一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置，包括：衬底基板，在衬底基板上依次设置的无机膜层、平坦层和阳极；其中，衬底基板具有显示区域，包围显示区域的切割区域，以及位于显示区域与切割区域之间的过渡区域；阳极设置于显示区域内；无机膜层覆盖衬底基板且在切割区域被减薄处理；过渡区域的无机膜层上具有源漏极金属残留；平坦层至少设置于显示区域和过渡区域且包覆源漏极金属残留。通过设置平坦层包覆源漏极金属残留，使得后续在制作阳极的过程中，平坦层可将源漏极金属残留与刻蚀液中的阳极金属离子(例如Ag

A display base plate, its manufacturing method, motherboard, display panel and display device

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置。
技术介绍
相关技术中，一般通过在母板上制作多个显示基板，并采用激光切割母板以获得显示基板。通常的设计是在切割区域使用一薄层无机膜层如硅的氮氧化合物来保护衬底基板，防止激光烧焦衬底基板的表面。并通过对无机膜层进行减薄，以防切割过程中造成无机膜层裂开。然而，减薄处理后的无机膜层存在一定的高度差，再进行后续工艺段如源漏极金属(Ti/Al/Ti)的蒸镀与刻蚀时，在无机膜层的台阶处会具有源漏极金属的残留。而后续在阳极(Ag/ITO/Ag)的湿法刻蚀工艺的过程中，游离的Ag+会与残留的源漏极金属中的Al发生置换反应，置换出Ag单质，Ag单质被刻蚀液带到显示区域，造成显示不良。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置，用以提高显示品质。因此，本专利技术实施例提供的一种显示基板，包括：衬底基板，在所述衬底基板上依次设置的无机膜层、平坦层和阳极；其中，所述衬底基板具有显示区域，包围所述显示区域的切割区域，以及位于所述显示区域与所述切割区域之间的过渡区域；所述阳极设置于所述显示区域内；所述无机膜层覆盖所述衬底基板，且所述无机膜层在所述切割区域被减薄处理；所述过渡区域的所述无机膜层上具有源漏极金属残留；所述平坦层至少设置于所述显示区域和所述过渡区域，且所述平坦层包覆所述源漏极金属残留。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述显示基板中，所述平坦层在所述衬底基板上的正投影与所述显示区域和所述过渡区域完全重叠，并与所述切割区域部分重叠。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述显示基板中，所述切割区域的所述无机膜层包括刻蚀阻挡层，所述显示区域和所述过渡区域的所述无机膜层包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述刻蚀阻挡层、缓冲层、第一绝缘层和第二绝缘层。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述显示基板中，所述刻蚀阻挡层在所述切割区域的厚度小于其在所述显示区域和所述过渡区域的厚度。基于同一专利技术构思，本专利技术实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括：提供一衬底基板；在所述衬底基板上整面涂覆无机材料层，并对切割区域的所述无机材料层进行减薄处理，形成无机膜层；在所述无机膜层上形成位于显示区域的源漏极，以及位于过渡区域的源漏极金属残留；在所述源漏极所在层上形成平坦层，所述平坦层包覆所述源漏极金属残留，且所述平坦层在所述切割区域断开；在所述平坦层上依次整面涂覆阳极材料层和光刻胶层；对所述阳极材料层进行曝光显影、湿法刻蚀，形成位于所述显示区域的阳极；沿所述切割区域对所述衬底基板进行切割，获得所述显示基板。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，在所述衬底基板上涂覆无机材料层，并对切割区域的所述无机材料层进行减薄处理，具体包括：在所述衬底基板上依次整面涂覆形成刻蚀阻挡层、缓冲层、第一绝缘层和第二绝缘层；采用第一刻蚀掩膜板对所述切割区域的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层进行刻蚀后，再采用第二刻蚀掩膜板对所述切割区域的所述缓冲层和所述刻蚀阻挡层进行刻蚀，形成所述无机膜层。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，在所述源漏极所在层上形成平坦层，具体包括：在所述源漏极所在层上整面涂覆有机材料层；对所述有机材料层进行曝光显影，形成包覆所述源漏金属残留且在所述切割区域断开的所述平坦层。基于同一专利技术构思，本专利技术实施例提供了一种母板，包括：多个阵列排布的上述显示基板；各所述显示基板的平坦层相互独立，相邻两个所述显示基板的无机膜层相互连接。基于同一专利技术构思，本专利技术实施例提供了一种显示面板，包括上述显示基板。基于同一专利技术构思，本专利技术实施例提供了一种显示装置，包括：上述显示面板。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的一种显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置，包括：衬底基板，在衬底基板上依次设置的无机膜层、平坦层和阳极；其中，衬底基板具有显示区域，包围显示区域的切割区域，以及位于显示区域与切割区域之间的过渡区域；阳极设置于显示区域内；无机膜层覆盖衬底基板，且无机膜层在切割区域被减薄处理；过渡区域的无机膜层上具有源漏极金属残留；平坦层至少设置于显示区域和过渡区域，且平坦层包覆源漏极金属残留。通过设置平坦层包覆源漏极金属残留，使得后续在制作阳极的过程中，平坦层可将源漏极金属残留与刻蚀液中的阳极金属离子(例如Ag+)隔离开，从而避免了由源漏极金属残留与阳极金属离子发生置换反应所生成的阳极金属造成的显示不良，提供了显示品质。附图说明图1为本专利技术实施例提供的显示基板的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的显示基板的制作方法流程图；图3为图2所示制作方法中各步骤对应显示基板的结构示意图；图4为本专利技术实施例提供的母板的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本专利技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本专利技术说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“内”、“外”、“上”、“下”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。下面结合附图，对本专利技术实施例提供的显示基板、其制作方法及母板、显示面板、显示装置的具体实施方式进行详细地说明。附图中各膜层的厚度和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。本专利技术实施例提供的一种显示基板，如图1所示，包括：衬底基板101，在衬底基板101上依次设置的无机膜层102、平坦层103和阳极(图中未示出)；其中，衬底基板101具有显示区域A，包围显示区域A的切割区域B，以及位于显示区域A与切割区域B之间的过渡区域C；阳极(图中未示出)设置于显示区域A内；无机膜层102覆盖衬底基板101，且无机膜层102在切割区域B被减薄处理；过渡区域C的无机膜层102上具有源漏极金属残留P；平坦层103至少设置于显示区域A和过渡区域C，且平坦层103包覆源漏极金属残留P。在本专利技术实施例提供的上述显示基板中，通过设置平本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板，在所述衬底基板上依次设置的无机膜层、平坦层和阳极；其中，/n所述衬底基板具有显示区域，包围所述显示区域的切割区域，以及位于所述显示区域与所述切割区域之间的过渡区域；/n所述阳极设置于所述显示区域内；/n所述无机膜层覆盖所述衬底基板，且所述无机膜层在所述切割区域被减薄处理；/n所述过渡区域的所述无机膜层上具有源漏极金属残留；/n所述平坦层至少设置于所述显示区域和所述过渡区域，且所述平坦层包覆所述源漏极金属残留。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板，在所述衬底基板上依次设置的无机膜层、平坦层和阳极；其中，
所述衬底基板具有显示区域，包围所述显示区域的切割区域，以及位于所述显示区域与所述切割区域之间的过渡区域；
所述阳极设置于所述显示区域内；
所述无机膜层覆盖所述衬底基板，且所述无机膜层在所述切割区域被减薄处理；
所述过渡区域的所述无机膜层上具有源漏极金属残留；
所述平坦层至少设置于所述显示区域和所述过渡区域，且所述平坦层包覆所述源漏极金属残留。


2.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述平坦层在所述衬底基板上的正投影与所述显示区域和所述过渡区域完全重叠，并与所述切割区域部分重叠。


3.如权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述切割区域的所述无机膜层包括刻蚀阻挡层，所述显示区域和所述过渡区域的所述无机膜层包括在所述衬底基板上依次层叠设置的所述刻蚀阻挡层、缓冲层、第一绝缘层和第二绝缘层。


4.如权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层在所述切割区域的厚度小于其在所述显示区域和所述过渡区域的厚度。


5.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上整面涂覆无机材料层，并对切割区域的所述无机材料层进行减薄处理，形成无机膜层；
在所述无机膜层上形成位于显示区域的源漏极，以及位于过渡区域的源漏极金属残留；
在所述源漏极所...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩林宏，张毅，秦世开，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11