混合型发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种混合型发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层结构，所述叠层结构为量子点发光单元/电荷产生层/有机发光单元层叠设置形成的叠层结构，其中，所述量子点发光单元包括量子点发光层，所述有机发光单元层包括有机发光层，所述电荷产生层中含有金属纳米线、电子注入材料和空穴注入材料。

Hybrid led and its preparation

【技术实现步骤摘要】
混合型发光二极管及其制备方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种混合型发光二极管及其制备方法。
技术介绍
有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、结构简单、超轻薄、响应速度快、宽视角、低功耗、可柔性显示等十分优异的显示性能，已成为显示
中的主流技术。量子点发光二极管(QLED)具有出射光颜色饱和，波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，近年来成了OLED的有力竞争着。但是QLED器件的性能、稳定性还有寿命都有待提高，离产业化还有很大的差距。目前，有人采用QLED与OLED串联的器件结构来兼顾两者的优点，但串联器件大部分都发白光，没有全彩显示的串联结构，并且串联结构中的电荷产生层会与上下两侧的空穴注入层、电子注入层产生注入能级障碍，阻碍空穴、电子的注入，同时电荷产生层本身阻抗较大，降低串联后器件的发光效率。因此现有技术还有待改进和发展。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种混合型发光二极管及其制备方法，旨在解决现有的QLED与OLED的串联器件由于能级障碍以及电荷产生层本身阻抗的原因导致发光效率低的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术一方面提供一种混合型发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层结构，所述叠层结构为量子点发光单元/电荷产生层/有机发光单元层叠设置形成的叠层结构，其中，所述量子点发光单元包括量子点发光层，所述有机发光单元层包括有机发光层，所述电荷产生层中含有金属纳米线、电子注入材料和空穴注入材料。本专利技术另一方面提供混合型发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供底电极，在所述底电极上制备包含有量子点发光层的量子点发光单元；在所述量子点发光单元远离所述底电极的表面制备电荷产生层；在所述电荷产生层远离所述底电极的表面制备含有有机发光层的有机发光单元，其中，所述电荷产生层中含有金属纳米线、电子注入材料和空穴注入材料；在所述有机发光单元远离所述底电极的表面制备顶电极；其中，所述底电极为阳极，所述顶电极为阴极；或所述底电极为阴极，所述顶电极为阳极。本专利技术提供的混合型发光二极管，将量子点发光二极管和有机发光二极管串联混合使用，综合了量子点发光二极管和有机发光二极管的优点，提高了发光器件的发光效率、使用寿命和工作稳定性。在此基础上，通过将电子注入材料和空穴注入材料混合作为电荷产生层的组成材料，可以减少电荷产生层与量子点发光单元和有机发光单元的空穴注入难度和电子注入难度，进而提高发光器件效率。同时，在所述电荷产生层中加入金属纳米线，所述金属纳米线特殊的纳米结构，可以互相搭形成导电网络结构，从而增加电荷产生层的导电性，降低驱动电压，降低功耗，使电子空穴的注入更加平衡，进一步提高发光器件的发光性能。由此，解决了量子点发光二极管和有机发光二极管的串联结构中电荷产生层导电性不够、且相邻功能层之间存在注入能级障碍，导致发光效率低的问题。本专利技术提供的混合型发光二极管的制备方法，只需要在底电极表面依次制备含量子点发光层的量子点发光单元、电荷产生层、含有机发光层的有机发光单元和顶电极即可，方法简单可控，可实现大规模制备。此外，由于电荷产生层中含有金属纳米线、电子注入材料和空穴注入材料，一方面，可以减少电荷产生层与量子点发光单元和有机发光单元的空穴注入难度和电子注入难度，进而提高发光器件效率。另一方面，所述金属纳米线特殊的纳米结构，可以互相搭形成导电网络结构，从而增加电荷产生层的导电性，降低驱动电压，降低功耗，使电子空穴的注入更加平衡，进一步提高发光器件的发光性能。附图说明图1是本专利技术实施例1提供的混合型发光二极管的结构示意图；图2是本专利技术实施例2提供的混合型发光二极管的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。本专利技术实施例一方面提供了一种混合型发光二极管，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层结构，所述叠层结构为量子点发光单元/电荷产生层/有机发光单元层叠设置形成的叠层结构，其中，所述量子点发光单元包括量子点发光层，所述有机发光单元层包括有机发光层，所述电荷产生层中含有金属纳米线、电子注入材料和空穴注入材料。本专利技术实施例提供的混合型发光二极管，将量子点发光二极管和有机发光二极管串联混合使用，综合了量子点发光二极管和有机发光二极管的优点，提高了发光器件的发光效率、使用寿命和工作稳定性。在此基础上，通过将电子注入材料和空穴注入材料混合作为电荷产生层的组成材料，可以减少电荷产生层与量子点发光单元和有机发光单元的空穴注入难度和电子注入难度，进而提高发光器件效率。同时，在所述电荷产生层中加入金属纳米线，所述金属纳米线特殊的纳米结构，可以互相搭形成导电网络结构，从而增加电荷产生层的导电性，降低驱动电压，降低功耗，使电子空穴的注入更加平衡，进一步提高发光器件的发光性能。由此，解决了量子点发光二极管和有机发光二极管的串联结构中电荷产生层导电性不够、且相邻功能层之间存在注入能级障碍，导致发光效率低的问题。本专利技术实施例中，所述量子点发光单元包括量子点发光层，所述有机发光单元层包括有机发光层，所述量子点发光层和所述有机发光层用于提供发光材料，实现发光器件的发光。所述量子点发光单元和所述有机发光二极管通过电荷产生层串联，得到的串联结构中，所述量子点发光单元、所述有机发光二极管相对于阴极或阳极的位置，不严格限定。作为一种实施方式，所述量子点发光单元设置在靠近所述阳极的一端，所述有机发光单元设置在靠近所述阴极的一端。作为另一种实施方式，所述量子点发光单元设置在靠近所述阴极的一端，所述有机发光单元设置在靠近所述阳极的一端。进一步的，所述混合型发光二极管还包括基板。所述混合型发光二极管的所述阳极设置在所述基板上，形成正置结构；或者，所述阴极设置在所述基板上，形成倒置结构。应当理解的是，不管所述混合型发光二极管为正置结构或倒置结构，当量子点发光单元、所述有机发光二极管中含有空穴或电子功能层时，都遵循同一发光单元中的空穴功能层邻近所述阳极设置，而同一发光单元中的电子功能层邻近所述阴极设置。所述混合型发光二极管还可以在所述阴极和所述阳极形成的框架外侧形成封装结构。具体的，本专利技术实施例中，所述量子点发光单元中，除了必要的量子点发光层，还可以且优选包含其他功能层。优选的，所述量子点发光单元还包括在所述量子点发光层表面设置的第一空穴功本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种混合型发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层结构，所述叠层结构为量子点发光单元/电荷产生层/有机发光单元层叠设置形成的叠层结构，其中，/n所述量子点发光单元包括量子点发光层，所述有机发光单元层包括有机发光层，所述电荷产生层中含有金属纳米线、电子注入材料和空穴注入材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种混合型发光二极管，其特征在于，包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在所述阳极和所述阴极之间的叠层结构，所述叠层结构为量子点发光单元/电荷产生层/有机发光单元层叠设置形成的叠层结构，其中，
所述量子点发光单元包括量子点发光层，所述有机发光单元层包括有机发光层，所述电荷产生层中含有金属纳米线、电子注入材料和空穴注入材料。


2.如权利要求1所述的混合型发光二极管，其特征在于，所述电荷产生层由金属纳米线、电子注入材料、空穴注入材料形成的混合物制成。


3.如权利要求2所述的混合型发光二极管，其特征在于，以所述混合物的总重量为100％计，所述电子注入材料和所述空穴注入材料的重量百分含量之和为70％-95％。


4.如权利要求3所述的混合型发光二极管，其特征在于，所述混合物中，所述电子注入材料和所述空穴注入材料的体积比为1:1至1:10。


5.如权利要求1-4任一项所述的混合型发光二极管，其特征在于，所述金属纳米线的长径比大于等于1000。


6.如权利要求1-4任一项所述的混合型发光二极管，其特征在于，所述量子点发光单元设置在靠近所述阳极的一端，所述有机发光单元设置在靠近所述阴极的一端；或
所述量子点发光单元设置在靠近所述阴极的一端，所述有机发光单元设置在靠近所述阳极的一端。


7.如权利要求6所述的混合型发光二极管，其特征在于，所述量子点发光单元还包括在所述量子点发光层表面设置的第一空穴功能层和/或第一电子功能层，且所述第一空穴功能层设置在所述量子点发光层邻近所述阳极的表面，所述第一电子功能层设置在所述量子点发光层邻近所述阴极的表面，其中，
所述第一空穴功能层包括第一空穴注入层和/或第一空穴传输层，所述第一电子功能层包括第一电子注入层和/或第一电子传输层。


8.如权利要求6所述的混合型发光二极管，其特征在于，所述有机发光单元还包括在所述有机发光层表面设置的第二空穴功能层和/或第二电子功能层，且所述第二空穴功能层设置在所述有机发光层邻近所述阳极的表面，所述第二电子功能层设置在所述有机发光层邻近所述阴极的表面，其中，
所述第二空穴功能层包括第二空穴注入层和/或第二空穴传输层，所述第二电子功能层包括第二电子注入层和...

【专利技术属性】
技术研发人员：眭俊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44