所述柔性衬底上。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述柔性衬底是透明的。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电极部分和所述电阻部分具有相同的材料，并且其中所述薄膜材料的电阻部分具有比所述电极部分更高的氧含量。
8.根据权利要求1所述的装置，还包括围绕所述薄膜层的电阻部分的保护膜，其中，所述保护膜包括摩擦电材料。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述摩擦电材料包括以下中的至少一种：聚偏氟乙烯(PVDF)、PVDF的共聚物、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚四氟乙烯、聚合物泡沫、聚甲基丙烯酸甲酯-co-聚1H-1H-甲基丙烯酸全氟辛酯、聚苯二甲基聚合物、氟化聚合物和电负性聚合物。
10.一种用于制造摩擦电传感器设备的方法，包括：
形成第一薄膜层，所述第一薄膜层包括透明导电氧化物并包括电极部分和电阻部分，其中，所述电阻部分具有比所述电极部分更高的电阻率；以及
形成摩擦电薄膜层，所述摩擦电薄膜层处于所述第一薄膜层上方并与第一薄膜层的电极部分接触，
其中，所述摩擦电薄膜层的至少一部分耦合到所述电极部分的至少一部分以形成基于摩擦电的传感器，并且
其中，所述基于摩擦电的传感器耦合到形成薄膜电阻器的、电阻部分的至少一部分。
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述形成第一薄膜层的步骤包括：
在衬底上的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰西·阿方索·卡拉韦奥·福乐易斯卡斯，阿卜杜勒阿齐兹·哈马德·M·阿尔杜巴扬，普拉迪普塔·K·纳亚克，拉姆齐·塞勒姆·马格哈特胡韦，法赫德·阿尔萨利姆，
申请(专利权)人：沙特基础工业全球技术公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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