【技术实现步骤摘要】
电压调整方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置
本专利技术涉及一种电压调整方法、存储器控制电路单元以及存储器存储装置。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。一般来说，在使用一读取电压从可复写式非易失性存储器模块中读取数据时，存储器管理电路可以对所读取出的数据进行解码以取得所欲读取的数据。然而，当解码失败时，存储器管理电路会执行重新读取(Retry-Read)机制以重新取得另一读取电压，并用此另一读取电压来进行读取以重新取得读取出的数据并进行解码。存储器管理电路702会根据重新取得的验证比特来执行上述的解码操作以取得由多个解码比特组成的另一解码后的数据。而上述重新取得读取电压来进行重新读取的机制可以反复地被执行直到次数超过预设次数为止。特别是，通过上述重新读取的机制，可以找到用于读取位于同一字线上的多个存储单元的最佳读取电压，而此最佳读取电压可以用来读取出前述多个存储单元的数据并且成功地解码该些数据。然而需注意的是，用于读取位于一字线上的存储单元的最佳读取电压可能不适用于读取位于另一字线上的存储单元。换句话说，读取位于一字线上的存储单元的最佳读取电压可能不是用于读取位于另一字线上的存储单元的最佳读取电压。而在决定用于读取位于一字线上的最佳读取电压时所使用的多个重新读取电压的使...
【技术保护点】
1.一种电压调整方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元，所述多个存储单元被配置于多个字线与多个位线的交错处，其中所述多个字线包括第一字线，且位于所述第一字线上的所述多个存储单元中的多个第一存储单元形成第一物理程序化单元组，所述电压调整方法包括：/n读取所述第一物理程序化单元组中的第一物理程序化单元以获得第一数据；/n根据对应所述第一数据的第一错误检查与校正码对所述第一数据进行校正以获得第一校正后数据；/n读取所述第一物理程序化单元组中的至少一第二物理程序化单元以获得第二数据；以及/n根据所述第一数据、所述第一校正后数据以及所述第二数据将用于读取所述多个第一存储单元的第一读取电压调整为第二读取电压。/n
【技术特征摘要】
1.一种电压调整方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元，所述多个存储单元被配置于多个字线与多个位线的交错处，其中所述多个字线包括第一字线，且位于所述第一字线上的所述多个存储单元中的多个第一存储单元形成第一物理程序化单元组，所述电压调整方法包括：
读取所述第一物理程序化单元组中的第一物理程序化单元以获得第一数据；
根据对应所述第一数据的第一错误检查与校正码对所述第一数据进行校正以获得第一校正后数据；
读取所述第一物理程序化单元组中的至少一第二物理程序化单元以获得第二数据；以及
根据所述第一数据、所述第一校正后数据以及所述第二数据将用于读取所述多个第一存储单元的第一读取电压调整为第二读取电压。
2.根据权利要求1所述的电压调整方法，其中所述多个存储单元中的每一个存储单元具有多个存储状态的其中之一，其中根据所述第一数据、所述第一校正后数据以及所述第二数据将用于读取所述多个第一存储单元的所述第一读取电压调整为所述第二读取电压的步骤包括：
对所述第一数据以及所述第一校正后数据执行互斥或运算以获得第三数据，其中所述第三数据具有多个比特且所述多个比特中的每个比特对应至所述多个第一存储单元的其中之一。
3.根据权利要求2所述的电压调整方法，其中根据所述第一数据、所述第一校正后数据以及所述第二数据将用于读取所述多个第一存储单元的所述第一读取电调整为所述第二读取电压的步骤还包括：
当所述第三数据的所述多个比特中的至少一第一比特为第一数值且所述第一比特所对应的所述多个第一存储单元中的至少一第二存储单元的存储状态为所述多个存储状态中的第一存储状态时，判断所述第二存储单元在存储状态分部图中位于第一错误区间；以及
当所述第三数据的所述多个比特中的至少一第二比特为所述第一数值且所述第二比特所对应的所述多个第一存储单元中的至少一第三存储单元的存储状态为所述多个存储状态中的第二存储状态时，判断所述第三存储单元在所述存储状态分部图中位于第二错误区间。
4.根据权利要求3所述的电压调整方法，其中在所述存储状态分布图中，所述第一存储状态相邻于所述第二存储状态，位于所述第一错误区间的所述第二存储单元是属于所述第二存储状态而所述第二存储单元是根据所述第一读取电压被识别为所述第一存储状态，以及
位于所述第二错误区间的所述第三存储单元是属于所述第一存储状态而所述第三存储单元是根据所述第一读取电压被识别为所述第二存储状态。
5.根据权利要求4所述的电压调整方法，其中根据所述第一数据、所述第一校正后数据以及所述第二数据将用于读取所述多个第一存储单元的所述第一读取电压调整为所述第二读取电压的步骤还包括：
计算位于所述第一错误区间的所述第二存储单元的第一数量；
计算位于所述第二错误区间的所述第三存储单元的第二数量；
当所述第一数量大于所述第二数量时，将所述第一读取电压调整至所述第二读取电压以使得所述第二读取电压小于所述第一读取电压；以及
当所述第一数量小于所述第二数量时，将所述第一读取电压调整至所述第二读取电压以使得所述第二读取电压大于所述第一读取电压。
6.根据权利要求1所述的电压调整方法，其中根据所述第一数据、所述第一校正后数据以及所述第二数据将用于读取所述多个第一存储单元的所述第一读取电压调整为所述第二读取电压的步骤之后，所述方法还包括：
记录所述第二读取电压；以及
当读取所述多个第一存储单元时，使用所述第二读取电压读取所述第一存储单元。
7.根据权利要求1所述的电压调整方法，所述方法还包括：
根据对应所述第二数据的至少一第二错误检查与校正码对所述第二数据进行校正以获得至少一第二校正后数据；以及
根据所述第一数据、所述第二数据以及所述第二校正后数据将用于读取所述多个第一存储单元的第三读取电压调整为第四读取电压。
8.一种存储器控制电路单元，用于可复写式非易失性存储器模块，所述可复写式非易失性存储器模块包括多个存储单元，所述多个存储单元被配置于多个字线与多个位线的交错处，其中所述多个字线包括第一字线，且位于所述第一字线上的所述多个存储单元中的多个第一存储单元形成第一物理程序化单元组，所述存储器控制电路单元包括：
主机接口，用以电性连接至主机系统；
存储器接口，用以电性连接至所述可复写式非易失性存储器模块；以及
存储器管理电路，电性连接至所述主机接口以及所述存储器接口，
其中所述存储器管理电路用以读取所述第一物理程序化单元组中的第一物理程序化单元以获得第一数据，
其中所述存储器管理电路还用以根据对应所述第一数据的第一错误检查与校正码对所述第一数据进行校正以获得第一校正后数据，
其中所述存储器管理电路还用以读取所述第一物理程序化单元组中的至少一第二物理程序化单元以获得第二数据，
其中所述存储器管理电路还用以根据所述第一数据、所述第一校正后数据以及所述第二数据将用于读取所述多个第一存储单元的第一读取电压调整为第二读取电压。
9.根据权利要求8所述的存储器控制电路单元，其中所述多个存储单元中的每一个存储单元具有多个存储状态的其中之一，其中在根据所述第一数据、所述第一校正后数据以及所述第二数据将用于读取所述多个第一存储单元的所述第一读取电压调整为所述第二读取电压的运作中，
所述存储器管理电路还用以对所述第一数据以及所述第一校正后数据执行互斥或运算以获得第三数据，其中所述第三数据具有多个比特且所述多个比特中的每一个比特对应至所述多个第一存储单元的其中之一。
10.根据权利要求9所述的存储器控制电路单元，其中在根据所述第一数据、所述第一校正后数据以及所述第二数据将用于读取所述多个第一存储单元的所述第一读取电调整为所述第二读取电压的运作中，
当所述第三数据的所述多个比特中的至少一第一比特为第一数值且所述第一比特所对应的所述多个第一存储单元中的至少一第二存储单元的存储状态为所述多个存储状态中的第一存储状态时，所述存储器管理电路还用以判断所述第二存储单元在存储状态分部图中位于第一错误区间，以及
当所述第三数据的所述多个比特中的至少一第二比特为所述第一数值且所述第二比特所对应的所述多个第一存储单元中的至少一第三存储单元的存储状态为所述多个存储状态中的第二存储状态时，所述存储器管理电路还用以判断所述第三存储单元在所述存储状态分部图中位于第二错误区间。
11.根据权利要求10所述的存储器控制电路单元，其中在所述存储状态分布图中，所述第一存...
【专利技术属性】
技术研发人员：林纬，许佑诚，郭才豪，陈思玮，欧沥元，林晓宜，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。