用于高性能交叉耦合RF滤波器的可调谐探头制造技术

本发明专利技术涉及用于高性能交叉耦合RF滤波器的可调谐探头。一种可调谐探头(100,300)包括：第一谐振器(114,314)；与所述第一谐振器(114,314)隔开的第二谐振器(114,314)；和从所述第一谐振器(114,314)延伸到所述第二谐振器(114,314)的交叉耦合部(120,320)。所述交叉耦合部(120,320)包括：第一基板(202‑1)和第二基板(202‑2)，所述第一基板和所述第二基板被布置在所述第一谐振器和所述第二谐振器之间，以在所述第一谐振器和所述第二谐振器(114,314)之间产生电容。所述交叉耦合部(120,320)还包括连接所述第一基板(202‑1)和所述第二基板(202‑2)的线(206)，以及围绕所述线(206)的电介质(208)。

Tunable probe for high performance cross coupled RF filter

【技术实现步骤摘要】
用于高性能交叉耦合RF滤波器的可调谐探头
本公开大体涉及用于射频(RF)应用的可调谐探头，例如带通滤波器。
技术介绍
通信系统利用各种滤波器以随着频率变化选择性地允许或抑制信号。通常，抑制或阻止噪声或不需要的频率，并允许期望的信号通过以进行处理。一些带通滤波器使用共振的元件来构造。一种类型的通信系统即卫星通信系统利用范围为1至30千兆赫(GHz)的微波通信频率。许多基于卫星的通信系统构件的附加目标是减轻重量以便降低与将卫星发射到轨道相关的成本以及利用经批准的空间技术构件。开发利用经批准的材料、减轻重量并提供正确的信号处理特性的通信材料是一项挑战。
技术实现思路
在本公开的一个方面，一种可调谐探头包括：第一谐振器；与所述第一谐振器隔开的第二谐振器；以及从所述第一谐振器延伸到所述第二谐振器的交叉耦合部。所述交叉耦合部包括：第一基板和第二基板，所述第一基板和所述第二基板被布置在所述第一谐振器和所述第二谐振器之间，以在所述第一谐振器和所述第二谐振器之间产生电容。所述交叉耦合部还包括连接所述第一基板和所述第二基板的线，以及围绕本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可调谐探头(100,300)，所述可调谐探头包括：/n第一谐振器(114,314)；/n与所述第一谐振器(114,314)隔开的第二谐振器(114,314)；和/n从所述第一谐振器(114,314)延伸到所述第二谐振器(114,314)的交叉耦合部(120,320)，所述交叉耦合部(120,320)包括：/n第一基板(202-1)和第二基板(202-2)，所述第一基板(202-1)和所述第二基板(202-2)被布置在所述第一谐振器和所述第二谐振器(114,314)之间，以在所述第一谐振器和所述第二谐振器(114,314)之间产生电容；/n连接所述第一基板(202-1)和所述第二基板(2...

【技术特征摘要】
20180720 US 16/041,5041.一种可调谐探头(100,300)，所述可调谐探头包括：
第一谐振器(114,314)；
与所述第一谐振器(114,314)隔开的第二谐振器(114,314)；和
从所述第一谐振器(114,314)延伸到所述第二谐振器(114,314)的交叉耦合部(120,320)，所述交叉耦合部(120,320)包括：
第一基板(202-1)和第二基板(202-2)，所述第一基板(202-1)和所述第二基板(202-2)被布置在所述第一谐振器和所述第二谐振器(114,314)之间，以在所述第一谐振器和所述第二谐振器(114,314)之间产生电容；
连接所述第一基板(202-1)和所述第二基板(202-2)的线(206)；和
围绕所述线(206)的电介质(208)。


2.根据权利要求1所述的可调谐探头(100,300)，其中所述第一基板和所述第二基板(204)的材料介电常数(Er)介于9.5和10.0之间。


3.根据权利要求1所述的可调谐探头(100,300)，其中所述第一基板(202-1)和所述第二基板(202-2)包括氧化铝基板。


4.根据权利要求1所述的可调谐探头(100,300)，其中所述可调谐探头(100,300)被配置为在X和L频带中的一者或两者操作。


5.根据权利要求1所述的可调谐探头(100,300)，其中所述可调谐探头(100,300)是带通滤波器，其被配置为通过2GHz的频率。


6.根据权利要求1所述的可调谐探头(100,300)，其中所述第一基板(202-1)和所述第二基板(202...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·帕姆，
申请(专利权)人：波音公司，
类型：发明
国别省市：美国;US