相移器、毫米波环行器和雷达系统技术方案

本申请涉及一种相移器、毫米波环行器和雷达系统，其中所述相移器包括壳体、波导管、铁氧体、第一磁体、第二磁体和冷却流道。所述壳体定义一容纳空间；所述波导管设置于所述容纳空间；所述铁氧体贴合设置于所述波导管的内壁；所述第一磁体位于所述容纳空间，且贴合设置于所述波导管的外壁，所述第一磁体与所述壳体定义第一空腔；所述第二磁体位于所述容纳空间，且贴合设置于所述波导管的外壁，所述第二磁体与所述第一磁体相对设置，所述第二磁体与所述壳体定义第二空腔；所述冷却流道开设于所述壳体，所述冷却流道用于贯穿所述第一空腔和所述第二空腔。本申请提供的相移器、毫米波环行器和雷达系统冷却效果好，功率高、损耗小。

Phase shifter, millimeter wave circulator and radar system

【技术实现步骤摘要】
相移器、毫米波环行器和雷达系统
本申请涉及微波
，特别是涉及一种相移器、毫米波环行器和雷达系统。
技术介绍
随着航天航空、电子对抗等
的不断发展，微波系统对铁氧体器件的要求越来越高。小型化、宽频带、高功率和低损耗等成为铁氧体器件的重点研究方向。毫米波环行器是铁氧体器件中重要的一种。毫米波环行器在毫米波雷达系统中有着广泛的应用。毫米波环行器主要用来控制回路中能量的单方向传输，一般用作雷达收发开关，在雷达系统中的天馈装置和发射装置中起保护作用。毫米波环行器一般由电桥、折叠双T和相移器组成。其中，相移器包括永磁体和铁氧体。随着毫米波环行器向高功率方向的发展，相移器中铁氧体的发热和冷却问题也越来越不同忽视。传统技术中的相移器主要通过在相移器腔内沿磁体延伸方向布置冷却流道，通过向冷却流道中注入冷却液实现对毫米波环行器的冷却。然而，这种相移器及毫米波环行器存在冷却效果差的问题。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种相移器、毫米波环行器和雷达系统。一种相移器，包括：壳体，定义一容纳空间；波导管，设置于所述容纳空间；铁氧体，贴合设置于所述波导管的内壁；第一磁体，位于所述容纳空间，且贴合设置于所述波导管的外壁，所述第一磁体与所述壳体定义第一空腔；第二磁体，位于所述容纳空间，且贴合设置于所述波导管的外壁，所述第二磁体与所述第一磁体相对设置，所述第二磁体与所述壳体定义第二空腔；冷却流道，开设于所述壳体，所述冷却流道用于贯穿所述第一空腔和所述第二空腔。在其中一个实施例中，所述第一磁体和所述第二磁体均贴合设置于所述壳体内壁，所述相移器还包括：第一盖板，开设有第一水孔，所述第一盖板贴合设置于所述壳体，所述第一磁体、所述壳体和所述第一盖板定义所述第一空腔；第二盖板，开设有第二水孔，所述第二盖板贴合设置于所述壳体，所述第二磁体、所述壳体和所述第二盖板定义所述第二空腔。在其中一个实施例中，所述相移器还包括：第一水嘴，设置于所述第一水孔；第二水嘴，设置于所述第二水孔。在其中一个实施例中，所述相移器还包括第一凸缘和第二凸缘，所述第一凸缘和所述第二凸缘分别设置于所述壳体的两端，所述第一盖板贴合设置于所述第一凸缘，所述第二盖板贴合设置于所述第二凸缘。在其中一个实施例中，所述相移器还包括：第一固定件，穿过所述第一盖板抵接于所述第一磁体；第二固定件，穿过所述第二盖板抵接于所述第二磁体。在其中一个实施例中，所述波导管为过模波导管。在其中一个实施例中，所述波导管的横截面的长度比标准波导管横截面的长度大0.4mm-0.7mm，所述波导管的横截面的宽度比所述标准波导管横截面的宽度大0.2mm-0.5mm。一种毫米波环行器，包括如上所述的相移器、电桥和折叠双T，所述电桥和所述折叠双T分别连接于所述相移器的两端。在其中一个实施例中，所述毫米波环行器还包括：扼流法兰，所述电桥和所述折叠双T分别通过所述扼流法兰连接于所述相移器的两端，所述扼流法兰的扼流槽的开口尺寸与所述波导管相匹配。一种雷达系统，包括如上所述的毫米波环行器。本申请实施例提供的相移器、毫米波环行器和雷达系统中，所述相移器包括所述壳体、所述波导管、所述铁氧体、所述第一磁体和所述第二磁体。所述壳体壁上开设有所述冷却流道，所述冷却流道能够贯穿所述第一空腔和所述第二空腔。这样方向设置的所述冷却流道能够使冷却流体沿着剖面方向，对所述第一磁体、所述波导管、所述铁氧体和所述第二磁体同时进行冷却降温，可以提高降温效果。另外，相较于传统技术沿磁体延伸方向设置冷却流道的相移器，本申请实施例提供的所述相移器能够开设所述冷却流道加工的面积增大，且所述冷却流道160可开孔的面积增大，因此更加容易，且节约空间，能够设置更多数量的所述冷却流道160，从而进一步提高降温效果。附图说明图1为本申请一个实施例提供的相移器正视局部剖视结构示意图；图2为本申请一个实施例提供的相移器(不含第一盖板和第二盖板)俯视结构示意图；图3为本申请一个实施例提供的相移器(不含第一盖板和第二盖板)仰视结构示意图；图4为本申请一个实施例提供的相移器(不含第一盖板和第二盖板)及扼流法兰侧视立体结构示意图；图5为本申请一个实施例提供的毫米波环行器俯视结构示意图；图6为本申请一个实施例提供的毫米波环行器测试曲线示意图。附图标记说明：毫米波环行器10相移器100容纳空间101第一空腔102第二空腔103壳体110第一凸缘111第二凸缘112波导管120铁氧体130第一磁体140第二磁体150冷却流道160第一盖板170第一水孔171第一水嘴172第二盖板180第二水孔181第二水嘴182第一固定件191第二固定件192电桥200折叠双T300扼流法兰400具体实施方式为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下通过实施例，并结合附图，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本申请所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。请参见图1至图4，本申请一个实施例提供一种相移器100，其包括壳体110、波导管120、铁氧体130、第一磁体140和第二磁体150。所述壳体110定义一容纳空间101。所述波导管120、所述铁氧体130、所述第一磁体140和所述第二磁体150均设置于所述容纳空间101。所述壳体110的材料可以但不限于为铜。所述壳体110可以为圆形、方形或其他不规则结构。所述壳体110具有一定厚度。所述壳体110可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种相移器，其特征在于，包括：/n壳体(110)，定义一容纳空间(101)；/n波导管(120)，设置于所述容纳空间(101)；/n铁氧体(130)，贴合设置于所述波导管(120)的内壁；/n第一磁体(140)，位于所述容纳空间(101)，且贴合设置于所述波导管(120)的外壁，所述第一磁体(140)与所述壳体(110)定义第一空腔(102)；/n第二磁体(150)，位于所述容纳空间(101)，且贴合设置于所述波导管(120)的外壁，所述第二磁体(150)与所述第一磁体(140)相对设置，所述第二磁体(150)与所述壳体(110)定义第二空腔(103)；/n冷却流道(160)，开设于所述壳体(110)，所述冷却流道(160)用于贯穿所述第一空腔(102)和所述第二空腔(103)。/n

【技术特征摘要】
1.一种相移器，其特征在于，包括：
壳体(110)，定义一容纳空间(101)；
波导管(120)，设置于所述容纳空间(101)；
铁氧体(130)，贴合设置于所述波导管(120)的内壁；
第一磁体(140)，位于所述容纳空间(101)，且贴合设置于所述波导管(120)的外壁，所述第一磁体(140)与所述壳体(110)定义第一空腔(102)；
第二磁体(150)，位于所述容纳空间(101)，且贴合设置于所述波导管(120)的外壁，所述第二磁体(150)与所述第一磁体(140)相对设置，所述第二磁体(150)与所述壳体(110)定义第二空腔(103)；
冷却流道(160)，开设于所述壳体(110)，所述冷却流道(160)用于贯穿所述第一空腔(102)和所述第二空腔(103)。


2.根据权利要求1所述的相移器，其特征在于，所述第一磁体(140)和所述第二磁体(150)均贴合设置于所述壳体(110)内壁，所述相移器还包括：
第一盖板(170)，开设有第一水孔(171)，所述第一盖板(170)贴合设置于所述壳体(110)，所述第一磁体(140)、所述壳体(110)和所述第一盖板(170)定义所述第一空腔(102)；
第二盖板(180)，开设有第二水孔(171)，所述第二盖板(180)贴合设置于所述壳体(110)，所述第二磁体(150)、所述壳体(110)和所述第二盖板(180)定义所述第二空腔(103)。


3.根据权利要求2所述的相移器，其特征在于，还包括：
第一水嘴(172)，设置于所述第一水孔(171)；
第二水嘴(182)，设置于所述第二水孔(181)。

<...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈凌平，张春荣，史利剑，唐宗伟，刘博，
申请(专利权)人：西安天伟电子系统工程有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61