【技术实现步骤摘要】
一种毫米波功率放大器安装壳体
本专利技术涉及毫米波通信领域，尤其涉及一种毫米波功率放大器安装壳体。
技术介绍
现有技术中，毫米波功率放大器在实现对毫米波功率放大时，存在电磁屏蔽、供电隔离、信号转换的有效性、放大增益效果等问题，需要相应的安装壳体能够适应这种精密功放器件的应用需求。
技术实现思路
本专利技术主要解决的技术问题是提供一种毫米波功率放大器安装壳体，解决现有技术中单芯片毫米波功率放大器电磁屏蔽、信号过渡转换等问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是提供一种毫米波功率放大器安装壳体，包括上下对接组合在一起的上壳体和下壳体，所述壳体的前面和后面对称设置有波导法兰接口,所述上壳体和下壳体沿所述波导法兰接口中心的矩形波导口的长边方向等距离分割，所述矩形波导口在所述安装壳体内延伸为壳体内部波导，以及在所述安装壳体内还设置有与壳体内部波导联通的毫米波功率放大芯片安装腔体。优选的，所述壳体内部波导是由设置在所述上壳体的上波导槽与对应设置在所述下壳体的下波导槽对接而成，所述...
【技术保护点】
1.一种毫米波功率放大器安装壳体，其特征在于，包括上下对接组合在一起的上壳体和下壳体，安装壳体的前面和后面对称设置有波导法兰接口,所述上壳体和下壳体沿所述波导法兰接口中心的矩形波导口的长边方向等距离分割，所述矩形波导口在所述安装壳体内延伸为壳体内部波导，以及在所述安装壳体内还设置有与壳体内部波导联通的毫米波功率放大芯片安装腔体。/n
【技术特征摘要】
1.一种毫米波功率放大器安装壳体，其特征在于，包括上下对接组合在一起的上壳体和下壳体，安装壳体的前面和后面对称设置有波导法兰接口,所述上壳体和下壳体沿所述波导法兰接口中心的矩形波导口的长边方向等距离分割，所述矩形波导口在所述安装壳体内延伸为壳体内部波导，以及在所述安装壳体内还设置有与壳体内部波导联通的毫米波功率放大芯片安装腔体。
2.根据权利要求1所述的毫米波功率放大器安装壳体，其特征在于，所述壳体内部波导是由设置在所述上壳体的上波导槽与对应设置在所述下壳体的下波导槽上下对接而成，所述上波导槽的形状和深度与所述下波导槽的形状和深度相同。
3.根据权利要求2所述的毫米波功率放大器安装壳体，其特征在于，所述上壳体的上波导槽包括第一上波导槽和第二上波导槽，所述第一上波导槽和第二上波导槽在所述上壳体上对称设置；所述第一上波导槽和第二上波导槽均成L型，其中在沿所述安装壳体前后方向上，所述第一上波导槽的第一段和所述第二上波导槽的第一段延伸为在同一条直线上，在沿所述安装壳体左右方向上，所述第一上波导槽的第二段和所述第二上波导槽的第二段相互平行；
在所述第一上波导槽的第二段的端部和所述第二上波导槽的第二段的端部之间设置有联通所述第一上波导槽和所述第二上波导槽的上安装槽，并且所述上安装槽在中间部分还沿安装壳体左右方向上进行双向扩展。
4.根据权利要求3所述的毫米波功率放大器安装壳体，其特征在于，所述下壳体的下波导槽包括第一下波导槽和第二下波导槽，所述第一下波导槽和所述第二下波导槽在所述下壳体上对称设置，所述第一下波导槽和所述第二下波导槽均成L型，其中在沿该安装壳体前后方向下，所述第一下波导槽的第一段和第二下波导槽的第一段延伸为在同一条直线下，在沿该安装壳体左右方向下，所述第一下波导槽的第二段和所述第二下波导槽的第二段延相互平行，并且，在所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：王宸星，张玲玲，
申请(专利权)人：南京屹信航天科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。