【技术实现步骤摘要】
具有空穴阻挡层的有机电致发光器件
本专利技术涉及有机电致发光材料领域，具体而言涉及一种具有空穴阻挡层的有机电致发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiodes，OLEDs)基本结构和技术由美籍华裔教授邓青云(ChingW.Tang)于1979年在美国柯达公司首先发现。OLED技术由于具有自发光、广视角、高对比度、耗电低、响应速度快等优点，广泛应用于平板显示、灯具照明和微显视等领域中的高端产品。其中，由于OLED具有独特的多层有机膜结构，因此，构建不同功能层的薄膜材料一直是OLED行业的研究重点，制约着OLED产品的生产工艺和应用范围，影响着OLED产品在显示和照明等领域的产业化进程。在有机电致发光器件的众多功能层中，空穴阻挡层通常应用于发光层与电子传输层中间，起到连接发光层与电子传输层的作用，能够有效降低电子传输的势垒，增强电子注入性能，同时，能够阻挡发光层中激子和空穴的传出，降低漏电流的发生。在多层发光层的OLED结构中，空穴阻挡层能够通过控制材料性能和膜层厚度，控制发光...
【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，包含阴极、电子传输层、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层、和阳极，所述空穴阻挡层包含一种或多种式(I)所示的化合物：/n
【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，包含阴极、电子传输层、空穴传输层、空穴阻挡层、发光层、和阳极，所述空穴阻挡层包含一种或多种式(I)所示的化合物：
其中，L1、L2和L3分别独立地选自单键、C1-C12的亚烷基、C1-C8的亚烷氧基、C6-C30的取代或者未取代的亚芳基、C5-C30的取代或者未取代的含氮亚杂芳基；
Ar1、Ar2和Ar3分别独立地选自C6-C30的取代或者未取代的芳基、C5-C30的取代或者未取代的杂芳基，Ar1可以取代于它连接的苯环的任意取代位点，
当L1、L2、L3、Ar1、Ar2、Ar3中的任意一个或几个具有取代基时，所述取代基独立地选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基、C6-C30的芳基、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6-C30的芳基；
X选自O、S或Se。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，式(I)所示的化合物的HOMO＞5.6eV，LUMO＜2.9eV，T1能级＞2.5eV。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，所述空穴阻挡层的厚度为0.3nm～20nm，优选为0.5nm～10nm，更优选为5nm～10nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，式(I)中，L1、L2和L3分别独立地选自单键、或者选自可以具有取代基的亚苯基、亚联苯基、亚吡啶基、亚嘧啶基、亚吡嗪基中的基团或者这些基团的任意组合，作为上述取代基，选自卤素、C1-C10的烷基或环烷基、烯基、C1-C6的烷氧基或硫代烷氧基、C6-C20的芳基、含有选自N、O、S、Si的杂原子且C6-C20的芳基。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，式(I)中，L1和L2为单键，L3选自单键或者以下基团，其中划过...
【专利技术属性】
技术研发人员：李轶文，邢其锋，吴俊宇，邵爽，
申请(专利权)人：固安鼎材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13
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