【技术实现步骤摘要】
一种ku波段上变频功率放大器
本技术涉及功率放大器领域，具体涉及一种ku波段上变频功率放大器。
技术介绍
微波功率放大器，主要完成对微波信号的功率放大，由于功率放大器是芯片设计，空间狭小，输出功率大，占空比相对较高，放大器工作大量发热，如果热量不及时导出，就会造成输出功率下降，或放大器烧毁，故对散热设计有较高的要求。
技术实现思路
本技术目的是提供一种具有良好散热性能的ku波段上变频功率放大器，通过合理的结构设计，得到较好的散热效果，避免大量的工作产生的热量对元器件产生影响和破坏。本技术采用的技术方案：一种ku波段上变频功率放大器，包括工作室、散热室和功率放大模块，所述工作室的顶面即是所述散热室的底面，所述工作室的顶面设有导热槽，所述功率放大模块置于所述工作室内部，所述功率放大模块的波导负载端口、信号接入端口和监控控制端口分别从所述工作室的一对侧面引出，所述散热室的顶面开设有镂空部，所述散热室内水平设有定位板，所述定位板的中心镂空并固定有风扇，所述散热室的一个侧面设有竖向百叶窗。其中，...
【技术保护点】
1.一种ku波段上变频功率放大器，其特征在于，包括工作室(1)、散热室(2)和功率放大模块(3)，所述工作室(1)的顶面即是所述散热室(2)的底面，所述工作室(1)的顶面设有导热槽(11)，所述功率放大模块(3)置于所述工作室(1)内部，所述功率放大模块(3)的波导负载端口(31)、信号接入端口(32)和监控控制端口(33)分别从所述工作室(1)的一对侧面引出，所述散热室(2)的顶面开设有镂空部(21)，所述散热室(2)内水平设有定位板(22)，所述定位板(22)的中心镂空并固定有风扇(23)，所述散热室(2)的一个侧面设有竖向百叶窗(24)。/n
【技术特征摘要】
1.一种ku波段上变频功率放大器，其特征在于，包括工作室(1)、散热室(2)和功率放大模块(3)，所述工作室(1)的顶面即是所述散热室(2)的底面，所述工作室(1)的顶面设有导热槽(11)，所述功率放大模块(3)置于所述工作室(1)内部，所述功率放大模块(3)的波导负载端口(31)、信号接入端口(32)和监控控制端口(33)分别从所述工作室(1)的一对侧面引出，所述散热室(2)的顶面开设有镂空部(21)，所述散热室(2)内水平设有定位板(22)，所述定位板(22)的中心镂空并固定有风扇(23)，所述散热室(2)的一个侧面设有竖向百叶窗(24)。
2.如权利要求1所述的一种ku波段上变频功率放大器，其特征在于，所述散热室(2)的底面固定有圆柱形导风罩(25)，所述导风罩(25)的半径大于所述风扇(23)的转动半径，所述导风罩(25)靠近所述竖向百叶窗(24)的一侧开有缺口。
3.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓彦，
申请(专利权)人：成都凯旋兰达电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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