【技术实现步骤摘要】
一种Ga2O3薄膜基日盲紫外探测器、制备方法及应用
本专利技术属于高压输变电设备的安全检测领域，具体涉及一种Ga2O3薄膜基日盲紫外探测器、制备方法及应用。技术背景电晕放电是指带电体表面在气体或液体介质中出现许多局部的电离和激发过程，但电极之间并不击穿或导通而出现的自持放电现象，常发生在不均匀电场中电场强度很高的区域内，如在电力领域中输电线路、高压电器、绝缘子等的电晕放电。电晕要消耗电能，电晕放电时产生的脉冲电磁波对无线电和高频通信会产生干扰；电晕还会使导线表面发生腐蚀，从而降低导线的使用寿命。电弧、电晕以及局部放电等因素往往会损害高压设备，甚至引发电力系统瘫痪，在超高压直流输变电系统中，确保电力系统的安全可靠运行尤为重要。同时，电晕放电也会严重地影响人身安全。因此，如何准确、及时、有效地检测电晕放电的位置及强弱对保证电力系统可靠运行、减少设备损坏和确保人身安全具有重要的意义。目前，电晕放电探测线路巡检主要采用人工目视检查、远红外望远镜、超声电晕探测器、紫外成像检测技术等，由于电晕放电的目标小、强度弱，目...
【技术保护点】
1.一种Ga
【技术特征摘要】
1.一种Ga2O3薄膜基日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以(0001)面Al2O3为衬底，以三甲基镓为镓源，等离子增强化学气相沉积法在(0001)面Al2O3衬底上生长一层β-Ga2O3膜层，在β-Ga2O3膜层上方磁控溅射形成Au/Ti叉指电极。
2.根据权利要求1所述的Ga2O3薄膜基日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述等离子增强化学气相沉积法在(0001)面Al2O3衬底上生长一层β-Ga2O3层包括：将(0001)面Al2O3衬底放入管式炉加热区，抽真空，通入氩气，调整真空腔内的压强，随后加热(0001)面Al2O3衬底，当温度升至设置温度后，先后通入氧气和三甲基镓气体，调节气体流量；打开射频电源，设置射频功率；在衬底上沉积氧化镓薄膜。
3.根据权利要求2所述的Ga2O3薄膜基日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述设置温度为500-600℃。
4.根据权利要求2所述的Ga2O3薄膜基日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述的氧气流量为10～100sccm，氩气流量为10～100sccm，三甲基镓气体流量为5～50sccm。
5.根据权利要求2所述的Ga2O3薄膜基日盲紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述抽真空后腔体压强为1Pa；通入氧气和三甲基镓气体后腔体压强为3...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭道友，王顺利，
申请(专利权)人：金华紫芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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