氧化锡修饰修饰类石墨相氮化碳纳米片的制备方法及其产品和应用技术

技术编号:23435872 阅读:24 留言:0更新日期:2020-02-28 12:25
本发明专利技术公开了一种氧化锡修饰类石墨相氮化碳纳米片的制备方法及其产品和应用,通过将两种前驱体预处理、混合,然后热处理原位反应,生成氧化锡修饰的g‑C

Preparation method, products and application of SnO 2 modified graphite like carbon nitride Nanocomposites

【技术实现步骤摘要】
氧化锡修饰修饰类石墨相氮化碳纳米片的制备方法及其产品和应用
本专利技术涉及纳米复合材料制备领域,具体是指一种氧化锡修饰修饰类石墨相氮化碳纳米片的制备方法及其产品和应用。
技术介绍
金属氧化物半导体材料如SnO2、ZnO、TiO2等由于稳定性好,储量丰富,易加工等特性,在各个领域均具有广泛的应用,然而单纯的金属氧化物在各领域的应用均有一定局限性,如在气体检测领域,金属氧化物在灵敏度、响应温度、选择性方面难以同时满足需求,在光催化领域,金属氧化物禁带宽度较大,光谱响应范围较窄,急需拓展对长波光谱的利用,在气体治理领域,单纯的金属氧化物难以实现对极低浓度气体的催化治理。针对以上问题,常用的方法是采用两种不同材料构建异质结或p-n结,如SnO2/ZnO复合、SnO2/NiO核壳结构等可以提升材料的气体响应特性,或金属氧化物与窄禁带半导体复合实现可见光的响应,均取得了不错的效果。然而,在进一步提升性能方面仍有待进一步提升。g-C3N4材料具有优异的热稳定性和化学稳定性,并且可有效活化分子氧,产生超氧自由基,用于气体检测、气体质量、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化锡修饰类石墨相氮化碳纳米片的制备方法,所述类石墨相氮化碳分子式为g-C

【技术特征摘要】
1.一种氧化锡修饰类石墨相氮化碳纳米片的制备方法,所述类石墨相氮化碳分子式为g-C3N4,其特征在于通过将两种前驱体预处理、混合,然后热处理原位反应,生成氧化锡修饰的g-C3N4纳米片,实现SnO2与g-C3N4的有效复合,构建异质结,包括如下步骤:
步骤一:按摩尔浓度1M配制尿素或双氰胺或硫脲或三聚氰胺的水溶液,得到溶液A;
步骤二:按摩尔浓度0.5M配制锡前驱体的水溶液,得到溶液B;
步骤三:按尿素和氯化亚锡摩尔比(6-12):1将A和B混合,搅拌2-5小时后,将所得产物于-80℃冷冻干燥,得冻干产物;
步骤四:将步骤三所得的产物研磨,然后在空气氛围下热处理,热处理条件为18...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔大祥葛美英徐磊张芳王丹卢静胡雅萍
申请(专利权)人:上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1