【技术实现步骤摘要】
一种具有高次模抑制的小型化基片集成波导滤波器
本专利技术属于基片集成波导滤波器
，具体涉及一种具有高次模抑制的小型化基片集成波导滤波器的设计。
技术介绍
基片集成波导(SubstrateIntegratedWaveguide，SIW)滤波器由于其优异的性能，诸如高Q值，低插损，易与平面电路集成等特点，在过去数十年间受到了大量的关注，取得了许多研究成果，并且基于SIW技术的滤波器及其他微波器件已广泛应用于各类无线通信系统中。随着通信技术的不断发展，未来势必逐步迈向5G及物联网时代，更多的微小基站将装配于室内空间，这将进一步增加对滤波器需求，并且对其性能提出更高的要求，如要求更小的体积、具有较宽阻带抑制性能、高选择性等等。目前SIW的小型化技术主要包括1/n模切割技术、多层折叠技术以及加载技术的设计。基于1/n模切割技术的SIW滤波器，其方法是沿着SIW腔体的中心线进行切割，其切口面等效为虚拟磁壁。进行切割后的滤波器，既能保留原有模式的传播特性，又能减小体积，但这种方法的不足是会造成腔体Q值的降低；多层折叠技术将S...
【技术保护点】
1.一种具有高次模抑制的小型化基片集成波导滤波器，其特征在于，包括顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)，所述顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)尺寸相同，且在相同位置分别设置有6个直径相同的螺钉孔(3)，所述顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)通过穿设于螺钉孔(3)的螺钉紧密贴合在一起；/n所述顶层PCB板(1)的中央设置有第一矩形SIW谐振腔(11)，所述底层PCB板(2)的中央设置有第二矩形SIW谐振腔(21)，所述顶层PCB板(1)的一侧侧边设置有伸入第一矩形SIW谐振腔(11)的共面波导输入端口(12)，所述底层PCB板(2)的对侧侧边设置有伸入第二矩形SIW...
【技术特征摘要】
1.一种具有高次模抑制的小型化基片集成波导滤波器，其特征在于，包括顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)，所述顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)尺寸相同，且在相同位置分别设置有6个直径相同的螺钉孔(3)，所述顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)通过穿设于螺钉孔(3)的螺钉紧密贴合在一起；
所述顶层PCB板(1)的中央设置有第一矩形SIW谐振腔(11)，所述底层PCB板(2)的中央设置有第二矩形SIW谐振腔(21)，所述顶层PCB板(1)的一侧侧边设置有伸入第一矩形SIW谐振腔(11)的共面波导输入端口(12)，所述底层PCB板(2)的对侧侧边设置有伸入第二矩形SIW谐振腔(21)的共面波导输出端口(22)，所述第一矩形SIW谐振腔(11)与共面波导输入端口(12)相邻的侧边中心设置有第一微带谐振器(13)，所述第二矩形SIW谐振腔(21)与第一微带谐振器(13)同侧的侧边中心设置有第二微带谐振器(23)，所述第一微带谐振器(13)和第二微带谐振器(23)紧密贴合构成带状线谐振器，所述带状线谐振器级联在第一矩形SIW谐振腔(11)和第二矩形SIW谐振腔(21)之间；
所述第一矩形SIW谐振腔(11)四周除与第一微带谐振器(13)连接部分以及共面波导输入端口(12)伸入部分外等间距开设有金属化过孔(4)，所述第一微带谐振器(13)除与第一矩形SIW谐振腔(11)连接部分外的其他三侧侧边上等间距开设有金属化过孔(4)；所述第二矩形SIW谐振腔(21)四周除与第二微带谐振器(23)连接部分以及共面波导输出端口(22)伸入部分外等间距开设有金属化过孔(4)，所述第二微带谐振器(23)除与第二矩形SIW谐振腔(21)连接部分外的其他三侧侧边上等间距开设有金属化过孔(4)；所述顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)上的金属化过孔(4)均构成带缺口的凸字形结构。
2.根据权利要求1所述的小型化基片集成波导滤波器，其特征在于，所述第一微带谐振器(13)和第二微带谐振器(23)结构相同，均由两个终端开口的圆环构成，两个开口圆环的大小完全相同，并通过微带线与第一矩形SIW谐振腔(11)或第二矩形SIW谐振腔(21)连接，两个圆环的开口相对设置。
3.根据权利要求1所述的小型化基片集成波导滤波器，其特征在于，所述顶层PCB板(1)和底层PCB板(2)结构相同，均采用Rogers5880基板作为电路基板，所述电路基板的厚度为0.508mm，介电常数为2.2，损耗角正切为0.0009，所述电路基板上下表面均覆盖有厚度为0.018mm的金属铜层，所述金属化过孔(4)开设于电路基板上，并连通其上下表面的金属铜层。
4.根据权利要求1所述的小型化基片集成波导滤波器，其特征在于，所述滤波器的尺寸参数具体为：
所述第一矩形SIW谐振腔(11)和第二矩形SIW谐振腔(21)的长度l1＝15.4mm；
所述第一矩形SIW谐振腔(11)和第二矩形SIW谐振腔(21)的宽度w1＝13.1mm...
【专利技术属性】
技术研发人员：董元旦，朱谊龙，杨涛，
申请(专利权)人：成都频岢微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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